【MS看到SNDK 2028年400块EPS!!】Sandisk管理层在欧洲路演中表示,公司未来毛利率的底部大约在80%左右。当前约有三分之一的NAND产能已经通过长期供应协议(LTA)分配给超大规模云厂商(Hyperscaler)。这些协议通常伴随着客户预付保证金,而保证金存放在银行托管账户中,因此即使未来市场出现下行,公司也不需要通过诉讼等方式向客户追讨违约责任。
管理层认为,当企业能够维持80%左右的毛利率时,即使为了维护行业供需平衡而主动减产,并承担一定的闲置产能费用(Under-utilization Charge),对整体盈利能力的影响也相对有限。
关于中国竞争的问题,Sandisk认为长江存储(YMTC)的影响已经被市场充分纳入预期,分析师和投资者的模型中普遍已经考虑了YMTC的产能和竞争因素。与此同时,由于部分中国客户自身仍面临供应不足的问题,目前反而有一些中国客户正在向Sandisk采购产品。管理层同时指出,中国企业能否持续获得先进存储技术,仍然受到出口管制政策的影响。
在新技术方面,Sandisk重点介绍了HBF NAND(High Bandwidth Flash)。管理层强调,HBF NAND并不是DRAM或HBM的替代品,而是传统NAND的一种高带宽升级版本。其目标是在保持NAND大容量和低成本优势的同时,大幅提高数据传输带宽和访问性能。除了AI服务器之外,未来也有机会应用于PC、手机等终端设备。
Sandisk目前正在与SK海力士合作开发相关接口标准,预计今年下半年开始向客户提供样品,并测试其在各类终端设备中的实际表现。如果验证顺利,未来几年有望逐步实现商业化落地。
在估值方面,MS目前按照Sandisk明年盈利给予约10倍市盈率估值。虽然这一估值高于美光(MU),但MS认为这是合理的,因为Sandisk的业务资本开支强度低于DRAM行业,自由现金流能力更强,因此应当获得更高的估值倍数。
在其模型中,MS甚至采用了85%的长期毛利率假设。基于AI基础设施建设持续扩张、NAND供给维持紧张以及盈利能力不断提升的预期,MS认为Sandisk到2028年eps有机会达到300至400美元区间,相较当前水平仍存在翻倍空间
这个400Eps算是华尔街最乐观的预期了吧!
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🧩HBMの壁は段数から、GPUと話す数ミリ角の温度へ移った | SamsungもSK hynixも次に足すのは冷やす構造だ 005930.KS 000660.KS
8月23日にStanfordで開幕したHot Chips 2026は、初日をチュートリアルに充てている。その一枠がメモリで、Micron、Samsung、SK hynixが順に登壇した。SamsungとSK hynixが次の世代に足すと説明したのは、容量でも帯域でもない。同じ数ミリ角を冷やすためだけの構造だった。
その数ミリ角をダイ間PHYと呼ぶ。HBMの一番下に敷くベースダイの上にあり、積み上げたDRAMとGPUの間で信号をやり取りする回路のことだ。標準的なHBMではこのPHYがベースダイの中で最大のブロックになる、とSamsungは説明した。
Samsungが示した設計は、そこを縮める。従来のHBM PHYを先端ロジックで作るダイ間インターフェースへ置き換えると、面積が縮み、信号の通り道が短くなり、1ビットあたりのエネルギーが下がる。空いたシリコンはGPU側の面積へ回せる。メモリを売る会社が、計算する側の陣地を広げる提案をしている。
代償は同じ資料に書いてある。通り道を短くすればエネルギーは下がるが、小さくなったPHYへ同じ電力を詰めれば電力密度が上がり、そこがホットスポットになる。SamsungはsHBM4EからsHBM5へ向かう区間でI/O速度がおよそ倍になり、電力密度が0.5W/mm²から2.0W/mm²超へ上がる数字を置いた。面積を稼ぐ動きが、自分で熱を作っている。
その熱を運び出すのがHeat Path Blockだ。ベースダイのダイ間PHYに専用の熱の通り道を作る構造で、PHYの被覆率を5割超まで上げるとピーク温度が35%超下がるという。Samsungはこれを現在HBM4Eで検証しており、採用はHBM5世代からと置いている。
