AI数据中心正在重塑SiC产业，而真正稀缺的可能是高品质200mm SiC衬底 未来十年，SiC的增长逻辑可能逐渐转向AI电力基础设施。AI数据中心不仅在消耗更多GPU，也在重塑整个供电半导体架构。 在这条产业链里，真正决定行业的，未必是SiC器件，而是高品质200mm SiC衬底。 Wolfspeed最近的大幅回调正好体现了市场的分歧。乐观者看到AI数据中心、200mm技术领先、债务重组完成； 悲观者看到收入增长有限、毛利率仍为负、现金流持续承压。 公司的核心资产是SiC材料能力。业务主要分为SiC衬底、晶圆、外延片，以及MOSFET和功率模块。 真正难复制的是上游材料。SiC长晶温度超过2000℃，缺陷控制极其困难，良率提升往往需要数年时间。前身Cree超过30年的积累，构成了最核心的竞争壁垒。 AI正在把数据中心变成电力密集型工业设施。过去服务器功率只有500W至1kW，如今AI服务器已经达到5kW至15kW。过去机柜只有10-20kW，如今GB200 NVL72接近120kW，未来300kW、500kW甚至1MW机柜已经进入路线图。 对于100MW级数据中心而言，供电效率提升1%，意味着每年节省数百万美元电费。因此运营商越来越关注电力效率，而不是单纯的设备成本。 SiC恰好是提升效率最有效的技术之一。相比传统硅器件，开关损耗更低、导通损耗更低、工作温度更高、功率密度更高。因此越来越多的数据中心开始导入SiC方案。 需求主要来自四个方向：UPS系统、AI服务器电源、中压配电系统以及固态变压器（SST）。 UPS目前最成熟，Eaton、Vertiv、Schneider Electric、ABB等厂商已经开始采用SiC。 服务器电源是未来最大的增量市场之一，1200V和1700V SiC MOSFET正在快速渗透。 中压配电则是目前最容易被忽视的领域，未来AI园区内部大量采用13.8kV→4.16kV→800V DC架构，对3.3kV和6.5kV SiC模块需求巨大。 长期来看，固态变压器可能成为最大的增量方向，未来架构有机会从“电网→变压器→UPS→PDU→服务器”演变为“电网→SiC固态变压器→AI机柜”，大幅简化供电链路。 未来3年，AI数据中心相关SiC需求年复合增长率有望达到30%-50%；未来5年仍可能维持25%-40%。原因并不复杂：数据中心数量增长、单个数据中心功率增长、SiC渗透率增长，三重驱动形成明显的乘数效应。因此AI带来的不是单纯的服务器需求，而是整个供电链路升级。从发电站、变电站，到UPS、PDU、PSU，再到服务器内部供电系统，每一次电力转换都在追求更高效率，而SiC正是整个升级过程中的核心受益者。 但行业真正值得关注的问题是高品质200mm SiC衬底，尤其是高品质200mm衬底。 很多投资者会问，既然200mm紧张，为什么不能继续使用150mm？答案是短期可以，长期不行。200mm晶圆面积比150mm增加约78%。同样设备、同样工艺、同样人工，可以生产更多芯片，显著降低单位成本。对于需求爆发型市场而言，规模化生产能力远比单颗器件价格更重要。 问题在于，200mm远比150mm难做。SiC天然存在Micropipe、BPD、TSD等缺陷。150mm时代尚可控制，进入200mm后面积增加78%，缺陷数量同步增加，良率反而下降。很多厂商能够做出200mm晶圆，却无法实现稳定的大规模量产。行业真正稀缺的不是200mm晶圆本身，而是低缺陷率、高良率、能够持续供货的200mm晶圆。 目前全球具备200mm SiC能力的主要玩家包括 Wolfspeed、onsemi、STMicroelectronics、Infineon Technologies 和 ROHM。其中推进最激进的仍然是Wolfspeed。同时中国厂商如 山东天岳 和 天科合达 也在快速扩产。未来全球供需平衡最大的变量，很可能来自这些厂商的良率爬坡速度。 AI电力链条可能正在孕育另一个潜在瓶颈：高品质200mm SiC衬底。 未来最有可能发生的情况不是买不到SiC器件，而是可以买到器件，却买不到足够多、足够便宜、良率足够高的200mm SiC衬底做出来的器件。当市场仍然把SiC视为普通商品时，AI数据中心或许已经成为下一轮需求爆发真正的起点。 免责声明：本人持有文章中提及资产，观点充满偏见，非投资建议，dyor

