长鑫存储的材料与耗材供应链全景 昨天讲了长鑫的设备供应链，今天讲另一半的材料和耗材。这一块的国产化进度比设备端要快一截，但内部分化也更剧烈。长鑫2024年LPDDR系列占主营收入82.74%，材料消耗结构跟Mobile和AI需求节奏强相关。招股书披露2024年六大类原材料采购合计约114.7亿元（主要原材料采购金额121.9亿元），2025年上半年61.45亿元。六大品类结构是化学品37.29%、备件及其他约34.69%、光阻剂12.16%、硅片8.55%、气体5.10%、靶材2.21%。化学品从2022年的27.49%一路升到37.29%，已经超过备件成为第一大头，既来自DDR5迭代后湿法和ALD消耗量放大，也来自产能建设期备件采购前置完成后的镜像效应。按2026年Q1的业绩以及历史数据推测，全年材料采购规模冲到270亿以上是大概率。 一个品类一个品类看。 化学品占了近38%，是国产替代弹性最大的一格。湿电子化学品方面，晶瑞电材向长鑫供应高纯双氧水、硫酸、氨水、异丙醇、盐酸、硝酸、NMP等全品类，年出货量数千吨，核心产品已全面实现国产替代（晶瑞同时也是国内i线光刻胶龙头，见光阻剂段）。格林达是国内半导体显影液隐形冠军，国内唯一实现SEMI G5级TMAH显影液量产，已供应长鑫。江化微是国内湿电子化学品龙头，江阴本部产能9万吨/年，三大基地全部建成后总产能将超30万吨。CMP抛光液方面安集科技是绝对龙头，2024年抛光液营收15.5亿元，国内市占率约70%、全球约10-11%。CMP抛光垫方面鼎龙股份国内市占率超70%，在长江存储供应链中占主导地位，与长存共建联合实验室开展抛光垫底层技术攻关，CMP抛光垫2025年收入10.91亿元同比增长52.34%。ALD/CVD前驱体方面，雅克科技是国产龙头，已进合肥长鑫和长江存储。据产业链消息，安德科铭也值得关注，长鑫科技全资持股的长鑫芯聚2025年10月入股了这家公司，同时它本身就是长鑫的重要材料供应商，2024年自研High-K前驱体批量供货，2025年铜陵基地营收2.39亿元，形成210吨/年高纯前驱体产能，7款产品转量产。产业资本反向绑定材料厂的玩法在前道材料里很罕见，意味着高k前驱体已经被长鑫定性为战略环节亲自拉国产替代。化学品单价指数从2022年的100跌到2025上半年的77.90，过去三年累计跌22%。景气回升直接传导的是采购量而非单价，单价反弹要看上游化工大宗品走势，但量价叠加后化学品这一格的总采购额弹性最大。 备件及其他占近35%，是设备零部件耗材，包括反应腔体、石英件、密封圈、靶材辅件、传输部件等。单价跟着半导体大宗品价格剧烈波动，2024年单价指数升到156.53涨了56%，2025上半年骤降到97.29已经低于2022年水平。国产标的集中在石英件和密封件，菲利华是石英玻璃龙头，半导体级石英玻璃已用于多家头部晶圆厂。新莱应材在密封件和洁净管路国产替代上走得比较深。备件供应商集中度最高，2024年前五大供应商里有三家是备件供应商，合计占比超过19%。 光阻剂占12.16%，是材料端分层最严重的一格。i线光刻胶用于非关键层，晶瑞电材多年国内市占率第一，已批量供货长鑫，国产化率约10%。KrF已经跑通，晶瑞电材批量供合肥长鑫和中芯国际，彤程新材旗下科华微电子是国内唯一为本土8寸和12寸晶圆厂批量供应KrF的企业，上海新阳的KrF也实现批量销售。ArF还在爬坡，南大光电现有ArF光刻胶产能50吨/年，28纳米ArF已小批量供货（2025年销售额突破2千万元），14纳米浸没式良率达99.7%。市场流传的宁波500吨/年扩产项目公司称未实施，需谨慎对待。彤程新材的ArF/ArFi已开始批量供货。鼎龙股份的浸没式ArF获得了客户订单。上海新阳的ArF浸没式光刻胶也已取得销售订单。ArF国产化率从接近零开始破冰，已有少量供货，但离摆脱日本依赖还远。2025年日本对华光刻胶供应配额削减10-15%，年底部分日企暂停供货，倒逼效应明显。光刻胶的天花板跟光刻机一样硬，没有先进光刻机进入国内，先进光刻胶就没有真实的量产验证机会。国产ArF再好，也只能在长鑫这种被限制在DUV阶段的产线上跑。EUV光刻胶目前为零，上海新阳在开发但离量产很远。 硅片占比8.55%，是六大类里2025年下半年加仓最明显的一项。2025上半年占比一度跌到6.27%，全年回升到8.55%，反映下半年长鑫主动加大硅片备货，对应DRAM价格快速上涨之后产能爬坡和战略备库存的双重逻辑。国内主供是沪硅产业，2025年300mm硅片销量641.63万片，存储是其主要应用领域之一。立昂微12英寸硅片覆盖14纳米以上节点存储电路，进入部分存储客户供应链。海外端长鑫还在依赖信越、SUMCO、环球晶圆、Siltronic。对比长江存储已经大幅减少SUMCO采购转向国产，长鑫硅片国产化方向是定的，但完整切换还需要两到三年。 气体这一格要单独看。招股书披露的"气体"采购占5.10%，但有明确注释"气体不含大宗气体耗用"。也就是说5.10%只是工艺特气和电子特气，氮氢氧氩等大宗气体走的是另一条单独的供应通道。这条通道的国产化反而走得最彻底。广钢气体是长鑫最大的电子大宗气体供应商，双方签了15年长期供气协议，覆盖合肥和北京两座基地，2025上半年广钢在长鑫的采购占比40%到45%。15年长协在半导体材料端非常罕见，本身就是国产化已经走通的强信号。工艺特气这边，华特气体的光刻气国内市占率60%，全球四家通过ASML和Gigaphoton双重认证的企业之一。中船特气是国内电子特气第一、全球第九，2002年就突破了三氟化氮的国外垄断。金宏气体补充中端品类。气体单价指数从100跌到62.29，跌幅38%。单价跟上游工业气体成本走，但采购量跟着长鑫投片量走，量的弹性确定性最高。 靶材只占2.21%，但国产替代故事最完整。江丰电子覆盖铝、钛、钽、铜、钨全系列，钽/钛/铝靶已实现5纳米节点量产，部分产品进入3纳米工艺验证。有研新材旗下有研亿金是央企背景的第二供应商，稀土靶材全球市占超85%。这个环节国产化率已经在60%以上，对长鑫扩产的弹性主要体现在订单放量而不是国产突破。 掩模版是跟ArF光刻胶并列的另一个薄弱点。先进节点一套掩模版成本数百万美元，长鑫用的高端掩模版大概率仍由美国Photronics和日本Toppan、DNP供应，国产化率极低。 封测基本实现国产化。深科技旗下沛顿科技是长鑫最大的委外封测供应商，承接其超50%的封测需求，处理17纳米及以下先进制程。长电科技提供DRAM模组封装，通富微电配合开发HBM芯片样品。盛合晶微、华天科技也有布局。 HBM封装材料是新增量。招股书披露的原材料结构主要对应前道晶圆制造，HBM后段封装材料是2026到2027年才放量的新故事，对应长鑫上海HBM后段封装厂2026年底投产。华海诚科的颗粒状环氧塑封料（GMC）已通过客户验证处于送样阶段，芯片级底填胶已完成验证正在量产准备。联瑞新材配套供应HBM封装用GMC所需的球硅和Low α球铝。弹性最大但兑现要等长鑫上海后段厂投产。 招股书提及4F²等新型工艺架构是未来方向，业内公认对应VCAT垂直沟道访问晶体管路径。这意味着2027年以后的G6、G7工艺会带来新的材料需求，垂直沟道和堆叠结构对ALD前驱体、高深宽比刻蚀气体的依赖会进一步加深，雅克科技、安德科铭、华特气体这类公司的长期成长性会被进一步打开。 整体看材料端国产化进度领先设备端一个身位，但各品类差异很大。电子大宗气体（广钢主导超50%）、CMP抛光垫（鼎龙国内超70%）、靶材（江丰国内12寸超70%）已在50%以上。湿电子化学品和工艺特气在30-50%区间。前驱体尤其高k仍在20-30%。光刻胶和掩模版的国产化跟着光刻机天花板走，要等上游设备突破。HBM封装材料是2026到2027年才开始放量的新增量。基本面上可以满足量产需求，但顶层精细化学品和光刻胶仍依赖进口。 设备一次性资本开支属性强，材料是经常性采购。长鑫Q1单季营收508亿，2026年H1指引1100到1200亿，材料采购盘子冲到2026年270亿以上是大概率。这部分订单不需要等扩产完成，每多开一片晶圆就立刻转化成材料厂的收入。对广钢气体、安集科技、鼎龙股份、雅克科技、华特气体、江丰电子、格林达、晶瑞电材、沪硅产业这一批公司，长鑫扩产的传导比设备厂商更快，也更持续。