SK hynixが同じ日に説明したi-HBMも、置く場所は同じだ。熱が最も集中するダイ間PHYの領域へ、電気を通さず熱をよく通すシリコン系の部材を直接埋め込み、コアダイ越しに逃がす従来の経路とは別の放熱路を作る。熱抵抗の低減幅は30%。搭載はHBM5を含む次世代からになる。名前も構造も違うが、狙う一点と入れる世代は同じだ。
段数の議論は、この熱の議論に吸収されつつある。SK hynixのHBM4は48GBで、12段が量産、16段が認定中だ。HBM3Eで16段を組んだとき、同社は同じ高さの枠に2段を足すため、チップの厚みも隙間も接合部の間隔もおおむね半分にした。20段以上へ向かえば熱管理が拘束条件になる、と講演では言い切っている。同じ枠で先に話したMicronは、演算性能が2年で3倍伸びる一方でHBMの帯域は2倍に届かないと示し、その差を埋める作業がいま熱と実装の問題になっていると並べた。
この二社の損益は、いまメモリが決めている。SamsungのQ2連結営業利益は89.5兆ウォン、そのうち89.2兆ウォンが半導体のDS部門から出た。SK hynixは同じ四半期に売上79兆3,187億ウォン、営業利益60兆5,426億ウォンで、営業利益率76%。段数を伸ばせるかどうかは、この数字の続きにそのまま効いてくる。
HBMの優劣は、長いあいだ段数で語られてきた。次の世代でそれを決めるのは、GPUと話す数ミリ角が何度まで耐えるかになる。HBM5の仕様が並ぶとき、容量と帯域の下に熱の構造が載っているかを見ればいい。そこに書ける会社だけが、20段の話を続けられる。
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💡 Samsung Electronics 、NVIDIA のカスタムメモリ「NVHBM」で先行か | HBM4E 8段・17〜18Gbpsを開発中 $NVDA $MU $TSM $AMZN
Samsung Electronics が NVIDIA $NVDA のカスタムHBM「NVHBM」供給で中核パートナーの座を先に押さえた、とソウル経済が8月28日に報じた。
同社は NVIDIA の要求に合わせ、当初準備していた12段・16段ではなくHBM4E(第7世代)の8段品を開発している。提示された動作速度は17〜18Gbpsで、初期HBM4Eサンプルの14.4Gbpsを2割上回る。積層高さを3分の1削り、その分を速度に振り替える構成になる。
NVHBMは NVIDIA が現地時間8月26日、NVLink Fusion の拡張として公開した独自規格である。従来はXPU側の演算ダイに載っていたメモリコントローラをHBMスタック内部へ移す設計で、標準HBM4E比で帯域が最大30%向上、HBM消費電力が最大15%低下、演算ダイ側で使える面積が最大25%増える。JEDEC規格比でPHYと周辺回路の面積は最大67%削減され、インターポーザ配線が簡素化されることでパッケージ全体では最大80%多くのシリコンを実装できるとする。NVIDIA 自身は製造せず、複数のメモリベンダーが供給できる標準実装を整える形を取り、第1号パートナーは Amazon $AMZN 傘下のAnnapurna Labsとなる。次世代Trainiumでの組み合わせが想定されている。
8段への回帰は、これまでのHBM競争の前提を反転させる。HBMは4段から8段、12段へと積み上げて容量を稼いできたが、段数が増えるほどDRAMダイを薄く削って精密に積む必要があり、後工程の難易度と歩留まり負担が跳ね上がる。8段は製造負荷が軽く、同じウェハ投入量からより多くのスタックを取り出せる。
Samsung と SK hynix は今年下期、NVIDIA 向けHBM4でも8段比率を引き上げる計画で、発熱管理と供給安定性が主因とされる。SK hynix のCEOは27日、米インディアナ州の先端パッケージ工場起工式後の会見で、メモリ不足が2030年末まで続くとの見方を示している。8段回帰は、この供給制約下でHBM搭載GPUの絶対数を確保するための現実解と読める。
代わりに NVIDIA は速度を取りにいく。NVHBMは2027年後半投入のRubin Ultra世代からの適用が有力とされ、同世代はスケールアップ領域を従来の72基から最大576基へ8倍に広げる。GPU単体のメモリ容量が減っても、より速いHBMを載せたGPUを数百基束ねて全体演算性能を積み上げる設計思想である。
