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電子級氫氟酸產業 1. 產業背景:電子級氫氟酸在晶圓製造中的角色 電子級氫氟酸是半導體晶圓製造過程中關鍵的濕式電子化學品,主要用於清洗與蝕刻兩大核心工序,是單位晶圓耗量最大的濕式電子化學品之一。 清洗環節:氫氟酸用於去除晶圓表面的自然氧化層、金屬離子污染及顆粒殘留。隨著製程從 28nm 向 7nm 及以下演進,清洗步驟數從約 100 步增加至 200 步以上。在 3nm 製程中,由於極紫外光刻(EUV)對光刻膠表面缺陷的敏感度更高,清洗步驟進一步增至 300 步以上。每一步清洗均需使用稀釋氫氟酸(DHF)或緩衝氧化蝕刻液(BOE)。單片 12 吋晶圓在先進製程廠的耗酸量較 28nm 廠高出約 2-3 倍。 蝕刻環節:氫氟酸用於二氧化矽及氮化矽的選擇性蝕刻。在 3D NAND 快閃記憶體中,隨著堆疊層數從 128 層向 176 層、232 層乃至 300 層以上邁進,高深寬比蝕刻(High Aspect Ratio etch,簡稱 HAR etch)的次數呈指數級增長。更高的堆疊層數意味著更深的溝槽與孔洞,對氫氟酸的純度、蝕刻速率及蝕刻選擇比提出更嚴格的要求。 AI 算力拉動方面:AI 訓練與推理晶片(如 H100、B200、MI300 系列)採用先進製程與大尺寸晶片設計,單片晶圓面積較通用邏輯晶片更大,等效耗酸量相應提升。隨著 AI 資料中心資本開支持續擴張,台積電、三星、英特爾等頭部晶圓廠的先進製程產能利用率維持高位,直接拉動濕式電子化學品的消耗量成長。 根據 SEMI 數據,2025 年全球半導體設備支出約 1255 億美元,中國區占比持續提升,晶圓廠擴產是濕式電子化學品需求成長的底層驅動。 2. 邊際變化:價格、供給與認證 2.1 價格端 根據百川盈孚數據,2026 年 6 月 29 日相較年初,UP 級(對應 G3-G4)電子級氫氟酸價格上漲約 19%,UPS 級(對應 G5)上漲約 17%。價格上漲來自兩端:成本端螢石、硫酸價格上行形成支撐;需求端晶圓廠擴產帶動耗酸量提升,而日系供應商擴產節奏緩慢,供需邊際趨緊。 2.2 供給端事件 據韓媒 The Elec 報導(2026.5.14),韓國半導體材料企業所需無水氫氟酸約 90% 從中國進口,2026 年 5 月以來出現高價搶貨現象。該事件雖未構成「斷供」,但反映出日系產能瓶頸下,中國已通過認證的 G5 級供應商在供給端地位的提升。 2.3 認證進展 中國企業中,多氟多 G5 級電子級氫氟酸已向台積電、三星電子、華虹半導體、長鑫存儲等主流晶圓廠批量供貨。 3. 產業格局:日系主導與中國國內突破 日系主導格局:高端電子級氫氟酸(G5 級及以上)長期由日本企業主導,Stella Chemifa 是全球少數具備 G6 級電子級氫氟酸量產能力的企業,森田化學在 G5 級市場佔據主要份額。兩家日系企業均無在華規模化產能,中國下游廠商的電子級氫氟酸採購依賴進口或貿易商轉口。 中國突破難點體現在三個面向: 一、純度控制:根據 SEMI G5/G6 標準,G5 級要求金屬離子含量低於 10ppt,G6 級進一步要求低於 1ppt,對原料選型、設備材質、潔淨環境的要求極為嚴苛。 二、設備材質:電子級氫氟酸具有強腐蝕性,儲罐、管道、泵閥等接觸部件需採用 PFA(全氟烷氧基樹脂)等高純氟材料,以防止金屬離子析出造成二次污染。 三、批次一致性:半導體廠要求批次間的金屬離子含量、顆粒度、蝕刻速率等指標波動控制在極小範圍內,認證週期通常為 12-24 個月,新進入者從送樣到批量供貨需要較長時間的工藝磨合。
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【光電儲能】為何越來越多美國人開始安裝家用儲能電池? 根據美國能源訊息署(EIA)的數據,2026年第一季度,美國業主安裝的電池儲能容量達到創紀錄的673兆瓦。電價高昂且出台了電池安裝激勵政策的州份推動了這一增長。加州和夏威夷州在新增儲能容量方面領先全美。