行业深研：LSA--2nm的隐形分水岭 在先进制程不断逼近物理极限的过程中，“热”成为最核心的变量之一，一点点温度偏差都容易让良率不可接受。 LSA这种退火设备，在先进节点中，它的意义已经发生变化。 前道制造中，离子注入是不可绕开的步骤。它负责将掺杂原子打入硅中，定义器件电学特性，同时不可避免地破坏晶格结构。 退火的作用，是完成两件事：修复晶格、激活掺杂。传统路径是炉管或快速热退火（RTA），通过整体加热晶圆，让原子在高温下重新排列。但问题在于，这种加热是全局的，时间是秒级甚至更长，掺杂在被激活的同时发生扩散，结变宽、边界变钝。 在28nm、14nm时代，这种扩散仍然可以容忍。但进入7nm以下，尤其是从FinFET向GAA（Gate-All-Around）过渡之后，器件尺寸逼近物理极限，任何额外扩散都会直接侵蚀性能窗口。问题从“需要退火”变成“需要一种不带副作用的退火”。 LSA通过在纳秒到微秒级时间内对晶圆表面进行瞬时加热，温度可以高于传统退火，但因为持续时间极短，热扩散被压制在极浅范围内。随后快速冷却，掺杂被激活、晶格被修复，但位置几乎不发生迁移，从而形成极浅且陡峭的结。这直接对应更低漏电、更高开关速度以及更可控的电场分布。 放在器件结构演进中看：FinFET解决的是平面器件失效后的继续缩放问题；GAA通过四面包裹沟道提升栅控能力，使先进节点仍能前进一段；而未来的CFET（Complementary FET），则是在横向无法继续压缩之后，通过垂直堆叠来延续密度提升。在这一过程中，结构不断演进，但约束条件在收紧，而“热预算”逐渐成为最硬的边界。 GAA的核心变化是channel更薄、间距更小、结构更复杂，任何额外的热扩散都会直接改变器件的几何与电学特性。source/drain掺杂会向channel侵入，短沟道效应迅速恶化；nanosheet之间的间距与应力分布被扰动，电场控制能力下降；接触区域本身极小，轻微扩散就会带来显著电阻变化。在这一结构下，热扩散不再是性能损失，而是结构破坏。 这也是传统退火开始失效的原因。你仍然可以用它激活掺杂，但代价是把设计好的器件“热模糊”。最终得到的是一个可以导电但偏离设计窗口的晶体管。 LSA正好解决的是这个矛盾。它将“温度”和“时间”解耦：允许极高温度，但把作用时间压缩到扩散尚未来得及发生的尺度；同时通过线光束扫描，仅作用于表面区域，避免深层结构受热。 高温、极短时间与局部控制这三个条件，在现有热处理方案中几乎只在LSA上同时成立。因此，在FinFET时代，LSA更多是性能增强工具，而到了GAA，它的角色变成“结构可行性工具”。 随着节点进入3nm、2nm甚至更小，热处理不再是一个可以灵活调整的工艺步骤，而成为限制器件设计空间的核心变量。LSA的重要性也因此被重新定价，从“可选项”逐步向“默认配置”转变。 GAA仍将是未来5到8年的主线，但其边际收益正在递减。随着尺寸进入2nm及以下，问题开始转向材料与物理极限：沟道无法无限变薄，接触电阻快速上升，功耗不再按比例下降。行业的答案是转向三维结构，即CFET，将NMOS与PMOS垂直堆叠，在横向受限后向纵向要密度。 但CFET带来一个新的约束：热。GAA仍是单层结构，高温处理的容忍度较高；而在CFET中，任何一次高温工艺都有可能破坏已经完成的另一层结构。传统RTA这种“整片加热”的方式开始失效，因为其热扩散范围过大，无法实现层间隔离。 这使得LSA未来更加重要，其纳秒级时间尺度和纳米级加热深度，使其能够只处理单一层而不影响上下层器件。这种选择性热处理能力，是CFET工艺成立的基础。 这种变化也在重塑竞争格局。从设备层面看，LSA仍是一个多玩家市场，核心厂商包括Veeco Instruments Inc.、Applied Materials以及SCREEN Holdings。SCREEN依靠装机量与历史验证占据主流，Applied Materials凭借平台能力与客户绑定形成系统优势，而Veeco通过LSA在先进节点关键工艺中实现突破。 但真正的竞争不止于设备。第一层是设备厂之间的直接竞争；第二层是工艺路线竞争，即LSA与RTA等技术的取舍；第三层是系统级竞争，即谁能将设备、材料与工艺整合进完整流程。在GAA阶段，这种竞争更多体现在设备性能与参数能力上；而进入CFET阶段，竞争将转向与晶圆厂的深度协同，护城河从单一设备转向“设备+工艺+材料”的系统能力。 从客户导入情况看，Veeco已经完成最关键的一步，其LSA设备已进入头部先进逻辑厂，并在部分工艺中成为量产标准设备。这意味着技术已经通过最严格验证，并具备随产能扩张放量的潜力。但这种导入目前仍集中在局部工艺，而非全面主导。在存储领域，包括DRAM与HBM，LSA仍处于评估阶段，尚未进入大规模量产。 因此，LSA的竞争本质上是，谁能在温度控制、扫描均匀性、应力管理等细节上做得更好，谁就更有机会进入先进节点的标准工艺路径。 总的来说，从FinFET、GAA最后到CFET的演变中，LSA完成了从性能优化工具到结构实现基础的转变。下一阶段真正的瓶颈，不只是结构或对准精度，而是在多层堆叠前提下，是否能够完成掺杂激活与缺陷修复，同时不破坏其他层结构。这将决定先进制程的上限，也决定价值将集中在哪些环节。 免责声明：本人持有文章中提及资产，观点充满偏见，非投资建议dyor