Samsung のHBM4Eラインアップは8段32GB、16段64GBの構成で、16スタック実装なら8段採用時のパッケージ容量は512GB、当初示された1TBの半分に落ちる。一方、HBM4Eの2048ビット幅(16Gbpsで4.0TB/s)を前提に17〜18Gbpsを当てはめるとスタック帯域は4.4〜4.6TB/sとなり、NVIDIA が掲げる標準HBM4E比30%増とほぼ一致する。容量と帯域のトレードオフを、帯域側へ振り切った判断だ。
Samsung が優位に立つ理由は組織構造にある。NVHBMはDRAMだけでなくロジックベースのベースダイ設計と製造能力を要求する。Samsung はHBM4で1c DRAMと自社Foundry 4nmベースダイを組み合わせ、JEDEC標準8Gbpsを約46%上回る11.7Gbps(最大13Gbps)を安定確保した。対してSK hynix はHBM4E向けロジックダイにTSMC $TSM の3nm採用を検討し、Samsung は自社4nmで対応する構図にあり、Micron $MU も標準・カスタム双方のHBM4Eロジックダイ製造をTSMCに委ねている。高積層ではなく速度と開発回転数で勝負が決まる局面では、この一貫体制が効く。
最大の未確定要素は初適用世代である。NVIDIA 自身の発表はNVHBMを将来のGPUのメモリ基盤とするに留め、時期を明示していない。海外メディアの一部は2028年のFeynman世代を初適用先と見る一方、韓国側の報道はRubin Ultraを指す。
より本質的なのは主導権の移動である。ベースダイに載るコントローラが NVIDIA 設計になるということは、HBMの付加価値の一部が製造側から設計側へ移ることを意味する。Micron 経営陣は既に、設計と認証にかかる時間とコストを踏まえれば顧客が3社すべてと組むとは限らず、2社あるいは単独調達へ収斂し得ると指摘している。標準品の汎用化と特注品の囲い込みが同時に進み、供給者の交渉力は案件ごとに大きく振れる。
需要側の温度は依然高い。NVIDIA の2027年度第2四半期(7月26日締め)は売上高962億ドルで前年同期比106%増、データセンター部門は890億ドルで同117%増、第3四半期ガイダンスは1,058〜1,101億ドル、上位5社のハイパースケーラー設備投資は2026年の8,000億ドルから来年1兆3,000億ドルへ拡大する見通しが示された。この需要を前に、メモリ供給の物理的制約をどう回避するかという設計解がNVHBMであり、8段回帰である。積層数を競う段階から、速度と実装数を競う段階へ。AIメモリの評価軸が入れ替わる過程を注視したい。
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日経平均が一日で1954円も沈んだ。昨日までAIは世界を変えると半導体株を抱きしめていた人々が、今日は供給過剰が来ると投げ売っている。世界の未来が、一晩で変わったわけではない。変わったのは、人間の想像力の向きである。引き金となったのは、中国のDRAM最大手、長鑫存儲技術、CXMTの大型上場であった。同社は2025年に世界シェア7.7%まで伸び、7月27日の上海上場で巨額の資金を調達し、生産能力と技術開発を拡大するという。現時点では高性能なHBMなどで韓国、米国勢に後れを取るものの、国家的支援と巨大な国内需要を背負っている。
ここで大切なのは、中国企業が明日すぐ世界一になるかではない。
半導体メモリーとは、技術だけでなく「誰がどこまで赤字に耐えて増産できるか」という、巨大な我慢比べでもある。
新たな資金を得た競争相手が工場を増やせば、需要が伸びても価格は下がり、既存企業の利益率が削られるかもしれない。
市場が恐れているのは、AIの終わりではない。AIが普及しても、いまの高収益が続くとは限らないという未来である。
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【エンタープライズSSDベンダ売上高トップ5】
TrendForceによると、NANDサプライヤは、利益の向上を図るためエンタープライズSSD製品の拡販を進めており、出荷量の増加と契約価格の上昇を背景に、エンタープライズSSDブランドの売上高トップ5の合計金額は2026年第2四半期に前四半期比103.6%の375億9000万ドルに達した。
