三星电子率先交付HBM4E样品：12层48GB容量，较上一代提升超30%，AI存储芯片竞争加剧。（来源：Bloomberg, May 28） → 点评：HBM4E量产加速，存储封测龙头（长电科技、华天科技）持续受益国产替代。

明年的AI焦点会是HBM4E 和企业级eSSD超级短缺。#海力士# 在这俩块市场都最大。 如果还能有别的就是 $MRVL 和 $NOK 在光通信领域营收开始爆发起量。

The Information 报道，英伟达在测内存更少的 Rubin Ultra，主力版本从 GTC 上预告的 1TB HBM4E 一路砍到 192GB，比现款 Rubin 的 288GB 还低。 原因不是技术路线变了，是货抢不到。HBM 供应太紧，原来那个配置的量凑不齐，英伟达同时在测至少三个版本。 同一批消息里还有一条：有报道称三星、SK 海力士和美光 2027 年的产能已经被 AI 公司包完了，离出货还有一年多。业内流传的估算是 2027 年总供给只能覆盖买家想要的六到七成。 The Information 那篇里还提了个反直觉的点，单卡内存变少，跑同样的大模型反而得堆更多卡。

SK 海力士重申没有存储器就没有 AI 产业，接下来公司将继续研发高性能内存。 SK 海力士已经从 6 月开始向主要客户提供 HBM4E 内存样品，该内存为 12 层 48GB，能效较 HBM4 提高 20%。 不过 4E 产品还在评估阶段，尚未量产。 查看全文：

創意電子（GUC）2026年9月22日宣布，採用台積電N2P（2奈米）製程與CoWoS-L封裝的HBM4E PHY與Controller IP已完成設計定案，並獲客戶AI ASIC採用。該IP延續已通過矽驗證的N3P 12Gbps HBM4基礎，在所有操作條件下將傳輸速度提升至16Gbps，並強調高功耗效率與超小面積。GUC以專有interposer佈線優化訊號與電源完整性，可支援多種CoWoS架構。 為因應3D SoIC，GUC另提供SoIC-X用face-up版本，整合TSV以支援I/O與向上層晶片饋電，建立3D堆疊連接路徑。該IP亦延續HBM、GLink、UCIe產品線，並整合proteanTecs互連監測，提升測試可視性與實際運作可靠度。 技術長Igor Elkanovich表示，HBM4E可顯著提升新一代AI加速器頻寬與系統效能；結合face-up HBM、face-up UCIe與GLink-3D，GUC可提供完整3D SoIC介面方案，協助客戶整合HBM、chiplet與3D堆疊。

芯片短缺之际，英伟达考虑降低 Rubin Ultra GPU 的显存配置 在计划于2027年推出 Rubin Ultra GPU 之前，英伟达正在评估至少三种配置，其中包括减少高带宽内存堆叠层数的方案，例如采用8层堆叠的 HBM4e 或12层堆叠的 HBM4。相比之下，原方案采用12层堆叠的 HBM4e，显存容量最高可达288GB。 此次调整源于预计将持续至2027年的 DRAM 短缺。供应不足将限制产能，英伟达目前正就不同配置的性能表现征求客户反馈。 较低的内存堆叠层数可能提高生产良率，使更多 GPU 得以出货；但对于人工智能系统而言，这也可能意味着需要构建规模更大的集群，或采用性能更强的互连技术。 消息传出后，美光科技等供应商的股票承压。不过，英伟达尚未敲定最终设计，仍在权衡性能需求与现实供应条件。

大摩：原厂> 模组厂，DRAM > NAND DRAM因LTA条款更好，需求可见度更高，供应纪律受EUV制约，以及潜在HBM4E产能挤压，战术上优于NAND；在NAND内部，原厂因利润韧性和供给控制力更强，优于模组厂。

今天把大部分仓位换到了 #sk海力士# 正股和 #2x海力士# 。 有几个原因 1.下个月海力士美股adr 2.下个月hbm4e送样 3.下个月23号海力士q2财报 4.美光6.18号财报对于美光自己涨跌都有可能，但对于海力士就是可预测的提振刺激。 5.adr后的海力士分红计划和回购计划。 6.怕其他股票因为涨幅波动，变相在海力士里面防守。

今天黄仁勋还到了韩股顶流SK海力士的展台，和老板崔泰源握手 老黄在海力士首次公开实物的HBM4E晶圆上签名，还写上“please make more 麻烦多做点” 崔泰源现在是韩国第二大财阀 崔：我们想成为老黄的关键供应商