数据中心不仅消耗大量资源，还助推了可能导致美国人失业的AI技术，选民对此的抗议声浪日益高涨，对共和党人和一些民主党人来说，这正成为今年秋季选举中日益沉重的政治包袱。

数据中心缺水，SpaceX 自己说的 😳 SpaceX 在 IPO 文件里加了一句话：缺水现在是 AI 基础设施的关键风险。 数据中心需要大量水冷却，不是只在沙漠里建个机房就行。 以前聊 AI 瓶颈就两样：芯片和电。 现在多了第三样——水。

#TIL# 数据中心约 30%–40% 的电力消耗在散热。如果说AI是high-tech，那么其立足的电力生产则是low-tech代表，烧天然气也好核电也好，不断升高的电力需求、废热排放，也令极多数据中心的建设遭到反对。

OpenAI 数据中心负责人也跑了？ 高管离职潮根本停不下来！ Chris Malone 在 Google 和 Meta 干了十几年，加入 OpenAI 才一年多就走人。 他刚来就赶上 5 亿美元的 Stargate 项目，结果项目还没影，人先撤了。 公司说重组了团队，但一年走了 13 个高管，这重组是赶人吗？ 连安全伦理团队都解散了，AI 安全谁来管？ 作为行业领头羊，OpenAI 这样内耗，技术优势还能撑多久？

OpenAI数据中心负责人离职，公司称属内部重组 发生了什么： OpenAI数据中心负责人Chris Malone已经离职。他上周已经离开公司，任期大约只有17个月（2025年3月加入）。 Malone之前在Google干了十多年，后来又在Meta做了近5年数据中心相关工作，属于这个领域里比较资深的人。他加入OpenAI的时间点，正好是公司宣布Stargate（星际之门）大规模数据中心计划之后。当时OpenAI正和Oracle、SoftBank等合作，在美国大规模建设算力基础设施，其中德州阿比林（Abilene）的项目比较受关注。 数据中心负责人这个岗位现在特别关键，因为训练和运行大模型需要巨大的电力、土地、芯片和冷却能力，谁负责这块，直接影响公司能不能按时拿到足够算力。 公司内部也做了调整：Malone原本直接向总裁Greg Brockman汇报，后来改成向另一位副总裁汇报，基础设施团队被重新拆分和组织。OpenAI官方回应称，这是为了适应业务规模和速度而做的重组，目前团队依然完整、有明确领导，有能力继续推进计划。同时有报道提到，公司在自建数据中心之外，也在重新考虑更多租赁现成设施的方式。 目前还没有公开说明他具体为什么走，是个人原因、内部调整，还是对战略有不同看法，都还没有官方细节。

AI 数据中心成美国中期选举核心议题，70% 民众反对、两党竞相叫停 《纽约客》报道，AI 数据中心已成 2026 年美国中期选举核心议题。密歇根州民主党参议员候选人 Abdul El-Sayed 一针见血："人们真他妈恨数据中心。" Gallup 调查显示 70% 美国人（含 63% 共和党人）反对在当地建数据中心，但全美已建成 4000 座、另有 4000 座规划中。 数据中心遭恨因其占地巨大（开车以高速通过需 1 分 42 秒）、耗电耗水严重（弗吉尼亚州两次电力激增导致居民冰箱发出怪声）、几乎不提供就业。 反 AI 正在成为两党共识。