1位 Samsung:143億5000万ドル
176層QLC製品の出荷量が大幅に伸びたのと同時に、出荷構成におけるハイエンドPCIe 5.0製品の割合も増加した
2位 SK hynix:86億3000万ドル
321層TLC製品の出荷を拡大させたほか、子会社のSolidigmが大容量QLCエンタープライズSSDを出荷したことを後押しに強い成長
3位 Micron:69億8000万ドル
トップ5社中でもっとも高い成長率126.3%増を達成。
生産能力の大部分をエンタープライズSSDとHBMに集中させており、232層QLCベースの大容量製品の出荷量が増加したことに加え、PCIe 6.0エンタープライズSSDの開発と認証においても主導的な役割を果たしている
4位 キオクシア:46億4300万ドル
218層ベース製品の生産拡大と、サーバブランドにおける調達シェアの増加によるもの
5位 Sandisk:29億8000万ドル
大容量QLCエンタープライズSSDの量産拡大に伴う出荷量の増加を背景に売り上げを伸ばした
出典:TECH+
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💡HBFを積んだGPU1枚が、HBM8枚ぶんのモデルを丸ごと抱えられる | 同じ金額と電力で並べ直すと帯域は6割弱だ $SNDK
HBFを積んだGPUが1枚、同じく4枚、そしてHBMを積んだGPUが8枚。SanDiskが8月13日の投資家説明会で見せた比較図には、この3つが並んでいる。1枚対8枚は同じモデルを走らせるのに要る最小構成の差で、会社はこれを設備投資効率8倍と呼んだ。4枚が8枚に並ぶのはトークンの出力量のほうで、こちらはGPU効率2倍。どちらも社内試験の数字で、グラフにトークン毎秒の目盛りは入っていない。
Hot Chips 2026で、同じ技術に別の問いを立てた数字が出た。
出したのはOxmiq Labs。Intelのチーフアーキテクトを務めたRaja Koduriが作った会社で、売っているのはライセンス提供のチップアーキテクチャとソフトウェアであって、メモリではない。
問いはこうだ。同じ金額と同じ電力を使うなら、トークンはどちらが安く出せるか。
条件はGPU 72枚のラック1本、1兆パラメータのKimi-K2をFP4で走らせ、入力100万トークン・出力1,000トークンのデコード中心。HBMだけで組むと容量20.7TB、帯域の合計1,584TB/s。同じ金額と電力でHBFに置き換えると、容量は294.9TBへ約14倍に増え、帯域合計は922TB/sへ6割弱に下がる。混ぜると89.3TBで、帯域は条件次第で279〜1,418TB/sに散る。
容量が枚数を決めているうちは、HBFの側が勝つ。HBFなら1枚でKimi-K2を丸ごと抱えられるので、ラック1本に72インスタンスが入る。HBMだと1インスタンスに8枚要るから9インスタンスで止まり、束ねた8枚の演算は容量のために遊ぶ。ここまではSanDiskの図と同じ向きだ。
向きが変わるのは、同時に使う人と1秒あたりの生成量が増えたときだ。帯域が律速になった時点から、トークン1個あたりの原価はHBMの側が下になる、というのがOxmiqの試算である。安くなるのは1ギガバイトの値段であって、1トークンの値段ではない。
Oxmiqの結論は一行に収まっている。ラックにはHBM、箱にはHBF。
SanDiskは投資家説明会で3つの置き方を並べていた。HBMを補う、HBMの枠をそのまま置き換える、そして切り離してデコードの重みとKVキャッシュを持たせ、小さいHBMをキャッシュに使う。Oxmiqが残したのは3つ目に近い。HBFが引き取るのはホスト側のDRAMが持っていた分で、そこへ回すのはMoEのエキスパートとKVキャッシュだ。Oxmiqが例に挙げたKimi-K3は、重み1.56TBのうち1.45TB、93%がエキスパートの重みで、トークンごとに呼ばれるのはその一部にすぎない。
