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#英特尔# EMIB-T技术预计2027年量产 成本较 #台积电# CoWoS 大幅降低五成 英特尔近年来持续强化先进封装布局,其EMIB(Embedded Multi-die Interconnect Bridge,嵌入式多芯片互连桥)正逐步获得越来越多外部客户关注,并成为Intel Foundry的重要竞争优势之一。 EMIB可与Foveros等技术协同,支持2D、2.5D及3D Chiplet异构集成,在系统层面兼顾成本、功耗、带宽与设计灵活性。 作为一种基板嵌入式硅桥技术,EMIB无需传统2.5D方案所依赖的整块硅中介层,仅在高速互连区域嵌入局部硅桥,从而减少硅面积和制造成本,同时实现高密度、低延迟的芯片间互连。 CoWoS是"整块硅高速公路",EMIB则是"按需修建立交桥"——只在真正需要高速互连的位置使用硅桥,因此更具成本优势和Chiplet设计灵活性;而Foveros则进一步补足了3D垂直堆叠能力,使Intel形成了"EMIB(横向)+Foveros(纵向)"的完整先进封装体系。
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聊一下Intel的EMIB-T,这个技术可能在未来两年改变先进封装的竞争格局。 先说背景。AI加速器的封装面积越来越大,一颗芯片装不下的计算和内存,需要把多颗die封装在一起协同工作。当封装面积超过单次光刻曝光的极限,就需要用”局部硅桥”来连接相邻的die。这个思路,TSMC和Intel各自走出了不同的实现路径。 TSMC的CoWoS-L,L代表LSI(Local Silicon Interconnect),用局部硅桥做相邻die之间的高密度互连,全局布线靠InFO RDL扇出层完成,整个工艺在圆形晶圆载板上加工。Intel的EMIB,同样是局部硅桥,但嵌入的是矩形有机基板,全局布线靠基板上的金属层完成。两者底层思路相近,但制造平台和全局布线的密度存在本质差异。 早期EMIB有一个结构性短板。硅桥里没有垂直通孔,电源从基板底部送不穿桥,只能绕路。偏偏最需要电的PHY电路就坐在桥的正上方(信号线越短越好,所以PHY放在die最边缘),电源反而要从die中心横向传过来。路径长,压降大,瞬态响应差。HBM3e时代还能应对,到HBM4接口宽度翻倍、pin速率推到6.4Gbps以上,这条供电路径就成了瓶颈。 EMIB-T就是解这个问题的。T代表TSV,在桥里打铜通孔,电源从基板直接垂直穿过桥送到上面的PHY。同时桥里集成MIM电容和接地铜网格,就地稳压滤噪。供电路径从横向绕行变成垂直直连。 这个改动释放了两层约束。第一层是供电能力,可以支撑HBM4/4e级别的功耗需求。第二层是封装面积上限,Intel目标是2026年做到120×120mm封装、集成8倍光罩面积的硅,2028年推进到120×180mm、超过12倍光罩。 跟CoWoS-L的竞争,核心差异在制造平台。CoWoS-L在圆形晶圆载板上完成全部工艺,面积越大,晶圆边缘的浪费越大,RDL层的均匀性和翘曲控制难度也非线性上升。EMIB-T在矩形有机基板上多放桥,每个桥的工艺独立重复,整体良率虽然也随桥数量指数衰减,但衰减速率稳定可控。封装越大,EMIB-T在成本上的优势越明显,良率的可控性也越高。反过来说,CoWoS-L的InFO RDL层提供了更高密度的全局布线和电源分配能力,加上NVIDIA等客户的设计生态已经深度适配CoWoS工艺,迁移成本极高,这是CoWoS短期内不可替代的护城河。 目前的状态是,标准EMIB量产良率90%,Intel表示已接近传统FCBGA封装水平。EMIB-T验证良率也到了90%,但这是小批量数据,量产目标98%。郭明錤的评价很准确,从90%到98%比从零到90%难得多。2026年EMIB-T进产线验证,2027年可能出现第一批产品(Jaguar Shores),Google TPU等外部客户也在评估EMIB-T方案,2028年才是真正的放量年。