Samsung 晶片工人拒絕了每人34萬美元的一次性獎金，他們希望像競爭對手SK海力士一樣，每年獲得利潤分成。 SK海力士的工人預計今年將獲得約47.7萬美元，明年將獲得近90萬美元。 三星工會希望公司每年將15%的利潤作為獎金發放給晶片工人，因為三星目前受益於人工智慧晶片的強勁需求，利潤豐厚。但工會表示工人的收入遠低於SK海力士的工人。 如果雙方無法盡快達成協議，工人計劃從5月21日開始舉行為期18天的罷工。專家預測，這次罷工可能對三星造成高達117億美元的損失。

即使存储股看似涨了很多，这预期市盈率还是低的离谱，三星 #Samsung# 、SK 海力士 #SKHynix、美光# $MU 的预期市盈率5-7 倍而已。能否提升市盈率？ 看以下因素： - 产品定位改变，高阶HBM = AI 战略资产 - 产能有限，大概率2028-2030年都没法满足 - 超越周期，长合约绑定， 高确认性 - 业绩：未来多年翻倍的暴涨 - 低市盈率重估 尤其LTA 长合约的签订，2027年产能的全包，确定性的存在，早已经不是以前的短波动“周期股”，而是supercycle 标的。产能根本没法满足，如美光高管的话，再建5个工厂也满足不了，而且建厂周期长至少18个月以上才能量产。 业界大多认可，HBM内存已成战略资产，供需缺口恐扩大；华邦电：预估DRAM缺货延续至2028年后，昨晚，看了另外一位业界的人预测，事实上是到2030年也未必能满足需求。 少数有number，高确定性，高增长，还估值这么低的好标的。 $SNDK $DRAM 非投资建议，DYOR。

Roundhill Memory ETF（$DRAM）在35天内资产管理规模（AUM）突破50亿美元 由 Roundhill Investments 推出的 Roundhill Memory ETF，在成立仅35天后，资产管理规模便突破50亿美元，成为历史上第二快达到这一里程碑的ETF，仅比 iShares Bitcoin Trust（$IBIT）慢一天。 该ETF已经连续23个交易日实现资金净流入，其中前一日单日流入高达13亿美元，使其总资产管理规模达到51亿美元。 其主要持仓包括： SK Hynix（27%） Samsung Electronics（22%） Micron Technology（$MU） SanDisk（$SNDK） Seagate Technology（$STX） Western Digital（$WDC） Kioxia Holdings Corporation。

三星、SK海力士、Micron和SanDisk的下一季度财报发布会是另一个高潮！ 要留意一下，在日程表里标注，美光Micron 预计是24/6 （周三）盘后发布，三星和SK海力士分别大概23/7和29/7号，而闪迪发布日期大概在（24/7-3/8号）。 $MU #Samsung# #SKHynix# $SNDK $DRAM

美光 $MU 过$600了，轻舟已过万重山！ 即使现在预期市盈率还只是6点多，原因也很清晰，内存厂的估值水平最低，明年的前瞻市盈率大概是海力士5PE、三星5.5PE、美光不到6PE，其他的主流芯片公司都是15PE以上。 当AI投资周期被认为“更长、更结构性”，重新评估进入点的窗口，前提是你买到的是瓶颈，而不是热度，HBM仍是最硬的瓶颈！ $SNDK #SKHynix# #SamSung#