置き分けはソフトウェアの仕事になる。最大の帯域を出すには64KB単位で読み、1MB単位で書く。データはDMAで動かすので、CPUやGPUのキャッシュ階層を通らない。どの重みをHBMに残しどれをHBFへ回すかも、書き換え寿命の残りも、ホスト側が管理する。Chips and Cheeseはこれを、ホストのソフトウェアがSSDコントローラの仕事を引き受けることだと書いた。vLLMには専用の実装が要る。
その実装を出すのは、仕様を書いた2社ではない。HBMとHBFの間でデータを動かす仕組みはドライバとランタイムの層にあり、そこを持っているのはNVIDIAとAMDだ。Oxmiqの見立てでは利点が一部の用途に限られるので、メモリ階層をもう一段抱える手間を負ってまで全面的に支える理由は、両社の側に強くない。
SanDiskの直近四半期(7月3日締め)の売上は89億6,500万ドル、研究開発費は3億4,800万ドルだった。HBFが生んだ売上はまだ1ドルもない。8月13日に見せたのはダイのテープアウトで、推論製品のサンプルは2027年に置いてある。1年前の同社は、最初のHBFサンプルを2026年後半、HBFを使う推論機器を2027年前半と言っていた。
仕様を書いたもう一方はSK hynixで、こちらはHBMも売っている。ラックにHBMが残る限り、SK hynixはそこでも売る側に立つ。SanDiskはHBMを売っていない。
だから2027年のサンプルより手前に、見えるものがある。vLLMにHBF用の割り当てと配置が入るか。NVIDIAとAMDが、HBMとHBFの間のデータ移動をドライバで出すか。歩留まりも積層も耐久性の認定もSanDiskの側に残っているが、この2つが動かない限り、そこを越えても採用は広がらない。
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⚙️NVIDIAがHBM4の主力を12段から8段へ替えてほしいと頼んだ | 歩留まりが落ちるのはDRAMでなく積む工程だ 000660.KS 005930.KS
NVIDIAが韓国の2社へ出したのは、増やしてくれという依頼ではなかった。
ZDNet Koreaが8月26日に伝えたところでは、SamsungとSK hynixは今年下半期、NVIDIA向けHBM4の出荷で8段品の比率を引き上げる。両社はここまで、次世代AIアクセラレータVera Rubin向けに12段品を供給してきた。量産出荷の開始はSamsungが1〜3月期、SK hynixが4〜6月期とみられている。すでに走っている供給への、途中変更だ。
> 最近NVIDIAから、HBM4の主力供給製品を12段から8段へ変更してほしいという要請があった。それに合わせて下半期の供給計画が修正されたと理解している
> (メモリ半導体業界関係者)
段数はそのまま容量になる。HBMはDRAMを縦に積んだメモリで、12段は12枚重ねたという意味だ。Vera Rubinは1基あたりHBM4を288GB載せる。8つのスタックに分けるので1つが36GB、それが12段の姿だ。同じ8スタックを8段で組めば24GBずつ、合計は192GBに下がる。
ただし動いているのは比率で、8段が何割まで来るかはまだ決まっていない。もう一人の関係者は、8段への需要はもともと一部あったが下半期に増え、関連する素材・部品の発注にも影響が出た、と話している。
減らすほうへ動いた理由は、同紙の中で2つに分かれている。
一つは熱だ。HBM4はデータの通り道である入出力端子を前の世代の2倍、2,048本へ増やした。増えた分の発熱は個別のチップに留まらず、サーバーラック全体に乗る。
熱を逃がす構造そのものは用意されている。8月23日のHot Chips 2026に登壇したSK hynix Americaのパッケージ技術担当VP、Jaesik Leeは、5月に自社が公開した熱ブロックを詳しく説明したうえで、この構造はすでに設計に入ったHBM世代へは適用できないと断った。HBM4はもう設計を終えている。この熱ブロックで解く道は、この世代には残っていない。
もう一つが歩留まりで、今回の芯はこちらにある。
HBMはいま極度の供給難にある。そのうえHBM4は、性能と集積度を上げたぶん歩留まりを取りにくい。同紙が書いているのは、その落ち方の場所だ。HBMの中身であるDRAMコアダイの歩留まりは比較的速く引き上げられる。落ちるのは、それを12枚積み、接合し、パッケージする工程のほうだという。
良品が減っているのは、DRAMを作る工程ではない。積む工程だ。