#台积电# 最新技术论坛闭门会释放重磅信号 #AI# 扩产潮全面开启，设备材料商率先受益 6月25日，台积电在上海举行2026中国技术论坛闭门会，向产业链传递出一个明确信号：全球半导体行业正进入新一轮超级景气周期，AI需求远超预期，“AI泡沫论”正在被证伪。 台积电预计，全球半导体市场规模将在2026年突破1万亿美元，并于2030年达到1.5万亿美元。其中，AI和高性能计算（HPC）已成为最大增长引擎，占整体市场需求的55%。 技术层面，台积电先进制程持续加速推进。2纳米（N2）已于2025年底量产，N2P、A16将于2026年下半年量产，后续N2X、N2U预计分别在2027年和2028年投产。同时，公司正研发下一代CFET晶体管架构，为2纳米后的持续微缩铺路。 先进封装成为未来5—10年最重要的增长赛道。台积电表示，CoWoS先进封装是AI训练与推理的核心基础，其5.5倍光罩产品已量产，良率超过98%。未来CoWoS尺寸将持续扩大，2028年可支持20颗HBM，2029年进一步提升至24颗HBM。此外，SoW和SoIC等3D异构集成技术也将持续升级，以满足超大算力芯片需求。 面对AI需求爆发，台积电正大举扩产。2026年计划新建9座晶圆厂，远高于过去平均每年4座的建设速度。公司预计，2022—2026年全球AI加速器需求增长11倍，CoWoS和SoIC产能2022—2027年复合增速将超过80%。 此次论坛释放出三大核心投资逻辑： AI高景气周期仍在加速，全球半导体产业长期增长趋势明确； 先进封装将成为未来数年的核心成长赛道，2.5D/3D封装需求持续爆发； 晶圆制造与先进封装扩产，将率先带动半导体设备和材料行业进入新一轮上升周期。 具体来看，光刻、刻蚀、薄膜沉积、CMP、清洗、检测量测等前道设备，以及玻璃基板、光阻、镀铜、研磨、贴片、封装材料等先进封装产业链，有望成为本轮AI扩产潮中的首批受益者。