摩根士丹利：2026年科技行情要“分水岭”了 内存、先进代工、前道设备、封测、关键材料，这些都会被重新定价， HBM依然是最硬的瓶颈。 $MU $SNDK #SKHynix# #SamSung# 大摩出的重磅报告《2026全球科技展望》。核心意思很简单：AI投资已经从“需求疯涨”的狂欢阶段，进入到“供给卡脖子 + 利润拉锯”的复杂博弈期。 他们直言，2026年科技市场会出现明显的分水岭： - 上半年：还能接着去年AI资本开支和大宗商品涨价的顺风车，继续往前冲。 - 下半年：成本通胀开始发力，把需求往回“逼”。价格一弹性，很多终端产品就扛不住了。 报告预计，2026年全球半导体收入能冲到1.6万亿美元，同比增速非常激进（约96%）。 HBM（高带宽内存）的供给充足率会被压到只剩2%，瓶颈甚至可能往前传导到EUV光刻机等更上游的环节。 Agentic AI（智能体AI）是个大看点。它会把CPU的估值逻辑彻底重写，内存、ABF基板这些环节也会迎来重新定价。 但消费电子那边会比较难受，边缘AI在手机和PC上的普及大概率要推迟，因为BOM（物料清单）成本涨太猛。 AI不会“熄火”，但2026年的行情不会再是一路顺风车了。 摩根士丹利分析师Shawn Kim在报告里把节奏拆得很清楚： - 上半年还是AI基础设施投资主线，存储价格继续走强； - 下半年，晶圆代工、封测、内存等成本会传导到下游，压缩消费电子和IC设计公司的利润空间，边缘AI普及被迫延后。 对半导体板块，他们的预期相当乐观。资金会更青睐那些能跑赢市场共识、又卡在瓶颈位置的环节——内存、先进代工、前道设备、封测、关键材料，这些都会被重新定价。 还有一条暗线是Agentic AI。AI从“生成内容”走向“自主行动”后，系统瓶颈不再只是堆GPU，而是转向CPU调度、内存、封装/基板等更长的产业链协同。 所以选股思路也变了，不再是单押最热的AI概念，而是像杠铃策略： - 一头抓有定价权、真正卡脖子的瓶颈资产； - 另一头留点位置给那些被市场冷落、但现金流稳、估值合理的公司，防着市场波动。 总的来说，这轮AI行情已经从GPU往外扩散，扩散到商品内存、半导体设备，再到更广的产业链。当大家相信这个周期“更长、更结构性”的时候，回调其实是重新上车的机会——前提是你买的是真正的瓶颈，而不是单纯的热度。 （HBM依然是最硬的瓶颈，而且瓶颈还在往前挪：先进代工、前道设备、封测会吃到“第二波”红利。） 一句话总结：AI还在，但2026年要开始玩真本事了。