積む工程がいちばん狭い場所なら、そこを通す数を増やす一番速い手段は、新しい棟でも新しい装置でもない。積む回数を減らすことだ。増えるのは通るスタックの数で、1本に載る容量のほうは減る。
段数を変えてほしいと言われた製品の重さも、数字で出ている。Samsungでメモリのグローバル営業・マーケティングを統括するJaejune Kimは、7月30日の決算説明会で、下半期はHBM売上に占めるHBM4の比率が60%をかなり上回ると述べた。下半期のHBM売上の主力が、今回の変更の対象にあたる。
いまVera Rubin向けに12段のHBM4を量産供給しているのが SK hynix 000660.KS と Samsung 005930.KS で、同紙が計画を伝えているのもこの2社に限られる。
業界側の受け止めは、それでも冷静だ。
> NVIDIAは最新のAIプラットフォームを設計するうえで発熱管理を最も重視している。個別チップのスペックを下方調整するというより、システム全体で最適な組み合わせを探す過程であり、市場全体の需要に大きな変動を起こすものではない
> (半導体業界関係者)
同じ変更は、次の世代へもう入り始めている。HBM4の後継のHBM4Eも、当初の12段ではなく8段中心の出荷になる公算が高いという。HBM4EはNVIDIAのRubin Ultra向けの製品だ。
> 12段と16段のHBM4Eサンプルも議論されてはいるが、いまの顧客との議論を見ると、来年供給されるHBM4Eは8段が主力になる可能性が高い。ただしRubin UltraがHBM4EとHBM4のどちらを使うのかといった論点が残っており、業界全体の不確実性は高い
> (メモリ半導体業界の高位関係者)
見るべきは来年のHBM4Eの段数だ。8段で出てくれば、段数は積み上がっていくものだという前提が2世代続けて止まる。12段や16段で出てくれば、止まったのはHBM4の1世代だけということになる。
そのどちらになるかを決めているのが、いまのところJEDECの規格書ではなく客の発注書のほうだ、という点は覚えておいていい。
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💡Marvell $MRVL 、Google と累計1200億ドル規模のカスタムシリコン契約 | 5897万株の新株予約権を発行 $AVGO $GOOGL
Marvell Technology $MRVL は8月19日、SEC に提出した Form 8-K で Google とのカスタムシリコン協業を大幅に拡大したと開示した。対価として Marvell は Google に対し、行使価格206.58ドルで最大58,970,907株を取得できる新株予約権(ワラント)を発行する。全量行使時の行使総額はおよそ122億ドルに達する。
契約の本質は、権利確定(ベスティング)の設計にある。1,360,867株は初年度に時間経過で確定するが、残る57,610,040株は240の均等トランシェに分割され、対象カスタム製品売上5億ドルごとに1トランシェが確定する。240×5億ドルで、全量確定には累計1200億ドルの調達が必要になる。対象期間は Marvell の FY2027 第3四半期から FY2033 末までで、予約権の失効日は2033年8月18日。つまり1200億ドルは支出コミットメントではなく、あくまでベスティングの閾値である。協業範囲は TPU エコシステムに attach する領域と定義され、AI 推論アクセラレータ、ストレージコントローラ、ネットワークインターフェースコントローラ、メモリインターフェースコントローラ、ニアメモリコンピュートが含まれる。TPU 本体の設計を置き換える契約ではない。
市場の反応は対照的だった。Marvell 株が10%近く上昇する一方、Broadcom 株は約5%下落した。Broadcom $AVGO の8月18日終値は380ドルで、年初来の上昇率は10%程度と半導体セクターの中では明確に出遅れている。