矽電容（Silicon Capacitor） 1. 誕生背景與核心優勢 傳統鋁質電容與常規MLCC在HPC、AI伺服器、1.6T及以上高端光模組等高速、高發熱場景下，已無法滿足低熱敏、高穩定性、高頻濾波的需求。矽電容正是為此應運而生。核心優勢： - 透過閾值優化大幅提升性能，能有效過濾高速電流雜波、降低發熱干擾、保護主晶片。 - 大幅提升高端模組整體運行穩定性。 - 非MLCC：無需陶瓷封裝，以裸晶形態存在，直接替代主晶片周邊的高頻MLCC及傳統鋁質電容，是高端算力與光通訊專用的無源器件。 2. 技術與工藝特點 - 製程要求：僅需8吋、12吋成熟晶圓製程，無需5nm/7nm等先進製程。 - 核心技術壁壘：不在晶圓工藝複雜度，而在於電容/電感設計能力以及電力基礎技術累積。 - 最大工藝難點：切割環節（需精準避免損壞晶片）。國內掌握成熟切割工藝的廠商極少，這是當前產業核心壁壘。 - MLCC廠商轉產難度：極高。缺乏專項設計經驗與電力技術累積，跨界嘗試進展緩慢。 3. 完整產業鏈分工 - 晶圓製造：目前主要依賴國外晶圓廠。 - 封測環節： ‧ CP測試 ‧ 晶圓減薄 ‧ 磨平 ‧ 雷射切割（核心設備來自日本） - 出貨形式：以裸晶晶圓形式交付下游。 - 成本結構：封裝成本約占單顆整體成本的30%。 4. 產能、良率與擴產 - 晶圓尺寸：8吋與12吋均已量產。 - 單片晶圓產量：少則數萬顆，多則二十多萬顆（高端模組單片可達20-30萬顆）。 - 產能壁壘：量產階段壁壘不高，可透過新增設備快速擴產。 - 擴產規劃：多家企業三期工廠建設中，同時規劃先進封裝產能擴建。 5. 下游應用場景與用量（核心驅動力） 主要應用領域：高速光模組與HPC/AI伺服器。高速光模組： 800G光模組已部分搭載矽電容商用；1.6T光模組已正式商用出貨，單顆1.6T光模組需用到近20顆矽電容；後續3.2T光模組的矽電容用量將大幅提升。 AI伺服器： 算力模組整體用量龐大，例如英偉達相關AI伺服器單顆可使用4-6萬顆矽電容。 貼裝方式：由下游光模組廠商自行負責MSAP貼裝。 使用邏輯：並非絕對必須，但隨著1.6T+國產化推進，傳統電容無法滿足高傳輸速率與穩定性需求，矽電容成為優先替代方案。 6. 市場空間 對標MLCC成熟市場，矽電容整體市場空間可達數十億美元級別。目前MLCC尚未被完全替代，成長空間充足。 7. 競爭格局 海外：Murata、ROHM等成熟龍頭，技術領先。 中國國內：優質設計廠商各具特色，其中蘇納光電進展最快，已實現小批量量產（月產數百萬顆），深度綁定國內頭部光模組廠商。 傳統封測大廠（如日月光、矽品）：短期內不會重點布局。原因在於矽電容屬於細分利基賽道，毛利低於HBM、CoWoS、2.5D/3D等主晶片高端封裝，非其策略重點。 8. 獲利水平 矽電容封測毛利率低於HBM、CoWoS等高端封裝，但因雷射切割等環節在中國國內稀缺性高，目前整體利潤水平較好。

