德国零售市场的 #DDR5# #DRAM# 价格开始企稳甚至小幅度反弹，这可能预示着内存条价格短时间内不会再出现下跌。 3 月份时内存条价格确实有过小幅度下跌，不过现在又开始涨价，整体来说内存条或套条容量越大涨幅也越高，套条比单条价格涨幅更高。 查看详情：

华擎联合英特尔推出单通道内存标准，此类内存条只使用 1x32 位通道，而生产成本则要低于标准双通道内存条。 在不影响性能的前提下，华擎和英特尔希望该技术降低内存价格并继续普及 DDR5 内存，当然前提是有厂家愿意提供产能生产此类内存条才行。 查看详情：

长鑫存储的材料与耗材供应链全景 昨天讲了长鑫的设备供应链，今天讲另一半的材料和耗材。这一块的国产化进度比设备端要快一截，但内部分化也更剧烈。长鑫2024年LPDDR系列占主营收入82.74%，材料消耗结构跟Mobile和AI需求节奏强相关。招股书披露2024年六大类原材料采购合计约114.7亿元（主要原材料采购金额121.9亿元），2025年上半年61.45亿元。六大品类结构是化学品37.29%、备件及其他约34.69%、光阻剂12.16%、硅片8.55%、气体5.10%、靶材2.21%。化学品从2022年的27.49%一路升到37.29%，已经超过备件成为第一大头，既来自DDR5迭代后湿法和ALD消耗量放大，也来自产能建设期备件采购前置完成后的镜像效应。按2026年Q1的业绩以及历史数据推测，全年材料采购规模冲到270亿以上是大概率。 一个品类一个品类看。 化学品占了近38%，是国产替代弹性最大的一格。湿电子化学品方面，晶瑞电材向长鑫供应高纯双氧水、硫酸、氨水、异丙醇、盐酸、硝酸、NMP等全品类，年出货量数千吨，核心产品已全面实现国产替代（晶瑞同时也是国内i线光刻胶龙头，见光阻剂段）。格林达是国内半导体显影液隐形冠军，国内唯一实现SEMI G5级TMAH显影液量产，已供应长鑫。江化微是国内湿电子化学品龙头，江阴本部产能9万吨/年，三大基地全部建成后总产能将超30万吨。CMP抛光液方面安集科技是绝对龙头，2024年抛光液营收15.5亿元，国内市占率约70%、全球约10-11%。CMP抛光垫方面鼎龙股份国内市占率超70%，在长江存储供应链中占主导地位，与长存共建联合实验室开展抛光垫底层技术攻关，CMP抛光垫2025年收入10.91亿元同比增长52.34%。ALD/CVD前驱体方面，雅克科技是国产龙头，已进合肥长鑫和长江存储。据产业链消息，安德科铭也值得关注，长鑫科技全资持股的长鑫芯聚2025年10月入股了这家公司，同时它本身就是长鑫的重要材料供应商，2024年自研High-K前驱体批量供货，2025年铜陵基地营收2.39亿元，形成210吨/年高纯前驱体产能，7款产品转量产。产业资本反向绑定材料厂的玩法在前道材料里很罕见，意味着高k前驱体已经被长鑫定性为战略环节亲自拉国产替代。化学品单价指数从2022年的100跌到2025上半年的77.90，过去三年累计跌22%。景气回升直接传导的是采购量而非单价，单价反弹要看上游化工大宗品走势，但量价叠加后化学品这一格的总采购额弹性最大。 备件及其他占近35%，是设备零部件耗材，包括反应腔体、石英件、密封圈、靶材辅件、传输部件等。单价跟着半导体大宗品价格剧烈波动，2024年单价指数升到156.53涨了56%，2025上半年骤降到97.29已经低于2022年水平。国产标的集中在石英件和密封件，菲利华是石英玻璃龙头，半导体级石英玻璃已用于多家头部晶圆厂。新莱应材在密封件和洁净管路国产替代上走得比较深。