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電子級氫氟酸產業 1. 產業背景:電子級氫氟酸在晶圓製造中的角色 電子級氫氟酸是半導體晶圓製造過程中關鍵的濕式電子化學品,主要用於清洗與蝕刻兩大核心工序,是單位晶圓耗量最大的濕式電子化學品之一。 清洗環節:氫氟酸用於去除晶圓表面的自然氧化層、金屬離子污染及顆粒殘留。隨著製程從 28nm 向 7nm 及以下演進,清洗步驟數從約 100 步增加至 200 步以上。在 3nm 製程中,由於極紫外光刻(EUV)對光刻膠表面缺陷的敏感度更高,清洗步驟進一步增至 300 步以上。每一步清洗均需使用稀釋氫氟酸(DHF)或緩衝氧化蝕刻液(BOE)。單片 12 吋晶圓在先進製程廠的耗酸量較 28nm 廠高出約 2-3 倍。 蝕刻環節:氫氟酸用於二氧化矽及氮化矽的選擇性蝕刻。在 3D NAND 快閃記憶體中,隨著堆疊層數從 128 層向 176 層、232 層乃至 300 層以上邁進,高深寬比蝕刻(High Aspect Ratio etch,簡稱 HAR etch)的次數呈指數級增長。更高的堆疊層數意味著更深的溝槽與孔洞,對氫氟酸的純度、蝕刻速率及蝕刻選擇比提出更嚴格的要求。 AI 算力拉動方面:AI 訓練與推理晶片(如 H100、B200、MI300 系列)採用先進製程與大尺寸晶片設計,單片晶圓面積較通用邏輯晶片更大,等效耗酸量相應提升。隨著 AI 資料中心資本開支持續擴張,台積電、三星、英特爾等頭部晶圓廠的先進製程產能利用率維持高位,直接拉動濕式電子化學品的消耗量成長。 根據 SEMI 數據,2025 年全球半導體設備支出約 1255 億美元,中國區占比持續提升,晶圓廠擴產是濕式電子化學品需求成長的底層驅動。 2. 邊際變化:價格、供給與認證 2.1 價格端 根據百川盈孚數據,2026 年 6 月 29 日相較年初,UP 級(對應 G3-G4)電子級氫氟酸價格上漲約 19%,UPS 級(對應 G5)上漲約 17%。價格上漲來自兩端:成本端螢石、硫酸價格上行形成支撐;需求端晶圓廠擴產帶動耗酸量提升,而日系供應商擴產節奏緩慢,供需邊際趨緊。 2.2 供給端事件 據韓媒 The Elec 報導(2026.5.14),韓國半導體材料企業所需無水氫氟酸約 90% 從中國進口,2026 年 5 月以來出現高價搶貨現象。該事件雖未構成「斷供」,但反映出日系產能瓶頸下,中國已通過認證的 G5 級供應商在供給端地位的提升。 2.3 認證進展 中國企業中,多氟多 G5 級電子級氫氟酸已向台積電、三星電子、華虹半導體、長鑫存儲等主流晶圓廠批量供貨。 3. 產業格局:日系主導與中國國內突破 日系主導格局:高端電子級氫氟酸(G5 級及以上)長期由日本企業主導,Stella Chemifa 是全球少數具備 G6 級電子級氫氟酸量產能力的企業,森田化學在 G5 級市場佔據主要份額。兩家日系企業均無在華規模化產能,中國下游廠商的電子級氫氟酸採購依賴進口或貿易商轉口。 中國突破難點體現在三個面向: 一、純度控制:根據 SEMI G5/G6 標準,G5 級要求金屬離子含量低於 10ppt,G6 級進一步要求低於 1ppt,對原料選型、設備材質、潔淨環境的要求極為嚴苛。 二、設備材質:電子級氫氟酸具有強腐蝕性,儲罐、管道、泵閥等接觸部件需採用 PFA(全氟烷氧基樹脂)等高純氟材料,以防止金屬離子析出造成二次污染。 三、批次一致性:半導體廠要求批次間的金屬離子含量、顆粒度、蝕刻速率等指標波動控制在極小範圍內,認證週期通常為 12-24 個月,新進入者從送樣到批量供貨需要較長時間的工藝磨合。
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【光電儲能】為何越來越多美國人開始安裝家用儲能電池? 根據美國能源訊息署(EIA)的數據,2026年第一季度,美國業主安裝的電池儲能容量達到創紀錄的673兆瓦。電價高昂且出台了電池安裝激勵政策的州份推動了這一增長。加州和夏威夷州在新增儲能容量方面領先全美。