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VPEC全新光電 產品價格調整通知書 (Price Adjustment Notification) 親愛的合作夥伴您好: 首先,衷心感謝貴司長年以來對 VPEC 的鼎力支持。作為您供應鏈中值得信賴的夥伴,我們始終致力於透過技術革新與製程優化,為您提供卓越的產品品質與服務價值。 然而,在過去的一年中,受全球原物料成本持續攀升、供應短缺及通膨壓力之影響,我們面臨了前所未有的挑戰。儘管我司已盡最大努力透過內部優化來吸收這些額外成本,但為因應不斷增加的營運壓力,並確保能持續穩定提供高品質產品與不間斷的售後服務,經內部審慎評估,我司決定對磊晶晶圓的產品價格進行適度調整。 本次磊晶晶圓價格調整的具體調幅將依品項規格有所差異,相關細節將由我司業務專員與您進一步聯繫。
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中國大陸太陽能光電產業歷經長期「反內捲」政策後,上游多晶矽與電池價格近期全面大幅反彈,最新報價漲幅均高達二成以上,業界視為太陽能產業有望出現新拐點,隨報價止跌勁揚
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矽電容(Silicon Capacitor) 1. 誕生背景與核心優勢 傳統鋁質電容與常規MLCC在HPC、AI伺服器、1.6T及以上高端光模組等高速、高發熱場景下,已無法滿足低熱敏、高穩定性、高頻濾波的需求。矽電容正是為此應運而生。核心優勢: - 透過閾值優化大幅提升性能,能有效過濾高速電流雜波、降低發熱干擾、保護主晶片。 - 大幅提升高端模組整體運行穩定性。 - 非MLCC:無需陶瓷封裝,以裸晶形態存在,直接替代主晶片周邊的高頻MLCC及傳統鋁質電容,是高端算力與光通訊專用的無源器件。 2. 技術與工藝特點 - 製程要求:僅需8吋、12吋成熟晶圓製程,無需5nm/7nm等先進製程。 - 核心技術壁壘:不在晶圓工藝複雜度,而在於電容/電感設計能力以及電力基礎技術累積。 - 最大工藝難點:切割環節(需精準避免損壞晶片)。國內掌握成熟切割工藝的廠商極少,這是當前產業核心壁壘。 - MLCC廠商轉產難度:極高。缺乏專項設計經驗與電力技術累積,跨界嘗試進展緩慢。 3. 完整產業鏈分工 - 晶圓製造:目前主要依賴國外晶圓廠。 - 封測環節: ‧ CP測試 ‧ 晶圓減薄 ‧ 磨平 ‧ 雷射切割(核心設備來自日本) - 出貨形式:以裸晶晶圓形式交付下游。 - 成本結構:封裝成本約占單顆整體成本的30%。 4. 產能、良率與擴產 - 晶圓尺寸:8吋與12吋均已量產。 - 單片晶圓產量:少則數萬顆,多則二十多萬顆(高端模組單片可達20-30萬顆)。 - 產能壁壘:量產階段壁壘不高,可透過新增設備快速擴產。 - 擴產規劃:多家企業三期工廠建設中,同時規劃先進封裝產能擴建。 5. 下游應用場景與用量(核心驅動力) 主要應用領域:高速光模組與HPC/AI伺服器。高速光模組: 800G光模組已部分搭載矽電容商用;1.6T光模組已正式商用出貨,單顆1.6T光模組需用到近20顆矽電容;後續3.2T光模組的矽電容用量將大幅提升。 AI伺服器: 算力模組整體用量龐大,例如英偉達相關AI伺服器單顆可使用4-6萬顆矽電容。 貼裝方式:由下游光模組廠商自行負責MSAP貼裝。 使用邏輯:並非絕對必須,但隨著1.6T+國產化推進,傳統電容無法滿足高傳輸速率與穩定性需求,矽電容成為優先替代方案。 6. 市場空間 對標MLCC成熟市場,矽電容整體市場空間可達數十億美元級別。目前MLCC尚未被完全替代,成長空間充足。 7. 競爭格局 海外:Murata、ROHM等成熟龍頭,技術領先。 中國國內:優質設計廠商各具特色,其中蘇納光電進展最快,已實現小批量量產(月產數百萬顆),深度綁定國內頭部光模組廠商。 傳統封測大廠(如日月光、矽品):短期內不會重點布局。原因在於矽電容屬於細分利基賽道,毛利低於HBM、CoWoS、2.5D/3D等主晶片高端封裝,非其策略重點。 8. 獲利水平 矽電容封測毛利率低於HBM、CoWoS等高端封裝,但因雷射切割等環節在中國國內稀缺性高,目前整體利潤水平較好。
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這就是滇超的硬核浪漫! 沒有高科技的聲光電,只有最原生態的民歌啦啦隊。當大山裡的歌聲響徹綠茵場,瞬間起了一身雞皮疙瘩。果然,民族的就是世界的!#文化中國#