当然,Intel近几年的产品节奏有过多次延期,这个时间线能否如期兑现本身就是一个需要追踪的变量。 对TSMC的影响,我的判断是分流,不是替代。NVIDIA跟TSMC的全栈绑定短期内动不了,但Google、Meta这些做自研AI ASIC的客户,以及Apple等寻求封装供应链多元化的厂商,封装面积需求大、成本敏感、又有分散供应链的动力,EMIB-T给了它们一个真实可用的备选。Bernstein估算,EMIB平台封装每颗芯片成本在几百美元量级,而Rubin级别加速器上CoWoS-L封装成本约900到1000美元。即便只从边缘蚕食,打破CoWoS垄断定价权这件事本身,对整个产业链的影响也远超实际转移的份额。 SK hynix这两天也传出在跟Intel合作研发EMIB封装。HBM供应商主动拥抱EMIB生态,说明连它们自己都不想被CoWoS产能卡住出货节奏。 Intel的EMIB-T,正在把先进封装的竞争从”谁的技术更好”转向”谁能在超大面积上同时控住成本和良率”。从目前的市场叙事来看,EMIB-T的结构性优势应该还没被充分讨论。
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閒聊 Intel EMIB-T 封裝的 2H27 新款 Google TPU(Humufish)。以下根據我的產業調查: 【EMIB-T 90% 良率,該怎麼看?】 1. 基於 Intel 已經有穩定生產 EMIB 的經驗,開發中的 EMIB-T 技術驗證良率達到 90%,是很正向但也合理的訊號。 2. Intel 把 FCBGA 設定為 EMIB 生產(組裝)良率的比較標竿。目前業界 FCBGA 的生產良率約在 98% 以上。 3. 從良率角度,90%→98% 難度高於從開案 → 90%。此外,技術驗證良率與成品生產良率也是兩回事(特別是 Humufish 仍有規格未定案)。所以我雖正向看待 Intel 先進封裝長期發展,但中短期內仍會謹慎關注 Intel 如何面對這些挑戰。 【從 90% 到 98%,表面上才差個幾%,Google 會在意嗎?當然會】 1. Google 近期詢問過台積電,自行投片 Humufish 的 main compute die(由 Google 自行設計),與讓聯發科代為投片相較,成本可節省多少。 2. Google 與聯發科的合作一開始(8t)就是採 semi-COT 模式。聯發科的 mark-up 主要來自自行設計部分,所以 Google 是否親自投片 main compute die,不是聯發科獲利成長趨勢的觀察重點。 3. 但從 Google 連投片相關的 pass-through mark-up 都想看看能不能省,代表 Google 的成本控管態度,已從過去的好好先生,變成錙銖必較的精算者,原因在於要跟 Nvidia 直接競爭,所以具備成本優勢的 Google 當然會在意 EMIB-T 生產良率。順帶一提,台積電對 2026 年 5.5-reticle CoWoS 的生產良率目標,也是 98% 起跳。 【台積電的立場】 1. 我的理解是,台積電仍在評估 2H27 要分配多少先進製程產能給 Humufish,原因在於:(1) 仍想爭取後段封裝訂單(但目前看很難,這是 Google 有意為之的策略)、與 (2) 尚在評估後段 EMIB-T 實際產出,避免稀缺的先進製程資源被錯置。 2. 影響 Humufish 後段有效產出的關鍵,包括 EMIB-T 與載板,要追蹤這件事必須兩個一起看。 3. 在 Humufish semi-COT 方面,台積電也是傾向讓聯發科投片main compute die,除了兩家公司關係好外,關鍵是聯發科是台積電第三大先進製程客戶(2025年),若 TPU 訂單有變化,以聯發科的規模,較容易協助台積電做投片組合調整,扮演一個稱職的緩衝角色。