备件供应商集中度最高，2024年前五大供应商里有三家是备件供应商，合计占比超过19%。 光阻剂占12.16%，是材料端分层最严重的一格。i线光刻胶用于非关键层，晶瑞电材多年国内市占率第一，已批量供货长鑫，国产化率约10%。KrF已经跑通，晶瑞电材批量供合肥长鑫和中芯国际，彤程新材旗下科华微电子是国内唯一为本土8寸和12寸晶圆厂批量供应KrF的企业，上海新阳的KrF也实现批量销售。ArF还在爬坡，南大光电现有ArF光刻胶产能50吨/年，28纳米ArF已小批量供货（2025年销售额突破2千万元），14纳米浸没式良率达99.7%。市场流传的宁波500吨/年扩产项目公司称未实施，需谨慎对待。彤程新材的ArF/ArFi已开始批量供货。鼎龙股份的浸没式ArF获得了客户订单。上海新阳的ArF浸没式光刻胶也已取得销售订单。ArF国产化率从接近零开始破冰，已有少量供货，但离摆脱日本依赖还远。2025年日本对华光刻胶供应配额削减10-15%，年底部分日企暂停供货，倒逼效应明显。光刻胶的天花板跟光刻机一样硬，没有先进光刻机进入国内，先进光刻胶就没有真实的量产验证机会。国产ArF再好，也只能在长鑫这种被限制在DUV阶段的产线上跑。EUV光刻胶目前为零，上海新阳在开发但离量产很远。 硅片占比8.55%，是六大类里2025年下半年加仓最明显的一项。2025上半年占比一度跌到6.27%，全年回升到8.55%，反映下半年长鑫主动加大硅片备货，对应DRAM价格快速上涨之后产能爬坡和战略备库存的双重逻辑。国内主供是沪硅产业，2025年300mm硅片销量641.63万片，存储是其主要应用领域之一。立昂微12英寸硅片覆盖14纳米以上节点存储电路，进入部分存储客户供应链。海外端长鑫还在依赖信越、SUMCO、环球晶圆、Siltronic。对比长江存储已经大幅减少SUMCO采购转向国产，长鑫硅片国产化方向是定的，但完整切换还需要两到三年。 气体这一格要单独看。招股书披露的"气体"采购占5.10%，但有明确注释"气体不含大宗气体耗用"。也就是说5.10%只是工艺特气和电子特气，氮氢氧氩等大宗气体走的是另一条单独的供应通道。这条通道的国产化反而走得最彻底。广钢气体是长鑫最大的电子大宗气体供应商，双方签了15年长期供气协议，覆盖合肥和北京两座基地，2025上半年广钢在长鑫的采购占比40%到45%。15年长协在半导体材料端非常罕见，本身就是国产化已经走通的强信号。工艺特气这边，华特气体的光刻气国内市占率60%，全球四家通过ASML和Gigaphoton双重认证的企业之一。中船特气是国内电子特气第一、全球第九，2002年就突破了三氟化氮的国外垄断。金宏气体补充中端品类。气体单价指数从100跌到62.29，跌幅38%。单价跟上游工业气体成本走，但采购量跟着长鑫投片量走，量的弹性确定性最高。 靶材只占2.21%，但国产替代故事最完整。江丰电子覆盖铝、钛、钽、铜、钨全系列，钽/钛/铝靶已实现5纳米节点量产，部分产品进入3纳米工艺验证。有研新材旗下有研亿金是央企背景的第二供应商，稀土靶材全球市占超85%。这个环节国产化率已经在60%以上，对长鑫扩产的弹性主要体现在订单放量而不是国产突破。 掩模版是跟ArF光刻胶并列的另一个薄弱点。先进节点一套掩模版成本数百万美元，长鑫用的高端掩模版大概率仍由美国Photronics和日本Toppan、DNP供应，国产化率极低。 封测基本实现国产化。深科技旗下沛顿科技是长鑫最大的委外封测供应商，承接其超50%的封测需求，处理17纳米及以下先进制程。长电科技提供DRAM模组封装，通富微电配合开发HBM芯片样品。