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早安!7/30 外電綜合整理 - 2303聯電: 美系升目標 法說會後,美系券商調升26-28年EPS至$7.7/$8.2/$9.2,以明年15xPE評價,同步升目標。短期而言,3Q26晶圓出貨量將成長高個位數百分比,UTR 將提升至90% 初段,毛利率將改善至30% 中段區間。 券商表示接下來AI 成長將由矽光子與先進封裝帶動,三年內突破 10 億美元。其中矽光子將成為成長最快的領域之一,2Q26已完成首批 12 吋矽光子 IC 試產,並計畫於 2027 年開放平台供更多客戶採用。 在先進封裝方面,目前已有超過 10 個客戶專案同步進行,其中多項產品將於 2026-2027 年 Tape-out,並於 2028 年後開始帶來更大營收貢獻,在產品組合改善及需求前景強勁帶動下,預期EBITDA 將持續向上。 - 3037欣興:眾券商重申正向 一家美系券商直言,法說會後更加肯定ABF是賣方市場,且2Q毛利率大幅優於預期,正是 ABF 需求強勁的最佳證明,公司長期毛利率有望穩在50-60%。接下來楊梅/光復廠持續擴充ABF產能。至於EMIB-T,券商預期即便初期良率目標為 50%仍有獲利,因沒有interposer(中介層),更多附加價值將轉移至載板供應商,長期展望正向。 - 2327國巨: 美系降目標 2Q營收/獲利優於預期,BB ratio 升至2.2,展望3Q產能利用率將提升至 90% 以上,顯示供需環境正持續趨緊,且AI佔營收比也在提升中。一家美系調升26-28年EPS至$19.9/$35.4/$48,改給35xPE評價(from 40x) ,反映當前去槓桿化的投資環境,重申正向但降目標。 - CCL: 美系重申台光電、台燿正向 展望3Q,美系券商表示台光電營收有望季增21%、台燿季增23%伴隨毛利率擴張。Trainium 3、Rubin使用高階CCL持續放量。台光電也有、TPU v8專案,重申正向。 - 6488環球晶:美系升目標 儘管美系大行維持EW, 但調升26-28年EPS至$27.7/$35.8/$51,以明年25xPE評價,同步升目標。 券商表示未來如果漲價超過預期後,會再行升評考慮,目前觀察報價漲幅仍低於市場預期,僅有美光的折扣後仍可較目前 LTA 價格高出 20%~30%,因為反映成本因素,其它預期LTA 明年漲10%~30%,同時觀察Tier 2 foundry 客戶手上還有6-7個月庫存,使明年再談漲難度增加。 - 3211順達:美系重申正向 美系預期2H26持續成長,7 月中旬起,BBU 拉貨已恢復正常,加上8kW/12kW BBU 新品推出,以及4Q26起開始供貨給一家CSP。 #下次會考#
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早安!5/19 外電綜合整理 - 成熟製程:美系稱上行循環開始 *升評升目標:聯電 *降評升目標:環球晶 *升目標:世界先進 美系大行直言2H27預期成熟製程產能將出現短缺,因AI電源IC需求將足以抵銷疲弱的消費性與智慧手機,再來受惠來自台積電/三星外溢訂單,且認為台積電會用更有紀律的方式管理舊世代產能。 券商觀察聯電,需求回溫且調升晶圓價格,2H26平均漲5-10%,明年進一步漲價。產能部分,預期2H26-28產能吃緊。 世界先進,券商觀察台積電正將部分interposer生產外包給它,且新加坡廠的interposer業務毛利率也將優於其他電源相關產品。因產能吃緊,1H26調漲價格甚至也調升LDDIC價格。 最後,環球晶,券商認為市場已反應下半年價格復甦、LTA履約改善,以及化合物半導體進展等。 - ABF: 美系升目標:欣興/南電、升評升目標:臻鼎 美系大行上調ABF供給缺口,預期到2030年ABF供給缺口將擴大至22%(~先前為15%)。 券商上修欣興26-28年EPS至$11.6/$24/$49,以明年51xPE評價;上修南電至$11.5/$23.8/$51,以明年54xPE評價。 對於臻鼎,券商認為IC載板營收至後年年將成長3倍。除了受惠中國晶片需求增長外,看到也在爭取Google TPU載板認證。光模塊部分,早已具備mSAP能力。另外看到BT市占率也在提升。上修26-28年EPS:$13.8/$21.1/$28.5, 以明年25xPE評價。 - 2383台光電:美系重申正向 美系券商預估後年產能還要再擴2成出來以對應需求。mSAP部分,最早由智慧手機導入,而台光電自2019年以來一直維持約80%的主導市占率,券商預期在CPO的應用上將進入量產階段。近期動能而言,預期2Q會漲價以反映成本上漲,預估毛利率回升,重申正向。 - 3023信邦:亞系升目標 亞系上調今年展望,並預估後年營收超過500億台幣。預期明年動能由半導體設備與自動化趨勢帶動,後年則由人形機器人與無人機帶動。最新預估26-28年EPS為$15.7/$19.1/$22.5,以未來一年21xPE評價,同步升目標。 #下次會考#