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VPEC全新光電 產品價格調整通知書 (Price Adjustment Notification) 親愛的合作夥伴您好: 首先,衷心感謝貴司長年以來對 VPEC 的鼎力支持。作為您供應鏈中值得信賴的夥伴,我們始終致力於透過技術革新與製程優化,為您提供卓越的產品品質與服務價值。 然而,在過去的一年中,受全球原物料成本持續攀升、供應短缺及通膨壓力之影響,我們面臨了前所未有的挑戰。儘管我司已盡最大努力透過內部優化來吸收這些額外成本,但為因應不斷增加的營運壓力,並確保能持續穩定提供高品質產品與不間斷的售後服務,經內部審慎評估,我司決定對磊晶晶圓的產品價格進行適度調整。 本次磊晶晶圓價格調整的具體調幅將依品項規格有所差異,相關細節將由我司業務專員與您進一步聯繫。
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中國大陸太陽能光電產業歷經長期「反內捲」政策後,上游多晶矽與電池價格近期全面大幅反彈,最新報價漲幅均高達二成以上,業界視為太陽能產業有望出現新拐點,隨報價止跌勁揚
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矽電容(Silicon Capacitor) 1. 誕生背景與核心優勢 傳統鋁質電容與常規MLCC在HPC、AI伺服器、1.6T及以上高端光模組等高速、高發熱場景下,已無法滿足低熱敏、高穩定性、高頻濾波的需求。矽電容正是為此應運而生。核心優勢: - 透過閾值優化大幅提升性能,能有效過濾高速電流雜波、降低發熱干擾、保護主晶片。 - 大幅提升高端模組整體運行穩定性。 - 非MLCC:無需陶瓷封裝,以裸晶形態存在,直接替代主晶片周邊的高頻MLCC及傳統鋁質電容,是高端算力與光通訊專用的無源器件。 2. 技術與工藝特點 - 製程要求:僅需8吋、12吋成熟晶圓製程,無需5nm/7nm等先進製程。 - 核心技術壁壘:不在晶圓工藝複雜度,而在於電容/電感設計能力以及電力基礎技術累積。 - 最大工藝難點:切割環節(需精準避免損壞晶片)。國內掌握成熟切割工藝的廠商極少,這是當前產業核心壁壘。 - MLCC廠商轉產難度:極高。缺乏專項設計經驗與電力技術累積,跨界嘗試進展緩慢。 3. 完整產業鏈分工 - 晶圓製造:目前主要依賴國外晶圓廠。 - 封測環節: ‧ CP測試 ‧ 晶圓減薄 ‧ 磨平 ‧ 雷射切割(核心設備來自日本) - 出貨形式:以裸晶晶圓形式交付下游。 - 成本結構:封裝成本約占單顆整體成本的30%。 4. 產能、良率與擴產 - 晶圓尺寸:8吋與12吋均已量產。 - 單片晶圓產量:少則數萬顆,多則二十多萬顆(高端模組單片可達20-30萬顆)。 - 產能壁壘:量產階段壁壘不高,可透過新增設備快速擴產。 - 擴產規劃:多家企業三期工廠建設中,同時規劃先進封裝產能擴建。 5. 下游應用場景與用量(核心驅動力) 主要應用領域:高速光模組與HPC/AI伺服器。高速光模組: 800G光模組已部分搭載矽電容商用;1.6T光模組已正式商用出貨,單顆1.6T光模組需用到近20顆矽電容;後續3.2T光模組的矽電容用量將大幅提升。 AI伺服器: 算力模組整體用量龐大,例如英偉達相關AI伺服器單顆可使用4-6萬顆矽電容。 貼裝方式:由下游光模組廠商自行負責MSAP貼裝。 使用邏輯:並非絕對必須,但隨著1.6T+國產化推進,傳統電容無法滿足高傳輸速率與穩定性需求,矽電容成為優先替代方案。 6. 市場空間 對標MLCC成熟市場,矽電容整體市場空間可達數十億美元級別。目前MLCC尚未被完全替代,成長空間充足。 7. 競爭格局 海外:Murata、ROHM等成熟龍頭,技術領先。 中國國內:優質設計廠商各具特色,其中蘇納光電進展最快,已實現小批量量產(月產數百萬顆),深度綁定國內頭部光模組廠商。 傳統封測大廠(如日月光、矽品):短期內不會重點布局。原因在於矽電容屬於細分利基賽道,毛利低於HBM、CoWoS、2.5D/3D等主晶片高端封裝,非其策略重點。 8. 獲利水平 矽電容封測毛利率低於HBM、CoWoS等高端封裝,但因雷射切割等環節在中國國內稀缺性高,目前整體利潤水平較好。