盛合晶微、华天科技也有布局。 HBM封装材料是新增量。招股书披露的原材料结构主要对应前道晶圆制造，HBM后段封装材料是2026到2027年才放量的新故事，对应长鑫上海HBM后段封装厂2026年底投产。华海诚科的颗粒状环氧塑封料（GMC）已通过客户验证处于送样阶段，芯片级底填胶已完成验证正在量产准备。联瑞新材配套供应HBM封装用GMC所需的球硅和Low α球铝。弹性最大但兑现要等长鑫上海后段厂投产。 招股书提及4F²等新型工艺架构是未来方向，业内公认对应VCAT垂直沟道访问晶体管路径。这意味着2027年以后的G6、G7工艺会带来新的材料需求，垂直沟道和堆叠结构对ALD前驱体、高深宽比刻蚀气体的依赖会进一步加深，雅克科技、安德科铭、华特气体这类公司的长期成长性会被进一步打开。 整体看材料端国产化进度领先设备端一个身位，但各品类差异很大。电子大宗气体（广钢主导超50%）、CMP抛光垫（鼎龙国内超70%）、靶材（江丰国内12寸超70%）已在50%以上。湿电子化学品和工艺特气在30-50%区间。前驱体尤其高k仍在20-30%。光刻胶和掩模版的国产化跟着光刻机天花板走，要等上游设备突破。HBM封装材料是2026到2027年才开始放量的新增量。基本面上可以满足量产需求，但顶层精细化学品和光刻胶仍依赖进口。 设备一次性资本开支属性强，材料是经常性采购。长鑫Q1单季营收508亿，2026年H1指引1100到1200亿，材料采购盘子冲到2026年270亿以上是大概率。这部分订单不需要等扩产完成，每多开一片晶圆就立刻转化成材料厂的收入。对广钢气体、安集科技、鼎龙股份、雅克科技、华特气体、江丰电子、格林达、晶瑞电材、沪硅产业这一批公司，长鑫扩产的传导比设备厂商更快，也更持续。

长鑫科技更新科创板 IPO 招股书，项目在补充财务资料后正式恢复审核。这家国内产能最大的 DRAM（动态随机存取存储器，即内存芯片）研发制造企业拟募资 295 亿元，投向产线改造与前瞻技术研发。 招股书原件显示了极其剧烈的利润跨度：长鑫在 2023 与 2024 年共亏损超 282 亿元，于 2025 年扭亏。而绝对的反转发生在 2026 年第一季度——公司单季营收达 508.00 亿元（同比暴增 719.13%），净利润直接拉升至 330.12 亿元（归母净利润 247.62 亿元）。 公司将这轮业绩暴涨归因于全球算力需求激增、DRAM 供不应求及合约价的大幅上涨。长鑫预计 2026 年上半年营收 1100 亿至 1200 亿元，净利润 660 亿至 750 亿元；不过这组未经审计的数据并不构成业绩承诺。 产品路线上，长鑫已完成从 DDR4/LPDDR4X 到 DDR5/LPDDR5X 的代际覆盖，高毛利的 DDR5 在 2025 年快速放量。据 Tom’s Hardware 报道，长鑫展示的 DDR5 芯片已达到 8000 MT/s 速率与单颗 24Gb 容量，正式切入全球高端速率区间。 招股书还显示，长鑫 2025 年前五大客户销售占比降至 39.85%，客户集中度继续下降。 同时此次 IPO 展现出极高的保密防御姿态：长鑫不仅成为科创板首单适用「预先审阅」机制的项目，还将前五大供应商全部以「供应商A」、「供应商B」代码掩码，仅披露采购品类与金额。