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【花巨資仍難逃“資安風險”,藍營批台當局招標有“貓膩”】 據台媒報道,美國網絡安全公司Fortinet近日驚爆大規模憑證外洩事件,全球逾7萬台FortiGate防火牆與SSL VPN設備的登入憑證遭黑客竊取外流。 台當局“數位發展部”資安署緊急發佈“FortiBleed”重大警訊,要求各機關全面盤點設備風險。然而這場全球網絡安全風暴,卻意外掀開了台當局耗費巨資打造的網絡安全防線背後那道觸目驚心的裂縫。 國民黨“立委”馬文君6月25日火力全開,直指台“陸軍”在2025年底決標的“機敏資安核心”案,總經費高達6.1億元新台幣,中標廠商中光電智能雲服採用的核心設備,正是美國廠商的Fortinet防火牆。 馬文君指出,這項標案攸關台軍網路管理核心繫統,“一旦遭入侵,影響的恐怕不是單一設備,而是整體軍網監控與管理能力”。 馬文君稱,早在今年3月,同黨“立委”徐巧芯質詢時便已發出預警,當時參與投標者包括具大型資安建置經驗的中華電信、華經資訊等業者,最後卻由資安經驗最少、沒有大型資安系統建置實績的中光電得標。短短3個月後,資安署的緊急警訊便印證了當初的擔憂絕非空穴來風。 面對國民黨的連番質問,民進黨當局的回應卻顯得格外消極。馬文君痛批,當局“國防部”至今仍強調“設備合規、原廠使用廣泛、廠商有履約實績”,卻始終未清楚說明台軍系統是否受到影響、是否出現在相關情資清單,以及目前究竟完成了哪些檢查與補救措施。“當局的責任是守護台灣安全,不是替廠商辯護;花的是納稅人的錢,就必須接受最嚴格檢驗”。(來源:香港新聞網) 詳情:
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川普访华,英伟达总裁黄仁勋半路上飞机陪同,AI半导体小跌之后继续上涨。 AI概念继续,底层光模块成为下一个百倍机会。 AI算力的「新天花板」已現-GPU再猛,也被資料傳輸徹底卡住! 從機架到資料中心,銅纜已到極限,光子學正式接管AI互聯命脈! 雷射、光收發器、DSP、矽光子、光開關、光纖…這些曾經的「冷門技術」,正在成為決定萬億AI集群性能的核心基礎設施! 📈2025光子學頂級玩家速覽(今年真實漲幅,乾貨拉滿): $AAOI +430% 超大規模AI光收發器,月產能10萬台,直連Houston&台灣供應鏈 $AEHR +418% 矽光IC燒錄驗證系統,全球大廠排隊,訂單積壓5090萬美元 $LITE +186% InP雷射全球50-60%份額,400G差分EML已量產,訂單超4億美元 $CIEN +149% AI長短距網路核心,1600ZR/ZR+光模組+6.4T光引擎震撼亮相 $GLW +137% 光纖光纜基礎設施王者,Meta簽60億大單,多芯光纖容量暴增4倍 $MTSI +114% 光模組類比晶片龍頭,800G/1.6T全面升級 $COHR +106% InP+矽光+1.6T全覆蓋,400Gbps矽光已實測 $MRVL +101% 光DSP訊號處理大腦,1.6T/6.4T矽光引擎全面鋪開 $CRDO +46% 活躍電纜+光DSP+矽光一體化,7.5億收購DustPhotonics $FN +43% 精密製造底層,泰國+美國產能支撐光模組爆發量產 $ALAB +25% Chip-to-chip光學引擎IP,直接嵌入AI互連平台 $AVGO +24% 光DSP+EML+VCSEL+400G DSP,3.2T→204.8T切換已就位 ⚡光子學不是概念,是AI算力突破的唯一答案! 錯過GPU紅利的人,這次真的要再錯過光子學萬億賽道嗎? 把這條乾貨收藏、轉發、拉進你的AI知識庫—— 真正的財富密碼,往往藏在「看不見」的底層基礎建設裡! #AI# #Photonics# #光子學# #矽光子# #AI基礎設施# #資料中心# #高效能運算# #半導體# #光模組# #AI算力#
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