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野村2026年6月AI半导体与服务器报告300字概要 野村这份报告判断本轮AI周期尚未见顶,近期板块回调属于上涨后的健康消化。全球数据中心建设持续扩容,2027年新增算力32GW、2028年23GW,云厂商、新云企业资本开支持续加码,但2026下半年至2027年将出现全品类元器件供需严重错配,基板、电容、PCB等小元件(WoS)会比台积电CoW封装更紧缺,限制出货。 台积电激进上调2027年CoWoS产能至200万片,受基板约束实际仅能产出180万片;英伟达、谷歌瓜分大部分封装产能,AMD、AWS份额被挤压,形成巨头竞争、中小芯片厂商供给受限格局。英特尔EMIB-T成为台积电先进封装核心对手,台积电靠SoIC、CoPoS技术应对,英伟达Feynman芯片将采用3D SoIC堆叠,带动碳化硅热载需求。 Agent AI催生服务器CPU全新千亿赛道,ARM、英伟达Vera、AMD Venice等新品放量,CPU/GPU配比持续提升。报告上调2026-2027全球服务器收入增速至74%、65%,并上调台积电、ASE等9家产业链公司目标价,提示美债收益率上行、云厂商自由现金流承压为主要风险。
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英伟达的下一代旗舰芯片,可能要用到英特尔的封装技术了。 瑞银的报告透出了底牌。 即将面世的 Rubin Ultra AI GPU 规划了两个版本。 一个是常规的 2 芯片标配。 另一个是顶配的 4 芯片旗舰。 关键在这个 4 芯片怪物身上。 它可能会采用英特尔代工的 EMIB-T 先进封装技术。 一直以来,英伟达的高端算力卡都死死绑在台积电的生产线上。 但台积电的先进封装产能早被全球客户挤爆了。 老黄必须给自己找第二条命脉。 英特尔砸重金做代工,眼下最缺的就是一个能镇住场子的顶级大单。 一旦这套方案落地,台积电独揽算力代工的铁幕就会被撕开一条口子。
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早安!7/30 外電綜合整理 - 2303聯電: 美系升目標 法說會後,美系券商調升26-28年EPS至$7.7/$8.2/$9.2,以明年15xPE評價,同步升目標。短期而言,3Q26晶圓出貨量將成長高個位數百分比,UTR 將提升至90% 初段,毛利率將改善至30% 中段區間。 券商表示接下來AI 成長將由矽光子與先進封裝帶動,三年內突破 10 億美元。其中矽光子將成為成長最快的領域之一,2Q26已完成首批 12 吋矽光子 IC 試產,並計畫於 2027 年開放平台供更多客戶採用。 在先進封裝方面,目前已有超過 10 個客戶專案同步進行,其中多項產品將於 2026-2027 年 Tape-out,並於 2028 年後開始帶來更大營收貢獻,在產品組合改善及需求前景強勁帶動下,預期EBITDA 將持續向上。 - 3037欣興:眾券商重申正向 一家美系券商直言,法說會後更加肯定ABF是賣方市場,且2Q毛利率大幅優於預期,正是 ABF 需求強勁的最佳證明,公司長期毛利率有望穩在50-60%。接下來楊梅/光復廠持續擴充ABF產能。至於EMIB-T,券商預期即便初期良率目標為 50%仍有獲利,因沒有interposer(中介層),更多附加價值將轉移至載板供應商,長期展望正向。 - 2327國巨: 美系降目標 2Q營收/獲利優於預期,BB ratio 升至2.2,展望3Q產能利用率將提升至 90% 以上,顯示供需環境正持續趨緊,且AI佔營收比也在提升中。一家美系調升26-28年EPS至$19.9/$35.4/$48,改給35xPE評價(from 40x) ,反映當前去槓桿化的投資環境,重申正向但降目標。 - CCL: 美系重申台光電、台燿正向 展望3Q,美系券商表示台光電營收有望季增21%、台燿季增23%伴隨毛利率擴張。Trainium 3、Rubin使用高階CCL持續放量。台光電也有、TPU v8專案,重申正向。 - 6488環球晶:美系升目標 儘管美系大行維持EW, 但調升26-28年EPS至$27.7/$35.8/$51,以明年25xPE評價,同步升目標。 券商表示未來如果漲價超過預期後,會再行升評考慮,目前觀察報價漲幅仍低於市場預期,僅有美光的折扣後仍可較目前 LTA 價格高出 20%~30%,因為反映成本因素,其它預期LTA 明年漲10%~30%,同時觀察Tier 2 foundry 客戶手上還有6-7個月庫存,使明年再談漲難度增加。 - 3211順達:美系重申正向 美系預期2H26持續成長,7 月中旬起,BBU 拉貨已恢復正常,加上8kW/12kW BBU 新品推出,以及4Q26起開始供貨給一家CSP。 #下次會考#
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英特尔 $INTC EMIB 供应链 芯片封装:Powertech Technology $6239.TW 凸点焊接:Amkor Technology $AMKR 芯片键合: ASMPT $0522.HK Kulicke & Soffa $KLIC 激光打标: E&R Engineering $8027.TWO 等离子清洗: E&R Engineering $8027.TWO EMIB 基板 & IC 基板 Ibiden $4062.T Unimicron $3037.TWO AT&S $ATS.VI Shinko ABF 薄膜层压: 味之素 $2802.T Eternal Precision Mechanics $7795.TWO 桥接芯片键合: Toray $3402.T 电镀: ASMPT NEXX 激光微孔钻孔: 三菱电机 $6503.T 烤箱: Group Up $6664.TWO 其他元件: 硅电容器 AP Memory $6531.TW 三星电机 $009150.KS 硅电容器代工 Powerchip $6770.TW 联华电子 (UMC) 华邦电子 $2344.TW 信息来源于野村证券
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🔥 前AMD高管深度拆解:ASIC战局与芯片巨头的隐秘关系 ⠀ $NVDA 之外的世界,正在悄悄重组 👇 ⠀ 1️⃣ 为什么 $GOOGL TPU 需求暴增? ⠀ 市场迫切需要 $NVDA 以外的选择 ⠀ 推理端需求爆发,TCO成为新战场 ⠀ 前几代TPU主打训练,现在全面转向推理 ⠀ 2️⃣ 推理时代的新指标 ⠀ 不再只追求原始算力和最大功耗 ⠀ 转向每瓦性能和每美元性能 ⠀ 效率才是下一轮竞争的核心 ⠀ 3️⃣ $GOOGL TPU 背后谁在撑场? ⠀ 核心架构:$GOOGL 自研 ⠀ SerDes IP 等关键知识产权:来自 $AVGO ⠀ 两家深度绑定,不是简单的甲乙方关系 ⠀ 4️⃣ $MRVL 的下一张牌 ⠀ $GOOGL 将与 $MRVL 合作开发下一代内存处理单元 MPU ⠀ 最大瓶颈:ASIC与内存之间的数据传输速度 ⠀ 解法:把部分计算直接卸载到内存,减少吞吐瓶颈 ⠀ 5️⃣ $INTC 的逆袭机会 ⠀ $GOOGL TPU 第九版将采用 $INTC 的 EMIB 封装技术 ⠀ $META 计划2027年用 $INTC 开发自研ASIC ⠀ 这些都是代工订单,不直接影响 $AVGO 和 $MRVL 的设计业务 ⠀ 但 $INTC 代工端将显著受益 ⠀ 💡 一句话总结 ⠀ AI芯片格局正在从 $NVDA 一家独大 ⠀ 演变成 $GOOGL · $AVGO · $MRVL · $INTC 多方分食 ⠀ 每一层都有赢家,关键是你蹲在哪一层 ⠀ ❓ 你最看好哪家从这轮ASIC浪潮中获益最多? ⠀ 评论区告诉我 👇
