长鑫存储（CXMT）vs 长江存储（YMTC） 本质区别： 一个做内存（DRAM），消费级。 一个做闪存（NAND），企业级。 赛道完全不同，不竞争，定位清晰。 1. 命名玄机 - 长鑫的"鑫"是三个金，暗示内存芯片的金属互连层 - 长江存储的"长江"是武汉的长江，不是随便起的 2. 技术路线的赌注 - 长鑫押注 DRAM 是因为 2016 年中国政府觉得"内存比闪存更卡脖子" - 长存做 NAND 是因为 2016 年紫光集团先把 NAND 买下来了，后来才独立 3. 美国制裁的"精准打击" - 2022 年美国把长存列入实体清单，但没动长鑫 - 原因：长存的 232 层 NAND 已经威胁到美光，长鑫的 DRAM 还没构成实质威胁 - 结果：长存被迫砍掉苹果供应链，长鑫反而趁机抢市场份额 4. 长存的"秘密武器" - Xtacking 架构是长存 CTO 程卫华（前英特尔 Fellow）在 2018 年发明的 - 这个架构让长存在层数竞赛中一度领先三星、美光 1-2 年 - 三星后来抄作业，搞了自己的"双栈"架构 5. 长鑫的"曲线救国" - 长鑫的 DRAM 技术来源是 2016 年从奇梦达（Qimonda）破产拍卖中买的专利包 - 奇梦达是英飞凌的内存部门，2009 年破产，专利被中国财团以 1 亿美元捡漏 - 长鑫靠这批专利起步，然后自己迭代到 17nm 6. 产能的"猫鼠游戏" - 长存的月产能 10 万片是"公开数字"，实际可能更高 - 美国制裁后，长存通过"灰色渠道"继续买设备（ASML 的光刻机通过韩国中转） - 长鑫更聪明：直接找国内设备商（北方华创、中微半导体）替代 7. 最冷的一个 - 长鑫的创始人朱一明是清华 1998 级微电子系，和中芯国际的梁孟松是同班同学 - 长存的创始人赵伟国是紫光集团的，但 2022 年被查了，现在长存是"无主之地" 8. 全球份额的"隐形冠军" - 长鑫的 DRAM 全球份额约 3%，看起来很小，但已经是全球第四（前三是三星、SK 海力士、美光） - 长存的 NAND 全球份额约 5%，已经是全球第六（前五是三星、铠侠、西数、美光、SK 海力士） 9. 终极冷知识 - 长鑫和长存的工程师很多是"互相跳槽"的 - 合肥和武汉相距 300 公里，但这两家公司的人才流动率比硅谷还高

《华尔街日报》报道称，美光正游说官员阻止苹果从中国供应商长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）采购内存芯片，这场纠纷直接关系到美国消费者价格与本土芯片产业的利益。 $AAPL $MU 苹果美光內存芯片游说战升级，价格暴涨4倍成导火索 🔥 据《华尔街日报》报道，苹果与美光正就内存芯片供应展开一场激烈的游说博弈。 $AAPL 正向白宫施压，要求获准在美国以外市场销售的产品中使用中国长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC）的芯片，理由是此举可缓解全球短缺并降低成本。 作为美国本土唯一具备规模的内存制造商，$MU 正全力反击，警告称引入中国供应商可能从根本上削弱美国本土产业根基。 苹果直指美光毛利率超过80%属于哄抬物价，并指控其将过多新增产能优先分配给AI客户。美光则反唇相讥，称苹果等买家在过去行业低迷期长期压榨供应商，正是导致今日短缺的根源之一。据披露，过去一年内存价格已飙升四倍。 耐人寻味的是，苹果多年来一直对内存和存储升级收取高额溢价，如今供应商掌握定价权，苹果却反过来指控对方不公。 据悉，双方积怨已久——美光CEO桑杰·梅赫罗特拉对苹果的芥蒂，可追溯至其执掌闪迪时期那段异常艰难的谈判历史，双方此后鲜少直接会面。