AI数据中心正在重塑SiC产业，而真正稀缺的可能是高品质200mm SiC衬底 未来十年，SiC的增长逻辑可能逐渐转向AI电力基础设施。AI数据中心不仅在消耗更多GPU，也在重塑整个供电半导体架构。 在这条产业链里，真正决定行业的，未必是SiC器件，而是高品质200mm SiC衬底。 Wolfspeed最近的大幅回调正好体现了市场的分歧。乐观者看到AI数据中心、200mm技术领先、债务重组完成； 悲观者看到收入增长有限、毛利率仍为负、现金流持续承压。 公司的核心资产是SiC材料能力。业务主要分为SiC衬底、晶圆、外延片，以及MOSFET和功率模块。 真正难复制的是上游材料。SiC长晶温度超过2000℃，缺陷控制极其困难，良率提升往往需要数年时间。前身Cree超过30年的积累，构成了最核心的竞争壁垒。 AI正在把数据中心变成电力密集型工业设施。过去服务器功率只有500W至1kW，如今AI服务器已经达到5kW至15kW。过去机柜只有10-20kW，如今GB200 NVL72接近120kW，未来300kW、500kW甚至1MW机柜已经进入路线图。 对于100MW级数据中心而言，供电效率提升1%，意味着每年节省数百万美元电费。因此运营商越来越关注电力效率，而不是单纯的设备成本。 SiC恰好是提升效率最有效的技术之一。相比传统硅器件，开关损耗更低、导通损耗更低、工作温度更高、功率密度更高。因此越来越多的数据中心开始导入SiC方案。 需求主要来自四个方向：UPS系统、AI服务器电源、中压配电系统以及固态变压器（SST）。 UPS目前最成熟，Eaton、Vertiv、Schneider Electric、ABB等厂商已经开始采用SiC。 服务器电源是未来最大的增量市场之一，1200V和1700V SiC MOSFET正在快速渗透。 中压配电则是目前最容易被忽视的领域，未来AI园区内部大量采用13.8kV→4.16kV→800V DC架构，对3.3kV和6.5kV SiC模块需求巨大。 长期来看，固态变压器可能成为最大的增量方向，未来架构有机会从“电网→变压器→UPS→PDU→服务器”演变为“电网→SiC固态变压器→AI机柜”，大幅简化供电链路。 未来3年，AI数据中心相关SiC需求年复合增长率有望达到30%-50%；未来5年仍可能维持25%-40%。原因并不复杂：数据中心数量增长、单个数据中心功率增长、SiC渗透率增长，三重驱动形成明显的乘数效应。因此AI带来的不是单纯的服务器需求，而是整个供电链路升级。从发电站、变电站，到UPS、PDU、PSU，再到服务器内部供电系统，每一次电力转换都在追求更高效率，而SiC正是整个升级过程中的核心受益者。 但行业真正值得关注的问题是高品质200mm SiC衬底，尤其是高品质200mm衬底。 很多投资者会问，既然200mm紧张，为什么不能继续使用150mm？答案是短期可以，长期不行。200mm晶圆面积比150mm增加约78%。同样设备、同样工艺、同样人工，可以生产更多芯片，显著降低单位成本。对于需求爆发型市场而言，规模化生产能力远比单颗器件价格更重要。 问题在于，200mm远比150mm难做。SiC天然存在Micropipe、BPD、TSD等缺陷。150mm时代尚可控制，进入200mm后面积增加78%，缺陷数量同步增加，良率反而下降。很多厂商能够做出200mm晶圆，却无法实现稳定的大规模量产。行业真正稀缺的不是200mm晶圆本身，而是低缺陷率、高良率、能够持续供货的200mm晶圆。 目前全球具备200mm SiC能力的主要玩家包括 Wolfspeed、onsemi、STMicroelectronics、Infineon Technologies 和 ROHM。其中推进最激进的仍然是Wolfspeed。同时中国厂商如 山东天岳 和 天科合达 也在快速扩产。未来全球供需平衡最大的变量，很可能来自这些厂商的良率爬坡速度。 AI电力链条可能正在孕育另一个潜在瓶颈：高品质200mm SiC衬底。 未来最有可能发生的情况不是买不到SiC器件，而是可以买到器件，却买不到足够多、足够便宜、良率足够高的200mm SiC衬底做出来的器件。当市场仍然把SiC视为普通商品时，AI数据中心或许已经成为下一轮需求爆发真正的起点。 免责声明：本人持有文章中提及资产，观点充满偏见，非投资建议，dyor