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华为今天发布的”韬(τ)定律”,核心命题是用”时间缩微”替代”几何缩微”,通过逻辑折叠、3D堆叠、die间高密度互联来持续提升晶体管密度,绕开先进制程卡脖子的问题。 说实话,技术层面没有新东西。就是周日我刚发过的3DIC、先进封装、Chiplet异构集成那套路线,台积电SoIC/CoWoS、Intel Foveros/EMIB、三星X-Cube、长存的Xtacking都在做同样的事。区别在于华为是被制裁逼到这条路上的,现在回过头来给它起了个名字,上升到”定律”的高度。😂 既然上升到了“定律”的高度,相关的设备和耗材将继续向好。3DIC路线越被产业界认可,先进封装的资本开支就越大。混合键合设备、TSV刻蚀和电镀设备、ABF载板、underfill材料、CMP研磨垫、CMP浆液、硅片,用于Chiplet的高密度RDL和micro-bump工艺,这些环节的需求曲线又被这轮叙事再加速一次。包括那些下游的先进封装厂,盛合晶微、通富、长电。
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nvda豪掷15亿预付amkr,是因为先进封装会成为下一个HBM吗? AI产业每隔一段时间,都会有新瓶颈,然后大家就会想办法解决瓶颈,然后瓶颈就会随着解决方案继续移动。 原因很简单。AI芯片越来越像一个系统。GPU Die数量增加,HBM容量不断提升,Interposer尺寸持续扩大,Chiplet架构成为主流,Package面积和复杂度同步提升。从Hopper到Blackwell,再到Rubin,每一代产品占用的先进封装资源都明显增加。未来GPU出货量增长30%,先进封装需求增长50%-70%将并不令人意外。 这意味着,先进封装开始从制造环节演变为一种稀缺资源。限制GPU出货的不再只是晶圆和HBM,而是整个系统级集成能力。 更重要的是,需求来源正在多样化并快速增长。过去先进封装主要服务于NVIDIA GPU,如今Google TPU、AWS Trainium、Microsoft Maia、Meta MTIA、Broadcom ASIC以及未来越来越多定制AI ASIC都需要先进封装。GPU需求仍在增长,同时新增了一条规模巨大的ASIC需求曲线,两者共同争夺有限的封装能力。 供给端却难以快速释放。先进封装工艺流程及其复杂,包括的CoWoS、Hybrid Bonding、TSV、高精度贴装、超大尺寸Interposer、先进测试和热管理,每一个环节都需要专用设备和成熟工艺。很多核心设备全球供应商数量有限,即使资本充足,也无法短时间完成扩产。 这也是为什么近期越来越多AI公司开始提前锁定未来数年的封装产能,英伟达这次的15亿,很可能只是冰山一角:提前锁定的是未来几代产品的制造能力和供应链优先级。先进封装正在逐渐具备类似HBM长期锁产能(LTA)的产业特征。 在已经拿下tsmc cowos50-60%产能的情况下,英伟达今天如此激进的做法很可能会引起其他市场的玩家恐慌性争相效仿,开始争夺剩下的先进封装产能。 不过,先进封装并不会完全复制HBM行情。HBM的供给几乎集中于SK海力士、三星和美光三家公司,进入门槛极高,供给弹性极低,因此价格和利润弹性异常突出。先进封装虽然龙头仍然集中,但未来参与者更多,TSMC之外,Amkor、ASE、SPIL、Samsung、Intel以及部分中国封装厂都有机会分享增量市场,不同技术路线之间也存在一定替代空间,例如CoWoS、FoCoS、EMIB、I-Cube、Panel Level Packaging以及未来Hybrid Bonding等方案,因此供给弹性整体仍高于HBM。 但先进封装的重要性已经不只是一个制造工艺,而是AI时代最核心的基础设施之一。HBM提供高速存储,GPU提供计算能力,而先进封装负责将所有异构芯片整合成一个可运行的系统。未来随着Chiplet、HBM堆叠、异构计算和系统级封装不断升级,先进封装的价值量和战略地位仍将持续提升。 而封装需求的不断快速提升,将继续拉动封装材料,设备,测试等上下游环节需求的继续大幅增长 免责声明:本人持有推文题及资产,观点充满偏见,非投资建议dyor
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