中国长江存储计划在 AI 存储热潮中推进大型 IPO 中国头部 NAND 闪存制造商长江存储（YMTC）已获得北京方面批准，计划在其新的武汉工厂于 2026 年底前开始生产 DRAM。 该公司正考虑在上海或香港上市，估值目标约为 236 亿至 442 亿美元。当前 AI 需求正在推动存储芯片供应短缺，这也为其上市创造了有利窗口。 交易员们正在讨论：中国存储产能扩张带来的上行空间，是否足以抵消未来可能出现的供应过剩风险。与此同时，由于美国限制措施，长江存储相较于美光等西方竞争对手仍处于落后位置。 不过，分析师认为，这一轮存储景气周期可能会持续到 2028 年。

！！ 根据 Counterpoint 的数据，三星在全球 NAND 闪存市场排名第一，市场份额为 29%，SK 海力士以 18%的营收份额位居第二，而长江存储（YMTC）与闪迪并列第五，并即将追平日本铠侠（Kioxia）在全球市场份额排名第四的位置。受存储器短缺和价格上涨的推动，长江存储的市场份额从 2025 年第一季度的 8%增长至 13%。

Apple 据报道正游说特朗普政府，希望获得批准及明确的法律保障，以便向中国最大的 DRAM 制造商长鑫存储（CXMT）采购 DRAM 内存芯片。这是一个重大转变，因为苹果长期以来一直依赖三星、SK 海力士和美光供应内存芯片。 就在上周，苹果宣布上调 MacBook 和 iPad 的售价，原因是 AI 数据中心建设热潮推高了内存等关键零部件成本，公司已无法继续自行消化这些上涨的成本。消息公布后，$AAPL 股价暴跌 6%。 美国国会议员认为，从一家与中国军方有关联的企业采购内存芯片，将削弱美国推动半导体供应链去中国化的努力。此前，苹果考虑采购长江存储（YMTC）的 NAND 闪存芯片时，也曾遭遇类似的政治压力。 长鑫存储预计将在 2026 年于中国内地上市，并有望成为中国今年规模最大的 IPO。公司计划在上海科创板募资 295 亿元人民币，目前上海证券交易所已批准其上市审核。 自今年 1 月以来，其竞争对手美光 $MU 、SK 海力士（000660 KRX）和三星股（005936 KRX）价分别上涨了 260%、283% 和 155%。

摩根士丹利《亚太内存：一个小褶皱》(Memory – A Small Wrinkle) by 空头代言人 Shawn 8/6 核心结论 • 行业评级 Attractive。内存板块"迄今最猛的一波回调"已结束，下一催化剂转向回购 / 资本回报 • MS 定性当前为"aging cycle 里的小褶皱"——自然回调，不是 AI 叙事终结；长线仍看多 • 三大分析框架：(1) AI 资本开支 (2) LTA 长期协议带来的估值重估 (3) 内存周期位置 边际变化（"褶皱"到底褶在哪） • 内存周期 4Q26 切入晚周期：涨价斜率放缓、库存拐头向上、供给增长悄悄回来 → 进一步 EPS 超预期变难 • 盈利修正广度 6 月下旬见顶并减速，与本轮抛售同步 • 但杀估值已较充分，P/E 已 price in 未来 12 个月 NTM EPS 增速大降；MS 认为 AI 需求或是结构性而非周期性 shift 资本回报 / LTA 进展（核心催化剂） • 三星：目标 60–70% 产能锁 LTA，前 5 大 DC 客户已签约，已收约 25% 预付款，设主流产品底价 • SK 海力士：约 10 家客户谈妥，约 5 年期，定价吸收波动 • 美光：16 笔 SCA，覆盖 20% DRAM / 1/3 NAND 量，1000 亿美元最低价收入，220 亿预付款 • AI capex 加速：四大 hyperscaler 均喊产能受限；云 capex 2027 上调至 +29% YoY（此前 +14%） 盈利调整 • SK 海力士 2026E EPS +13%（计入 2Q 资产处置收益）；三星 2026E EPS -10%（消费端走弱）；2027–28 调整不显著 • 三星 / SK 海力士目标价维持不变；长线看两者 2027E 盈利增 25–50%，PT 隐含上行空间 60%+ 风险（where we could be wrong） • 中国竞争：CXMT / YMTC 供给增量，CXMT 2027 起在华供 HBM • 供给 2027H2–2028 集中释放，瓶颈缓解 • DRAM 近 90% 毛利率不可持续，或 mean-revert • AI 基建终会放缓；美债 10Y 升至 4.7% 压制高估值成长股 股票偏好 • 偏好"花钱处 + 瓶颈最紧处"：DRAM 与 legacy 内存（DDR4、NAND SLC）优于模组厂 一句话收口： MS 把 7 月那波急跌当成周期晚段的正常"褶皱"，逻辑从"涨价弹性"切换到"LTA 锁利 + 资本回报"，长线仓位仍押在 DRAM / HBM 瓶颈环节。