BofA(Vivek Arya チーム)は今回の契約を Broadcom にとって中立と評価する。根拠は既存の長期契約(LTA)だ。Broadcom は2026年4月、次世代 TPU の開発供給と次世代 AI ラック向けコンポーネントを2031年まで対象とする長期契約を Google と締結している。JPMorgan によれば同契約は v11 までの4世代をカバーし、2031年まで TPU 売上を毎年積み増すコミットメントを含む。TPU のコア設計そのものは CY31 まで確保されているという整理になる。
BofA の TAM 試算はこうだ。
Google のサーバー/ハードウェア向け設備投資は今後5年で1.5兆から2.0兆ドル超、TPU システムの TAM は CY27-31 累計で4000億から6000億ドル超。この配分について、Broadcom は55-60%超(2500億から3500億ドル超)を維持するとみる。メインのプロセッサダイ上の高付加価値コンテンツ、先端パッケージング、HBM 統合、SerDes、ネットワーキングを押さえているためだ。Marvell は XPU-attach プログラムを通じて10-20%(500億から1000億ドル超)、MediaTek はコスト最適化バリアントで20-30%(1000億から1500億ドル)を取りにいく構図となる。MediaTek は Google 内製チームと Zebrafish(TPU v8t、3nm)で協業しているが、Broadcom には18カ月のリードがあるとされる。
レーティングは両社とも据え置きだ。
Broadcom $AVGO は買い継続、目標株価530ドル(CY27予想 PER の30倍、SBC 込み)。FQ3 決算は9月2日の引け後に予定され、売上高約294億ドル、AI 半導体売上高は前年同期比200%超増がガイダンスとして示されている。顧客はAnthropic、Google、Meta、OpenAI を含む6社体制で、CY27 開始の Meta および OpenAI からの新規ランプアップが短期需要を下支えする。
Marvell $MRVL はトップコネクティビティピックとして維持、目標株価365ドル(CY30予想プロフォーマ EPS 15.04ドルの31倍を2年分割り引いた水準、過去中央値26倍をやや上回る)。XPU-attach の新規受注は収益可視性を高める一方、競争激化がマルチプルへのリスクとして残る。
直近の検証ポイントは2つ。Marvell の FQ2 決算が8月27日、Broadcom の FQ3 が9月2日である。Marvell 側では Google 案件の規模とタイミング、Broadcom 側では TPU の世代交代に伴う単価とコンテンツ構成が問われる。
構造的には、Google が単一供給から複数供給へ移行したこと自体は既定路線であり、争点は「誰が外れるか」ではなく「システム1台あたりの価値をどう分けるか」に移った。
Broadcom にとっての実質的なリスクはGoogle の喪失ではなく、シェアの逓減とマルチプルの剥落である。実際、8月14日の下落は AMD 要因ではなく、BofA のクレジット部門が Broadcom の発行体格付を Overweight から Marketweight へ引き下げ、AI チップ向けオフバランス調達の規模を3700億ドルと試算したことが引き金だった。エクイティ側の強気とクレジット側の慎重論が併存している点は、今の $AVGO を見る上で外せない。
調達額に株式を紐づける構造は、NVIDIA と OpenAI、AMD と OpenAI に続く流れであり、循環取引的な性格からバリュエーション膨張への懸念も指摘されている。Marvell 側には最大6.3%の希薄化が伴う。1200億ドルという数字を売上確約と読み違えないことが重要となる。
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💡工場のために集めた40兆ウォンの6週間後、SK hynixは同じ40兆ウォンを自社株へ向けた | 消す株数は売った株の1.35倍だ 000660.KS $SKHY
六週間前に新株を売った会社が、いま自社株を買い戻している。しかも集めた額とほぼ同じ金額で、売った株数より多い株数を消す。
決めたのは8月19日のSK hynix 000660.KS の取締役会だ。取得額はおよそ40兆ウォン、株数にして上限2,407万株、発行済株式のおよそ3.3%にあたる。8月20日から11月19日までの三か月で買い付け、全株を消却する。