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早安!10/7 外電綜合整理 - 3189景碩: 亞系升目標 亞系券商將3Q-4Q26E 毛利率預估上調至 33.2-35.1%(~原為 28.9-30.3%),反映產品組合改善,包括 CPU 載板貢獻提高。其中高階晶片組載板的毛利率可能約為 50%,有助於推動整體毛利率擴張;也預估3Q的ABF/ BT都會各漲10%。上修26-28年EPS至$14.8/$43.8/$77.8,以36xPE評價,同步升目標。 - AI電源:美系降台達電目標,升光寶科目標 美系大行最新預估2308台達電26-28年的EPS為$39.8/$64.8/$100.8,以明後年平均EPS的30xPE評價。預估4Q營收雙位數季增,但毛利率可能因擴廠及匯率因素小幅下滑。 預估2301光寶科已開始與超大規模雲端業者合作,切入 ASIC 與 Nvidia GPU 伺服器。且一直都有光電業務,約占 2026 年總營收的 10–20%,產品同時應用於可見光與不可見光。最新預估26-28年EPS為$11.1/$15.9/$21,以明後年平均EPS的17xPE評價,同步升目標。 - 2360致茂: 美系重申正向 總結3Q營收大幅優於美系大行預期。券商歸因於由半導體與光子業務所帶動,尤其是 SLT、metrology、光收發器/CPO 測試等業務好表現。預期於2026 年底/2027 年初開始小量出貨 新產品FT handlers與 ovens,重申正向。 - 2345智邦: 美系重申正向 總結3Q營收符合美系大行預估,且觀察從8 月開始採用的 DRAM、PCB 等寄售安排(consignment arrangement),對毛利率接下來表現有正向助益。預期 4Q26 營收將持續季增;明年潛在的新客戶與新產品將進一步強化成長動能。重申正向。 - 3665貿聯: 美系重申正向 總結3Q營收符合美系大行預期,展望 2H26,預期 HPC仍將是主要成長動能,在電源互聯跟資料互聯皆有斬獲。也積極佈局光互連領域,重申正向。 - 2059川湖: 美系重申正向 美系大行表示9月營收低於8月因部分專案的動能放緩,這些專案已進入其產品週期的後段。儘管3Q營收低於券商預期,但高於市場共識。券商對於明年仍深具信心。8月稅前淨利達成3Q預估數的30%,重申正向。 - 6515穎崴:美系重申正向 總結3Q營收仍優於美系大行預期。9月營收下滑主要是因為探針卡營收減少,由於主要專案出貨已暫時告一段落;預期 4Q26E 探針卡的營收貢獻仍將偏低。但AI GPU 與 ASIC socket 持續放量,毛利率有望逐步回升。重申正向。 - 2049上銀:美系重申正向 總結3Q營收符合美系大行預期。券商認為3Q毛利率也會進一步擴張。產業處在上行階段,重申正向。 #每日外電#
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這就是滇超的硬核浪漫! 沒有高科技的聲光電,只有最原生態的民歌啦啦隊。當大山裡的歌聲響徹綠茵場,瞬間起了一身雞皮疙瘩。果然,民族的就是世界的!#文化中國#