今天推演了一晚上英伟达3.16号的下一代gpu芯片Feynman费曼，给你们刨析到了英伟达真正意图，汇总了一份报告给老板们。 深度报告：《AI 算力的终极变局 —— 费曼（Feynman）架构下的“光、存、算”范式转移》 发布日期： 2026 年 3 月 1 日 核心标的： $NVIDIA, $SK Hynix , #Samsung# , $TSM 台积电， $AVGO 博通, #中际旭创# , #新易盛# 投资主题： 从“芯片外挂”到“系统级封装（SiP）”的降维打击 报告摘要：打破物理极限的三个维度 在 2026 年 GTC 大会的背景下，英伟达正式确立了从 Rubin (2026) 到 Feynman (2028) 的演化路径。其核心战略意图已非常明确：通过 3D 堆叠（SoIC）和硅光子（CPO）技术，将原本属于产业链上下游的利润（存储、网络）强制“吸入”GPU 封装内部，实现从芯片供应商向“全栈系统承包商”的身份转型。 一、 英伟达 GPU 演化路径：从“微缩”转向“空间堆叠” 英伟达的架构演进已进入“后摩尔时代”的物理博弈： Blackwell (2025): 最后一代 2.5D 封装的巅峰，主力适配 1.6T 可插拔光模块。 Rubin (2026): HBM4 的元年。引入 3nm 增强型工艺，首次在 Base Die（底座）上尝试逻辑集成。 Feynman (2028): 终极形态。采用台积电 A16 (1.6nm) 工艺与 背面供电（BSPDN）。 核心创新： 将 SRAM（LPU Dies）垂直堆叠于 GPU 之上。 角色变化： GPU 不再仅仅是计算单元，而是一个自带“高速公路（CPO）”和“超大油箱（3D SRAM）”的独立系统。 二、 存储（HBM & SRAM）演化路径：从“外挂”到“共生” 1. 技术演进与角色变迁 HBM4 (2026/2027): 接口位宽从 1024-bit 翻倍至 2048-bit。最关键的变化是 Base Die（逻辑底座） 的权力移交。存储厂（海力士/三星）必须与 $TSM 台积电深度绑定，生产 5nm 级的逻辑底座。 3D SRAM (2028): 费曼架构引入 LPU Dies。这层高带宽（80-100 TB/s）缓存将承担 70% 的实时计算数据交换，导致 HBM 从“频繁访问的内存”退化为“高容量的背景油箱”。 2. 供需测算：40% GPU 增长下的 EB 级黑洞 按照 GPU 年增 40% 的复合增长率，叠加单卡 HBM 容量倍增（192G \rightarrow 288G \rightarrow 576G）： 2026年需求3.63EB供给2.8EB，缺口22.9% 2027 年需求冲破 10 EB供给5.5EB,缺口45% 2028年需求冲破28EB供给11EB，缺口61% 产能博弈： SK 海力士凭借 MR-MUF 工艺的良率优势，在 HBM4 时代仍将拿走 60% 的 NVIDIA 订单。三星则试图通过“Foundry + Memory”的一体化服务（One-stop Solution）在费曼时代通过定制化 Logic Die 翻盘。 三、 光模块演化路径：从“线缆”到“引擎” 光模块正面临行业历史上最剧烈的身份重构： 1. 三段式跨越：Pluggable \rightarrow LPO \rightarrow CPO 可插拔（Pluggable）： 正在触碰 1.6T 的功耗墙。 LPO (2025-2026)： 新易盛的护城河。通过去除 DSP 降低 30% 功耗，这是费曼量产前解决热瓶颈的最优过渡方案。 CPO (2027+)： 博通与中际旭创的终极战场。如图所示，PIC（光子芯片）直接与计算核心通过 SoIC 混合键合。 2. 实质威胁与角色错位 博通 (Broadcom)： 利用 ASIC 优势，试图推行“芯片内集成”，直接剥离传统光模块公司的整机价值。 中际旭创/新易盛： 战略意图是向上游挺进。中际旭创通过 70% 的硅光芯片自研率，将自己从“组装厂”转化为“半导体光引擎厂”，从而在费曼芯片的 CPO 供应链中争取“二供”或“定制化服务商”的地位。 四、 英伟达的最终战略意图：建立“物理层”护城河 通过费曼架构，英伟达意图实现以下三个战略垄断： 1.脱离 DRAM 周期绑架： 通过大规模 SRAM 堆叠，降低对外部高价 HBM 带宽的依赖，从而在存储周期涨价时拥有更高的议价权和架构冗余。 2.吞并互连生态： 费曼芯片集成 CPO 后，英伟达不仅卖 GPU，还实质上卖掉了原本属于模块厂的 1.6T/3.2T 互连收入。 3.打造“单卡即机架”： A16 工艺 + 背面供电 + 3D 封装，让单颗费曼芯片的吞吐量等于现在的一个小型机架。这迫使所有下游云巨头（Google, AWS）只能购买其整体解决方案，无法通过自研模块进行“零件组装”。 五、 投资建议：谁是这场再分配的赢家？ 绝对确定性：SK 海力士 & 三星。 虽然 SRAM 减少了单位带宽依赖，但总算力暴涨带来的 “容量缺口” 是 EB 级的物理事实。海力士 2026 年单季 $250 亿利润只是开端。 爆发弹性：新易盛 & 中际旭创。 关键指标是“自研芯片替代率”。如果旭创能成功在费曼芯片量产前完成台积电的 SoIC 认证，它将获得类似半导体 IP 公司的估值倍数（Re-rating）。SRAM 堆叠非但不会削弱光模块的重要性，反而会将其推向“决定性”的地位。 台积电： 它是最大赢家。因为无论是底部的 Feynman Die 还是顶部的 LPU Die，以及它们之间的混合键合（Hybrid Bonding），全都要在台积电完成。 系统控制：博通 (Broadcom)。 它是唯一能与英伟达在 CPO 架构上抗衡的巨头，适合作为 AI 网络的防御性底座。 报告结论：英伟达费曼芯片通过 LPU Dies 和PIC/EIC 与 GPU 完全共封装，降低了HBM和光模块公司的溢价能力