权力结构一直是我和 @DoveyWanCN 特别爱聊的话题。很多下游的生态形态、竞争方式，甚至价值观，本质上都不是“选择”，而是由上层权力结构自然推演出来的结果。这次连续参加 BBW 和 Breakpoint，近距离看到两种生态的差异，对这一点的体感更强了。 BN 和 Solana 的不同，并不是哪条链更好，而是权力与分配机制的不同制度选择。 BN 依托极强的流动性与用户规模，天然形成高度中心化的结构。资源集中、决策效率高，也因此很容易理解一姐那套“敢为天下后”的哲学，无论是上个周期的 BNB Chain，这个周期的Wallet，还是 Aster，只要核心意志明确，资源就能被迅速调动，项目也能在极短时间内起量。 但正因为中心过于强大，对项目方而言就会自然浮现出一条 ROI 更确定的路径：相比卷产品、卷市场，谁更靠近权力中心，谁更容易换取分发与流动性，谁就掌握了不可替代的稀缺资源。一姐或 CZ 的一句话，不只是注意力，更是对流动性与结果的预期。于是市场不断猜测亲儿子、干儿子、亲孙子也就不难理解了。当竞争重心从“市场与产品”转向“关系与预期”，生态活力就不可避免地受制于中心节点的意志。 从这个角度看，我其实很能理解 BN 的赛马机制：如果我手里握有大量资源，那么先跑、先验证，跑出来的马再集中扶持，是效率最高、确定性最强的策略。 Solana 走的是另一条路，或者说，它在 FTX 倒下之后不得不走另一条路。它失去了可以直接导流的流动性中心，foundation 更多只能承担正统性与摇旗呐喊的角色。如果把Solana去类比币安，Jupiter是Spot+perp， AMM是内部MM，Solana在里面不过是统一的底层清算链而已，真正拥有分发与流动性能力的是Jupiter与Pump，所以为什么generic chain越来越失去溢价。 但在这个生态里，权力是可更替的，竞争是开放的，于是团队被迫持续卷产品、卷执行。这种结构带来了更高的创新密度。我认为 Solana Foundation 走在了一个日益自洽的方向上，在提供正统性之外，开始系统性地把 TradFi 资产和 TradFi 的分发能力搬上链。先引入资产与用户，再交由生态去承接和消化，只有这样，Foundation 与生态之间才有可能形成正向循环。 集中力量换效率；分散权力换活力。两种生态的差别不是路线之争，而是制度选择的结果。 历史上从来不存在天然更“正确”的制度，只有是否与自身禀赋相匹配的路径。

一文看懂AI数据中心大周期下的功率半导体 的下一场军备竞赛，不再只是GPU，而是Power AI 数据中心正越来越大，一个数据中心耗能动辄相当于一座中型城市。 过去的数据中心是 10-20kW/rack，现在已经变成 80kW、120kW，甚至 600kW/rack。大型 AI Cluster 的耗电已进入 GW 级别。 瓶颈除了GPU、cpu和储存，也开始转向电流、热、配电、铜损、电力转换效率、电网接入和 HVDC。 AI 数据中心产业链： 电网 → 变压器 → UPS → HVDC → PSU → VRM → GPU。 传统服务器大量采用 48V，因为传统互联网时代机柜功率不高。但 AI 时代，低压系统的问题开始全面暴露。因为： P = VI 同样 1MW 功率，48V 需要超过 20,000A 电流，400V 大约 2,500A，800V 进一步下降到约 1,250A。 电流下降意味着铜缆变细、铜损下降、发热下降、母排缩小、PSU 压力下降、液冷压力下降，建设难度下降，成本更低。 800V 是电动车已验证的高压平台，EV 为什么进入 800V？因为快充、高功率、降低线损和降低热损耗。 今天 AI 数据中心遇到的是同样的问题。于是 SiC、高压 MOSFET、高压 DC/DC、高压 PSU、HVDC、Busbar、固态变压器，这些原本偏新能源车的产业链，开始向 AIDC 外溢。 但 800V可能只是开始，真正的大方向是 HVDC（高压直流化）。 这是为什么传统工业电力公司突然重新被市场估值。像 Vertiv、Eaton、Schneider Electric、ABB、Siemens，开始成为 AI 产业链的重要受益者。 这也是为什么功率半导体正在被市场重估值。 英飞凌就是一个典型的从服务汽车的功率半导体无缝过渡到电力基础设施半导体的公司。 英飞凌可能是目前全球少数真正做到“Grid-to-Core”的功率半导体平台。从电网侧高压、HVDC、PSU、GPU 供电、高频 GaN、Driver、Controller、MCU，到功率模块、MOSFET、SiC，几乎全部覆盖。 这也是它最大的护城河。 更重要的是，英飞凌不是 Fabless，而是 IDM。自己设计、自己制造、自己封装、自己测试。这在功率半导体行业极其重要。因为功率半导体和 CPU/GPU 不同。逻辑芯片拼的是 EUV、FinFET、GAA、晶体管密度。功率半导体真正拼的是热管理、高压稳定性、长寿命可靠性、材料、封装、外延和良率。尤其 AI 数据中心未来是长时间满载、高电流、高热密度、高压。制造本身就是技术。 英飞凌现在真正重要的资产，包括 Villach、Dresden、Kulim。其中最关键的是 300mm power fab 和 200mm SiC。市场低估了一点：300mm 功率半导体其实非常难。因为热应力、良率、高压器件、缺陷控制，都远比普通成熟制程复杂。而 AI 时代，功率器件需求开始进入大规模扩张阶段。先进功率半导体制造能力本身，开始重新变成护城河。 如果只看“最纯”的 AI 高压 power 玩家，则是 Navitas Semiconductor 和 Wolfspeed 这种公司。尤其 Navitas，本质上是 GaN + AI 高效率 power 的纯 Beta。 Wolfspeed 则是另一种逻辑。市 AI 数据中心如果全面进入 SiC PSU、HVDC、高压电力架构，那么它可能迎来第二增长曲线。 另外还有大型工业电力平台。比如 Eaton、Schneider Electric、ABB。因为它们控制的是配电、中压、低压、断路器、电力管理和数据中心 power topology。而这些东西的 switching cost 极高。AI 最终会发现，GPU 可以换代，但电力架构一旦确定，生命周期极长。 总的来说，谁能持续解决 AI 超高功率密度时代的电流、热、效率、配电、可靠性和电网接入，谁就可能在这个赛道上持续领先。因为 AI 的下一轮瓶颈，已经开始从 GPU，转向 Power。而这条产业链，现在还远没有被市场 fully priced in。 免责声明：本人持有文章中提及资产，观点充满偏见，非投资建议，dyor