【祭出減稅】高市早苗醞釀的減稅計劃 料將令日圓和日債承壓 日本首相高市早苗（圖）可能即將宣佈繼續推進削減食品消費稅的計劃，這或將給日圓和日債帶來壓力。據《朝日新聞》報道，高市將最早於週四指示官員們著手一項將食品和飲料消費稅率降至1％的計劃。

【追趕SpaceX】朱雀三號遙二發射圓滿成功 中國首次實現火箭陸地回收 據新華社報道，朱雀三號運載火箭週三從甘肅酒泉發射升空，將一顆衛星送入軌道後，火箭一子級成功著陸於回收場預定位置，在可重複使用火箭技術領域加快追趕SpaceX等對手。

【中國成功發射SEO衛星】北京時間8月17日11時02分，中國在太原衛星發射中心使用長征二號丙運載火箭，成功將 #SEO衛星# 發射升空，衛星順利進入預定軌道，發射任務取得圓滿成功。#科技中國#

【“為祖國繁榮昌盛感到驕傲和自豪！”50名港澳學子見證全球首次運載火箭網系回收】7月10日，長征十號乙運載火箭在海南商業航天發射場發射升空，成功將衛星送入預定軌道，火箭一級在“領航者”號回收船上通過網系捕獲方式垂直回收，首次發射回收任務取得圓滿成功。50名 #港澳# 學子專程來文昌見證全球首次運載火箭網系回收。#科技中國# #香港# #澳門#

【中國成功發射通信技術試驗衛星二十四號】5月27日00時16分，中國在文昌航天發射場使用長征七號改運載火箭，成功將通信技術試驗衛星二十四號發射升空，衛星順利進入預定軌道，發射任務取得圓滿成功。該衛星主要用於開展多頻段、高速率衛星通信技術驗證。此次任務是長征系列運載火箭的第645次飛行。

【一箭七星！長征六號丙遙一運載火箭發射成功】北京時間2026年8月25日11時21分，長征六號丙遙一運載火箭在太原衛星發射中心發射升空，將中科衛星14星、中科衛星15星、木鐸1A衛星、木鐸1B衛星、靜安夢想星、八一04星、銀河航天靈知09泰國立方星等7顆衛星順利送入預定軌道，飛行試驗任務取得圓滿成功。#科技中國#