NAND这边的扩产节奏已经比大多数人预期的要快了。韩媒今天几篇报道给出了具体细节。SK海力士下半年重启大连二厂，装V8（238层）产线，月产能目标3到5万片，2027上半年完成。三星西安厂V6到V8（236层）的转换3月底已经做完，目前在量产。 资本开支端，SK海力士大连2025年投入440.6亿韩元，同比+52%。三星西安约3.04亿美元，同比+67.5%。韩系两家在中国的NAND投资同步加速，方向都是V8。 大连二厂是SK海力士花11万亿韩元收购Intel NAND业务时拿到的，闲置了两年多。现在能重启，NAND合约价暴涨是一方面，Q2环比+70%以上，涨幅头一次超过DRAM。更关键的是VEU切换到年度审批制。以前设备商接中国工厂的NAND产线订单，审批周期和结果都不确定，直接压制采购意愿。年度批次审批把可预测性提高了很多。报道提到国内合作方已经开始把闲置NAND设备运往大连，海外供应商也收到了初步采购订单。 市场一直盯着HBM和DRAM的capex周期，NAND被默认是周期落后者。现在韩系在中国同步转V8，加上YMTC的本土扩产，NAND环节对沉积、刻蚀、检测设备的需求释放窗口，会比卖方模型里假设的更集中。半导体设备市场里NAND的贡献权重，可能要重新算了。

三星电子实现全球首个“900层 V-NAND”，1000层时代进入倒计时 三星电子已成为全球首家成功实现 900 层级 V-NAND 技术原型的公司，向“1000 层 NAND”时代又迈进一步。在与竞争对手围绕堆叠层数的竞争日益激烈之际，这一成果被认为是三星一次性取得了决定性的技术领先优势。 据半导体行业 25 日消息，三星近期通过“Cell Multi Bonding（CMB，单元多重键合）”技术，将两片 450 层单元晶圆接合为一体，成功实现了集成式 900 层级 V-NAND 系统。 NAND 闪存用于存储数据，是 AI 服务器、智能手机以及数据中心存储设备 SSD 的核心组件。它的原理类似于在公寓楼中不断向上增加楼层：堆叠层数越高，就越能在有限的芯片面积内塞入更大容量，从而存储更多数据，并最大化电力效率。因此，在需要高容量、高效率零部件的 AI 服务器和端侧 AI 市场中，NAND 被视为争夺主导权的关键技术。 在当前量产市场中，SK 海力士凭借 321 层 4D NAND 掌握最高堆叠层数。不过，三星在准备今年量产第 10 代 V-NAND（V10，400 层以上）的同时，也已在研发阶段一举跃升至 900 层级，使其在下一代 NAND 市场中占据有利位置。 对于这项研究成果，三星表示已经“验证了正常的单元工作特性”，强调这不仅仅是理论上的堆叠，而是证明了实际可运行的技术能力。 自 2013 年全球首次实现 3D V-NAND 商业化以来，三星持续推动工艺演进，以突破堆叠极限。过去，三星采用的是“一次性单堆叠”方式，即一次性钻出并堆叠微细孔洞；但随着层数不断提高，晶圆翘曲、对准误差等物理极限开始显现。 在实现 900 层器件的过程中，三星通过采用先进的上部吸盘设计，解决了最大障碍——晶圆翘曲问题。键合过程中产生的对位误差，则通过其专有的“新型 overlay 校正”技术克服。同时，新引入的位线（BL）和字线（WL）结构也带来了显著改善，在降低功耗的同时缩小了芯片面积。 从全球来看，以长江存储（YMTC）为代表的中国企业，正在 300 层级 NAND 量产门槛附近追赶韩国厂商。在政府支持和设备国产化推动下，中国企业正同时推进产能扩张和技术升级。 如果长江存储年内成功量产 300 层以上 NAND，价格竞争可能进一步加剧，并对韩国企业的盈利能力造成压力。因此，三星此次 900 层成果被高度评价为一项中长期战略举措，意在构筑技术壁垒。 一位行业人士表示：“900 层 NAND 技术并不是简单地把 300 层乘以三，而是会改变堆叠工艺范式的技术。”他还补充称：“这向全球客户传递了一个信号：三星仍然是技术领导者，同时也会在一定程度上限制中国企业的产能和价格攻势。”