光通信产业链最近的好消息 之前有提到过我觉得光的技术性调整快接近尾声了。 今天Tower Semiconductor 宣布扩建 300mm 硅光（SiPh）和先进封装产能；AAOI 也正式启动约 40 万平方英尺的新厂建设，扩大 800G 和 1.6T 光模块产能。 中际旭创（Innolight） 在最新投资者交流会上表示，800G 光模块需求比此前预期更强，1.6T 需求也没有减弱，客户已经从 Hyperscaler 扩展到 Neocloud 和 AI 模型公司。 从龙头企业持续扩产来看，我看到的是产业链对未来几年 AI 光通信需求依然保持信心。如果企业认为 800G、1.6T 的需求很快会见顶，或者担心 AI 数据中心投资放缓，正常的商业逻辑应该是放慢扩产、控制开支，不会继续建设新产能的。相反，无论是中际旭创、Tower Semiconductor，还是 AAOI，最近释放出来的信号都是在为未来几年的需求提前做准备。这些扩产计划不代表未来一定不会出现波动，但至少说明产业链内部看到的订单和需求，依然支撑他们继续投资。 接下来市场将继续验证这一逻辑。重点关注：7 月 23 日 Nokia 财报、7 月底 AAOI 和 AXTI 财报，以及 8 月 Lumentum、Coherent 等光通信龙头的管理层展望。如果这些公司的订单、需求和指引能够相互印证，那么整个光通信行业的需求逻辑将进一步得到验证。

将 Suica Card 改造成了 0.35mm 厚的带抗干扰层的薄片，可以完美的塞进不支持 Felica 的手机背面然后带壳，目前用 iPhone 测试可以正常读取，这周末去日本试试看看我改的这个能不能用

鉴于 1669mm 宽的电动版 Smart Fortwo（现在叫 Smart #2）的驾驶员位置空间和舒适度完爆# 1820mm～1860mm 的主流燃油「小」车，我在严肃考虑购买人生第一辆电车。 其实蔚来萤火虫（1781mm）也是这样的，G-force 套装版本操控也很好（Smart 还不能试驾），但是萤火虫没有 CarPlay，并且头顶空间很小。

Resonac 成功開發直徑 300mm（12 吋）碳化矽（SiC）單晶，並完成基板加工。此口徑為目前公開資訊中世界最大級之一，是 SiC 基板與磊晶晶圓朝大口徑、高品質邁進的重要里程碑。 市場與應用 SiC 功率半導體較傳統矽材損耗與發熱更低，有助節能，需求正由電動車、再生能源擴及資料中心電源。公司目前主力供應 150mm 磊晶晶圓，並已開始出貨 200mm 產品。單晶 SiC 亦因高熱導與高折射率，被看好用於 AI／HPC 散熱與先進封裝，以及 AR 智慧眼鏡等。

SpaceX 才是一个高FDV低流通盘子，项目方还贼能喊，还找了坏逼主动MM配资，还搞了DAT场外接盘。你们搞股票的人不知道比数码币子圈的人坏到哪里去了。

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