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NAND这边的扩产节奏已经比大多数人预期的要快了。韩媒今天几篇报道给出了具体细节。SK海力士下半年重启大连二厂,装V8(238层)产线,月产能目标3到5万片,2027上半年完成。三星西安厂V6到V8(236层)的转换3月底已经做完,目前在量产。 资本开支端,SK海力士大连2025年投入440.6亿韩元,同比+52%。三星西安约3.04亿美元,同比+67.5%。韩系两家在中国的NAND投资同步加速,方向都是V8。 大连二厂是SK海力士花11万亿韩元收购Intel NAND业务时拿到的,闲置了两年多。现在能重启,NAND合约价暴涨是一方面,Q2环比+70%以上,涨幅头一次超过DRAM。更关键的是VEU切换到年度审批制。以前设备商接中国工厂的NAND产线订单,审批周期和结果都不确定,直接压制采购意愿。年度批次审批把可预测性提高了很多。报道提到国内合作方已经开始把闲置NAND设备运往大连,海外供应商也收到了初步采购订单。 市场一直盯着HBM和DRAM的capex周期,NAND被默认是周期落后者。现在韩系在中国同步转V8,加上YMTC的本土扩产,NAND环节对沉积、刻蚀、检测设备的需求释放窗口,会比卖方模型里假设的更集中。半导体设备市场里NAND的贡献权重,可能要重新算了。
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未来 3 三年,NAND 产能增加 20%,bit 产能增加 68%;DRAM 产能增加 29%,bit 产能增加 59%。
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【美股IPO】日本NAND閃存供應商鎧俠 計劃明年發行美國存托股票 鎧俠控股計劃於2027年春季發行美國存托股票(ADR)。「時間大約在4月、5月或6月,」財務總監Yoshihiko Kawamura表示。「這是一個意義非凡的項目,因為建立了與美國市場的直接聯繫。」
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这次的 SNDKG 背后是全球 NAND 闪存龙头,主营消费级存储和 AI 数据中心 SSD,相信大家平时多少都接触过他们家的产品。最近 AI 概念这么火,存储赛道的热度自然也跟着起来了。 这次看到 Gate Launchpool 开放质押 BTC、ETH、GT 瓜分 80 枚 SNDKG,以前 Launchpool 大多都是分加密项目,这次居然能拿到 G-Stock,确实有点意思。 我自己本来就一直拿着 BTC 和 GT 做长期配置,放着也是放着,现在直接拿去质押还能额外领 G-Stock,而且不用锁仓,收益按小时发放,灵活性挺高。 准备参与的可以早点质押,活动开始就能第一时间拿收益。这种羊毛不薅白不薅,别等结束了才拍大腿。 立即质押: 更多详情:
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白线 WhiteLine Daily:HBF 不是用 NAND 替代 HBM,而是把部分模型权重搬到 xPU 旁边。SK 海力士与闪迪已经发布首个开放标准,但距离送样和收入兑现仍有时间。短期更值得关注闪迪财报、NAND 价格和数据中心 SSD 表现,HBF 能否带来新一轮重估,最终还要看订单。 阅读全文:
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也不知道上半年天天鼓吹NAND短缺、DRAM短缺、光模块短缺、AI特供电力短缺的大傻逼们,现在都哪儿去了。
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UBS 上调了对 DRAM 和 NAND 的价格预测。 目前预计,DRAM 价格将在第三季度环比上涨 32%,第四季度环比上涨 18%。 NAND 价格预计将在第三季度环比上涨 30%,第四季度环比上涨 12%。
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!! 根据 Counterpoint 的数据,三星在全球 NAND 闪存市场排名第一,市场份额为 29%,SK 海力士以 18%的营收份额位居第二,而长江存储(YMTC)与闪迪并列第五,并即将追平日本铠侠(Kioxia)在全球市场份额排名第四的位置。受存储器短缺和价格上涨的推动,长江存储的市场份额从 2025 年第一季度的 8%增长至 13%。
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SK 海力士完成 375 层 NAND 闪存芯片的技术验证,预计将在年底使用现有的晶圆厂开始量产这种高密度 NAND 芯片。 值得注意的是,SK 海力士也在尝试使用钼膜替代目前传统使用的钨膜,原因是随着层数堆叠得越来越高,钨膜电阻增加导致性能下降,而钼膜在这些条件下则具有更好的电气特性。 查看详情:
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