😱内存市场要变天了？ 国产内存巨头长鑫存储Q1营收直接暴涨719%，狂赚247亿！ 传闻长鑫DRAM芯片价格只要150刀，而全球均价要三四百刀！ 美商海盗船已经开始暗中测试长鑫的DDR5颗粒了，宏碁、华硕也在疯抢国产供应链。 三星顾问急得公开警告，2028年内存价格可能崩盘！ 全球半导体存储市场正在迎来由中国产能引发的剧烈价格重构。 根据上海证券交易所2026年5月披露的最新招股说明书，中国DRAM巨头长鑫存储（CXMT）在2026年第一季度实现营业收入50.8亿元人民币（约合75亿美元），同比大幅增长719.13%。 归属于母公司股东的净利润达24.76亿元人民币（约合36亿美元），实现扭亏为盈并超越多数A股科技企业。 财务数据的爆发式增长，表面上得益于生成式AI引发的DRAM和高带宽内存（HBM）供需紧张及价格周期性回升，但深层驱动力则是中国存储厂商在制程突破后的产能释放。 目前，长鑫存储已占据全球DRAM市场约7.7%的份额，而专注于闪存的长江存储（YMTC）在全球NAND闪存市场的份额已达到11%至13%。 市场情报显示，长鑫存储的DRAM芯片部分规格报价仅为150美元，而全球同类产品的平均价格则在300至400美元之间，其整体定价通常比三星、SK海力士和美光等行业头部企业低15%以上。 这种价格剪刀差正在迅速渗透进全球消费级PC与服务器供应链。硬件品牌美商海盗船（Corsair）已被发现正在其Vengeance DDR5复仇者内存模组中测试和使用长鑫存储的颗粒，宏碁（Acer）、华硕（Asus）等主流PC厂商也已明确要求供应商增加中国存储芯片的采购比例。 产能的急速扩张引起了传统垄断巨头的警惕。 三星电子前设备解决方案（DS）部门负责人、现任顾问庆桂显（Kyung Kye-hyun）在首尔举行的工学翰林院论坛上公开警告，随着中国公司极其激进的产能扩张，存储芯片的供应海啸将在2027年下半年至2028年上半年全面爆发，届时全球内存价格将面临回落至低位的巨大压力。 他还指出，若Big Tech对AI的资本支出回报不及预期，2028年后存储行业甚至可能面临价格与需求的双重萎缩。 从长远来看，全球存储行业曾长期依赖三大巨头控产控价的商业模式，正在被长鑫与长存的IPO造富效应和规模化交付彻底打穿。 随着中国两大存储基地合肥与武汉在2026年Q1分别实现74.2%和62.4%的电子信息产业增速，这场由算力基建驱动的存储芯片平民化运动，正在将原本高溢价的硬件利润，洗牌为纯粹的低毛利工业分发。巨头依靠技术封锁和垄断溢价躺赚的时代，正在走向终结。