长鑫存储扩产的设备供应链全景 长鑫现在合肥两座、北京一座，三座12英寸厂。合肥一厂11万片月产能，二厂8万片，北京厂7万片，加起来接近30万片，全部满产。两年涨了三倍，2024年初差不多10万片，2025年底冲到28到30万，2026年目标稳在30万。按晶圆片数算全球DRAM占比已经接近15%，但按销售额算只有3.97%，片数堆上来了，单价还在追赶。 工艺端，G4在16纳米已经量产，DDR5良率从2024年底的80%升到现在的90%区间。G5对应15纳米，2026年底量产。HBM2去年下半年就上了，比外界预期提前两年，主要供华为昇腾910。HBM3的前段晶圆产能主要在合肥和北京现有基地内部腾出来，目标月产6万片，约占30万片总产能的20%。后段的堆叠和封装由上海新建的HBM封测厂承接，2026年底投产。 产能还在继续扩。上海新厂分两期，Phase 1产能10万片，2027年初量产，Phase 2同样10万片，2028年初量产。加上现有的30万片，远期产能目标是奔着50万片以上去的。华为也在建一条10万片规模的产线，专门配合长鑫做昇腾系列所需的HBM3和LPDDR5X，2026年下半年开始全面量产。 IPO募资295亿，DRAM技术升级拿了130亿，量产线升级75亿，前瞻技术研发90亿。多家券商纪要提到其中约200亿会直接变成设备采购订单，叠加2024年712亿的存量Capex节奏，是国产设备厂未来两年最确定的基本盘。 长鑫正在进行的大规模扩产，设备采购需求非常可观。每个品类的国产化进展差异很大。 光刻是最大的对外依赖，国产化率连5%都不到。主力机器是ASML的NXT:1980Di，每小时出275片，覆盖到16纳米节点，目前还能正常采购。被荷兰管制的是NXT:2050i及以上，每小时295片，2023年9月起要许可证，2024年1月起对华许可基本停发。修正一个流传很广的说法，275到295片是1980Di到2050i的代际跳变，不是1980系列内部的迭代。长鑫往15纳米以下走，这道墙绕不开。上海微电子的28/14纳米DUV还在攻关，光刻这一环短期无解。 刻蚀占设备投资25到30%，是国产化最深的核心工艺。北方华创的ICP在长鑫产线上市占超过50%，中微的CCP介质刻蚀机做到50比1以上深宽比，专门用于HBM的TSV深硅通孔。但存储节点100比1深宽比的极端工艺，孔洞必须互相平行规整，任何偏差直接砸良率，Lam和东京电子在这个区间仍然是主力。 薄膜沉积占约25%，品类分得细。PECVD做绝缘层，PVD做金属互连，ALD做电容器的高k介电层。拓荆科技的PECVD已经批量进入长鑫DDR5和LPDDR5产线，北方华创的PVD覆盖铝铜溅射和氮化钛溅射。但DRAM电容器核心的高k ALD设备，应用材料和ASM的位置很难动，拓荆的ALD在验证爬坡中还没有大规模上量。整体看PECVD和PVD的国产化率高一些，ALD最低。 CMP只占设备投资5到7%。华海清科占国产CMP装备销售90%以上份额，12英寸Universal-300已经导入长鑫。新变量是中微4月29日刚过会的收购杭州众硅，6抛光盘架构是国际首创，效率比主流4盘方案高一截。国产CMP从单点供应正式进入双供。 清洗国产化率30到40%，盛美上海的SAPS/TEBO兆声波清洗覆盖FinFET和DRAM的16到19纳米制程。热处理40到50%，北方华创立式氧化炉打头，激光退火端莱普科技两年内国内市占从3%涨到16%，跟长鑫和长存共同开发匹配DRAM工艺的设备。这几个环节已经跑通了。 最薄弱的三个环节是量测检测、涂胶显影和离子注入。量检测国产化率个位数，KLA全球占51到54%，精测电子进了长鑫12英寸产线，中科飞测也在部分环节往里切，但高端光学检测和电子束检测差距仍然明显。