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早安!9/24 外電綜合整理 - 2454聯發科: 歐系升目標 歐系大行直言2028–29 年 TPU 上行空間更大,明年維持預估美金180億,2028/2029 年預估由原先的 美金350億/400億,上調至 435億/525億;主要是考量 2028 年 v8t 的產品週期更長,以及 2029 年 v9 的成長更強勁。因為券商觀察可能在 EMIB-T 之外加入 CoWoS,以在 2028–29 年進一步擴大 v9。此外,也有新案潛在機會,包含SpaceX’s Dojo 3 ,Tesla’s AI6 。 最後,券商觀察在EMIB-T使用的載板部分,Ibiden執行狀況優於市場擔心,欣興、Shinko也在增加中。綜上,上修聯發科26-28年EPS至$67.6/$177.5/$363.4,以27x 2027-28E PE評價,同步升目標。 - 3189景碩: 美系重申正向 8月自結利潤率優於美系券商預期,利潤率改善主要來自持續漲價所帶來的效益,以及CPU 用 ABF 載板出貨爬坡所帶來的產品組合改善。券商預期3Q毛利率有望來到28-29%,4Q再上升。預期ASIC 用 ABF 載板在 明年可能占營收 5%,光模組用 BT 載板的營收貢獻可能達到 3–5%。重申正向。 - 6213聯茂: 美系大行雖尚未覆蓋,不過看到光8月的單月稅後淨利就達成市場共識3Q預估數的52%,顯示3Q還有上修的空間。券商認為對整體CCL產業有正面延伸意義,重申對覆蓋裡的台光電、台燿正向觀察不變。 #每日外電#
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早安!9/21 外電綜合整理 - 3653健策:亞系升目標 亞系產業調研結果:可拆式均熱片會用於 Vera Rubin 或 Rubin Ultra ,ASP 將較目前的一體式的高出5-6倍。而且也有可能促使其ASIC 客戶採用可拆式。券商上修26-28年EPS至$68/$156.4/$236,以4Q26-3Q27的73xPE評價,同步升目標。重申正向。 - 6669緯穎:美系升目標 美系券商預期今年營收逐季成長,預估3Q26/4Q26 營收分別季增 +46%/+22%。動能包含新款GPU+ASIC AI 伺服器放量、Agentic AI推動一般性伺服器需求、潛在新的ASIC客戶。上修26-28年EPS,同步升目標。 - CCL: 韓廠Doosan宣布在韓國與中國擴產,美系大行認為這進一步證明了高階 CCL 需求強勁,券商重申對高階供給短缺現象不變,認為對覆蓋裡的台廠2383台光電、6274台燿的產業觀察是正向。重申正向不變。 #下次會考#
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早安!9/15 外電綜合整理 - iPhone: 美系大行維持iPhone 3Q26生產量預估不變,為 5400萬支(季增4%、年減2%)。首次公4Q26的iPhone 生產量預估為 7300萬支(季增35%、年增4%)。預期2H26的iPhone Duo 生產量為 700萬支。不過,2H26全新 iPhone 18系列總生產量為7100萬支(年減21%),因為相較去年少推出一款SKU。 - 3105穩懋: 歐系重申正向 歐系大行預期3Q營收季增低雙位數,主要由光通訊與基礎建設業務帶動。WiFi業務的營收展望上修為季增from持平。手機通訊業務維持季持平預估。券商對於航太以及非智慧型手機光通訊市場的成長前景較為樂觀。近期光通訊業務的成長應主要由光電二極體持續放量所帶動,預期逐月走強,明年放量。券商重申正向。 - 5274信驊:亞系升目標 亞系券商預估4QBMC 出貨量約為1,200萬顆。按照這樣的出貨速度,明年 BMC 總出貨量應接近5000萬顆(~預估用於一般型伺服器2700萬顆,用於AI的2000萬顆)。CPU:XPU 比率上升亦為驅動成長的關鍵,上修26-28年EPS為$201.8/$404/$576.9,以66xPE評價,同步升目標。 #下次會考#
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