売ったほうは7月10日だった。SK hynixは米国でADSを1株149ドルで売り出している。普通株1,779万株分にあたり、調達額は265億700万ドル、ウォンにして40兆230億ウォン。外国企業による米国上場としては過去最大で、需要は売り出し株数の7倍を超えた。Reutersは同じ日、この資金がAIチップ需要の急増に応える新工場と装置を賄うものだと伝えている。
1株あたりに直すと、売りは約225万ウォン。買いのほうは割り戻すまでもない。40兆ウォンを2,407万株で割ると166万2,000ウォンで、これは決議前日、8月18日のソウルの終値そのものだ。26%安い値段で、35%多い株数を消す(売値と倍率は公表額を株数で割った筆者の計算)。
差を作ったのは株価だ。7月10日のソウルの終値は218万ウォン、決議日の8月19日は150万ウォンで、31%下げていた。会社は発表文に、事業競争力と現金創出力に裏づけられた本源的価値が現在の株価に十分反映されていない、と書いた。
なぜ工場ではなく株なのか。
4〜6月期の売上高は79兆3,187億ウォン、営業利益は60兆5,426億ウォンで、営業利益率は76.3%だった。同じ四半期に設備へ入れた金は10兆6,710億ウォン、営業利益の17.6%にとどまる。2023年のこの会社は、7兆7,303億ウォンの営業赤字を出しながら、8兆3,251億ウォンを設備に入れていた。
金額としては増えている。上期の設備投資18兆5,364億ウォンは、2025年通年の28兆5,793億ウォンを上回るペースだ。落ちたのは売上高に対する割合のほうで、2025年の29.4%から上期は14.1%になった。
分母だけが走ったからだ。売上を押し上げているのは数量ではなく単価で、単価は四半期のうちに何倍にもなる。ウェハーはならない。装置の納期もクリーンルームの工期も、値段では縮まない。
SK Groupの崔泰源会長が7月の記者ブリーフィングで数字を挙げている。顧客が2027年に求めるAIメモリは、今年より60〜100%多い。供給側については一行で済ませた。来年、意味のある新規能力を立ち上げる会社は一社もない。
手を抜いているわけではない。2月25日には龍仁クラスター第1工場へ21兆6,000億ウォンの追加投入を発表した。最初のクリーンルームは5月から2027年2月へ前倒しになっている。清州のM15XはHBM専用のDRAM拠点へ転換中だ。それでも、入ってくる現金の速さには追いつかない。
40兆ウォンは、その追いつかなかった分の形をしている。上期の設備投資の2.2倍、6月末の純現金69兆ウォンの58%が、三か月で株式の消却へ回る。還元方針の文言も変わった。2025〜2027年の目標は累積フリーキャッシュフローの「50%以内」から「50%超」へ。上限だった数字が下限になっている。
2,407万株は前日の終値で割った数字だから、株価が動けば消える株数も動く。8月21日の終値173万ウォンが三か月続けば、同じ40兆ウォンで消せるのは2,312万株だ。株価が戻るほど、消える株は減る。
発表翌日の8月20日は12.7%高の169万1,000ウォン、21日は173万ウォンで引けた。二日で15%戻した計算になる。ただし値段が受け取ったのは消却の規模までだ。設備投資の割合が戻るかどうかは、まだ入っていない。
同じことはSamsungでも起きている。それでも今回SK hynixを見る理由がある。Counterpoint Researchの集計で、2026年1〜3月のHBM売上シェアは58%。その首位が、還元の中身だけを7月まで空白にしていた。
見るべきは自社株買いそのものではない。設備投資が売上に占める割合が、いつ29%台へ戻るかだ。
戻らないうちは、崔会長の言う供給不足は会社自身の帳簿で裏づけられ続ける。40兆ウォンはその領収書になる。
上期の14.1%を大きく上回る2027年の投資計画が出るとする。それでも消却が続くなら、話は物理的な限界ではなく株価の安さだった。逆に14%台のまま張り付くなら、増えた現金は工場へ向かっていない。品薄がいつ緩むかを需要側の予測から読もうとしても、そこに答えは無い。決めるのは、この会社が金を工場へ変える速さのほうだ。
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