⚡️ 朋友们，闪迪（ $SNDK ）确实把人看麻了。去年它还是 Western Digital 的附属，被 HDD 拖累，估值按周期股给，10 倍 PE 草草打发。 今年 2 月一拆分独立上市，画风突变，不到 15 个月，从几十美元涨到 1500+，市值破 2000 亿，反超母公司。2026 年年内涨幅接近 500%，隔壁 NVIDIA 才 涨 70% 多。 上周财报出来，营收同比涨 251%，毛利率 78.4%，每股收益 23.41 美元，幅超预期。不是达标，是碾压。存储也从 AI 配角，变成瓶颈级核心。 逻辑变了 AI 进入多模态和推理阶段，数据吞吐爆炸，企业级 SSD 成为短板。Jensen Huang 所说的存储是未开发市场，现在正在兑现。 分化也很明显：NAND（闪迪）+250%，HBM（Micron Technology）+196%，HDD仅+40%。资金已经站队。 更关键的是长协，闪迪已锁定约420亿美元最低收入 + 110亿担保，这让存储第一次有点摆脱周期股，向成长股靠。估值上，当前PE 43倍（看着贵），远期PE约19倍（还能接受）。 也有人早看懂了，Leopold Aschenbrenner 买在 ~$112，现在持仓接近 15 亿美元；链上交易员 yixie10 高杠杆做多，暴赚。 现在的问题就一个1400+ 还能不能追，多头逻辑很直接：华尔街目标价 2000 美元，如果 AI 继续烧存储，甚至有人喊 3000；但风险也很现实：Samsung Electronics、SK Hynix、Kioxia 一扩产价格就可能崩，且需求本质仍是被 AI 挤出来，消费电子并未真正复苏。 这是信仰股，如果你相信 AGI 的路径成立，进而相信存储需求会爆发，那可以长期持有；如果不信，那现在的位置就是典型高位。 有时候，最无聊的地方反而最不拥挤。但这一次，AI 的十年或许才刚刚开始，而存储的故事，也只是刚刚被唤醒。 本文未收取费用 ， 仅个人分享 ！

Veeco：在GAA、HBM与CPO交汇点上的重要玩家 如果把半导体产业链的终点是材料。Veeco就是一家材料公司。 公司业务看起来分散：LSA、MOCVD、Ion Beam、Wet、Litho。但如果用一条主线去理解，其实很清晰——它做的是在原子尺度上控制材料。 Veeco当前收入约70%以上来自半导体相关业务，产品结构可以分为三层： 第一层是LSA（Laser Annealing）和先进封装（Wet + Litho），贡献大部分收入； 第二层是Ion Beam等高精度材料处理； 第三层是MOCVD等化合物半导体设备，当前占比不高，但决定未来空间。 LSA本质是一个“热控制工具”。但在先进制程里，“热”已经不是普通变量，而是最核心约束之一。 离子注入之后必须退火，这是所有晶体管都绕不开的步骤。传统路径是RTA或炉管，但问题在于，它们是“全局加热”，时间长、扩散大。节点进入7nm以下，这种扩散开始不可接受。 GAA把问题推到极限。沟道结构更精细、尺寸更小，任何多余的扩散都会直接影响器件性能。这时候，工艺需求发生了本质变化——不再是“加热”，而是“精确加热”。 LSA的价值就在这里：纳秒级、局部加热，几乎只作用在表层。 LSA的护城河不是设备本身，而是“工艺嵌入”。一旦进入产线，很难被替换。 再看先进封装（Wet + Litho）。 HBM和Chiplet的爆发，把封装从辅助环节变成核心环节。工艺数量增加、步骤复杂度上升，对清洗、刻蚀、光刻的需求同步放大。 Veeco不是技术绝对领先，而是“高吞吐 + 低成本”的参与者。 它已经进入TSMC、Samsung、Micron等客户体系，但这块的护城河明显弱于LSA。对手是Lam、TEL、Applied这些平台型公司。 再看Ion Beam / ALD / PVD。 ALD和PVD是典型的大厂战场，Applied Materials、Lam、TEL拥有绝对优势。Veeco在这里几乎没有存在感。 Ion Beam是一个典型的niche技术：慢、贵，但精度极高。在某些场景下，比如MRAM、光子器件、MEMS，它几乎不可替代。 这类业务的特点是：市场小，但稳定，毛利高，客户粘性强。 最后看MOCVD。 这是当前占比不高，但最值得关注的一块。 MOCVD用于生长GaAs、InP、GaN等材料，是光通信和功率器件的基础。随着CPO（共封装光学）推进，InP激光器的重要性在快速上升。 问题不在于设备数量，而在于“良率 + 工艺 + 材料体系”。这一层很可能成为真正瓶颈。 Veeco和Aixtron是唯二的核心玩家。 总的来说，Veeco很可能是一个“结构性机会”。 它的当前收入由半导体驱动，但未来估值空间取决于两件事： 第一，LSA是否进入更深的先进节点工艺； 第二，MOCVD是否成为CPO时代的关键瓶颈。 如果这两件事成立，这家公司会从一个“小众设备商”，变成“材料层定价权参与者”。 免责声明：本人持有文章中提及资产，观点充满偏见，非投资建议dyor