涂胶显影国产化率仅4%，东京电子在大陆市占超过90%，芯源微是唯一量产替代，目前只在封装端站住了，前道关键层还进不去。离子注入同样个位数，万业凯世通累计交付40多台。弹性最大的三个环节，也是短期内最动不了的三个环节。 长存三期产线2026年一季度国产设备占比首次过50%，目标100%。长鑫设备国产化率已突破45%，但仍低于长存三期产线的水平。根源在工艺。DRAM的电容刻蚀和光刻精度对先进DUV的依赖远高于3D NAND。NAND可以靠堆层数绕过光刻瓶颈，DRAM要正面硬刚，结构性差异，跟意愿无关。 外部约束在收紧。4月22日美国众议院外交事务委员会投票通过了MATCH法案，路透社称之为"国会史上最大规模的半导体出口管制立法审议"。法案把长鑫、中芯国际、长江存储、华为、华虹一起列入covered facility，禁止ASML的DUV浸没式光刻机对长鑫出口，禁止盟国为既有设备提供维保，要求荷兰和日本在150天内对齐美方规则。主要推手是美光。一旦通过，NXT:1980Di这条最后的灰色通道就堵死了。长鑫本身还没进BIS实体清单，但设备进口其实早就在2022年10月那波18纳米以下DRAM工艺限制的笼子里。 45%的国产化率意味着长鑫在两条腿走路，海外设备保良率，国产设备保供应链安全。MATCH法案的压力反而在加速这个进程。长鑫每往国产设备多切一个百分点，对应的就是北方华创、中微、拓荆、华海清科、盛美这些公司实打实的订单增量。上海新厂分两期共20万片的增量产能，加上现有产线的持续技术升级，未来两到三年国产设备厂面对的是一个确定性极高的需求窗口。 从更长的时间尺度看，长鑫的扩产不只是一家公司的资本开支计划。它每走通一个工艺节点，整条12英寸国产设备平台就多一次被验证、被复用的机会。刻蚀和CMP已经证明了这条路径，薄膜沉积和清洗正在跟进，量测和涂胶显影是下一个要啃的硬骨头。这个验证循环一旦转起来，国产设备的竞争力会以远超线性的速度积累。

长鑫IPO业绩炸裂：净利预增2244%，半导体设备要起飞了 我看完直接坐直了。 Q1营收508亿，同比+719%。 净利润330亿，同比+1268%。 归母净利润247亿，同比+1688%。 公司给的H1业绩指引，归母净利润500-570亿， 同比增长2244%到2544%。 兄弟们，这不是增长，这tm简直是核爆。 01）为什么业绩这么猛？两个原因。 第一，DRAM价格涨疯了。 全球算力需求爆发，AI服务器对HBM和DDR5的需求直接把产能吃光。 三星、海力士、美光都在控产保价，DRAM价格从2025年下半年开始一路飙升。 长鑫作为国内唯一能量产DRAM的龙头，吃满了这波涨价红利。 第二，国产替代在加速。 国内手机厂商、服务器厂商、甚至车企，都在拼命导入国产存储芯片。 长鑫的产能爬坡+产品结构优化，正好卡在这个时间点上，产销两旺。 说白了，长鑫踩中了"涨价+放量"的双重风口，业绩不炸才怪。 02）来，算笔账。 H1净利指引500-570亿，全年按最保守的拍法，1500亿净利。给白酒估值20倍，就是3万亿市值。 但兄弟们，以我大A的暴躁性格，长鑫这种核心龙头、国产替代独苗、业绩增速2000%+的标的，新股上来先给你干到50倍、80倍都有可能。 参考中芯国际当年上市的气势，长鑫的估值天花板，不是市盈率能框住的。 恐怖如斯。 03）真正拉爆的是半导体设备和材料 但我要说的重点不是长鑫本身。 长鑫IPO真正拉爆的，是半导体设备和材料。 逻辑链很清楚： DRAM国产化加速 → 长鑫扩产 → 国产设备导入 → 国产材料验证 → 订单释放 长鑫的募资投向已经明牌了：存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM技术升级、前瞻技术研发。全是扩产+升级，全是设备和材料的需求。 个股方面，最核心的是这几个：北方华创、中微公司、拓荆科技、华海清科。但市值都比较大，弹性未必最猛。 拿不准个股的兄弟们，直接上ETF： • 561980 招商半导体设备ETF • 159516 国泰半导体设备ETF • 562590 华夏半导体设备ETF • 159558 易方达半导体设备ETF • 588170 科创半导体ETF 长鑫这份招股书，给我的感觉就两个字：时代。 这不是一家公司的业绩爆发，是整个国产半导体产业链的拐点信号。 DRAM从0到1的突破已经完成了，接下来是从1到10的放量，而放量的背后，是设备和材料的国产化替代。 兄弟们，方向已经明牌了。 长鑫是旗手，设备和材料是主力军。 别纠结估值贵不贵，先想清楚你要不要参与这个时代。 等所有人都看懂了，价格早就飞天了。 最后提醒一句：半导体波动大，心脏不好的别满仓。

整理成一条 Thread，更适合直接发： 很多人现在把 DRAM、HBM、显存、KV Cache 混在一起讲。 但这几个概念其实不是一回事。 简单说： HBM 本质上也是 DRAM。 它不是一种完全不同的存储，而是 DRAM 的一种“高带宽形态”。 DRAM 可以粗略分成： DDR4 / DDR5：普通内存 LPDDR：手机、移动设备内存 HBM：AI GPU 上用的高带宽显存 所以 HBM 属于 DRAM 家族。 但问题在于： 大家都能做 DRAM， 不代表都能做好 HBM。 Samsung、SK hynix、Micron 三家都覆盖 DRAM / LPDDR / HBM。 其中 SK hynix 目前是全球 HBM 龙头，尤其 HBM3 / HBM3E 深度绑定 NVIDIA AI GPU。 所以这轮 AI 行情里，海力士本质上是： AI HBM 核心受益者。 Micron（$MU）也在吃 AI Memory 红利，只是 HBM 节奏相比海力士略慢。 再看长鑫。 长鑫现在公开主线还是 DDR4 / DDR5 / LPDDR，也就是普通 DRAM。 所以不能简单写成： “长鑫 = HBM 核心玩家”。 这个说法不严谨。 更准确的表述应该是： 长鑫受益于 AI 带来的整体 DRAM 周期回暖，以及服务器内存需求提升。 至于 KV Cache 到底吃 HBM 还是 DRAM？ 答案是： 训练阶段主要吃 HBM。 因为训练在 GPU 内部进行，需要超高带宽、低延迟和大规模并行，KV Cache 主要放在 GPU HBM 里。 但推理阶段开始变复杂。 长上下文、Agent、多轮对话、大规模 Serving，会让 KV Cache 变得越来越大。 当 GPU HBM 不够时，系统就会开始往 CPU DRAM、Host Memory、分层缓存去扩展。 所以 AI 推理时代，Server DRAM 的重要性正在提升。 这也是为什么很多人开始重新关注 DRAM。 更准确的投资线索不是： “长鑫 = HBM 龙头”。 而是： AI 训练拉动 HBM， AI 推理拉动 HBM + Server DRAM + 分层 Memory。 所以把“HBM 相关产业链”改成“AI 存储产业链”，会更准确。 长鑫的核心逻辑目前还是： DRAM 周期 + AI Server + 国产替代。 不是 HBM 龙头。 #DRAM# #HBM# #AI# #长鑫科技# #半导体# #存储芯片#