长鑫存储的材料与耗材供应链全景 昨天讲了长鑫的设备供应链，今天讲另一半的材料和耗材。这一块的国产化进度比设备端要快一截，但内部分化也更剧烈。长鑫2024年LPDDR系列占主营收入82.74%，材料消耗结构跟Mobile和AI需求节奏强相关。招股书披露2024年六大类原材料采购合计约114.7亿元（主要原材料采购金额121.9亿元），2025年上半年61.45亿元。六大品类结构是化学品37.29%、备件及其他约34.69%、光阻剂12.16%、硅片8.55%、气体5.10%、靶材2.21%。化学品从2022年的27.49%一路升到37.29%，已经超过备件成为第一大头，既来自DDR5迭代后湿法和ALD消耗量放大，也来自产能建设期备件采购前置完成后的镜像效应。按2026年Q1的业绩以及历史数据推测，全年材料采购规模冲到270亿以上是大概率。 一个品类一个品类看。 化学品占了近38%，是国产替代弹性最大的一格。湿电子化学品方面，晶瑞电材向长鑫供应高纯双氧水、硫酸、氨水、异丙醇、盐酸、硝酸、NMP等全品类，年出货量数千吨，核心产品已全面实现国产替代（晶瑞同时也是国内i线光刻胶龙头，见光阻剂段）。格林达是国内半导体显影液隐形冠军，国内唯一实现SEMI G5级TMAH显影液量产，已供应长鑫。江化微是国内湿电子化学品龙头，江阴本部产能9万吨/年，三大基地全部建成后总产能将超30万吨。CMP抛光液方面安集科技是绝对龙头，2024年抛光液营收15.5亿元，国内市占率约70%、全球约10-11%。CMP抛光垫方面鼎龙股份国内市占率超70%，在长江存储供应链中占主导地位，与长存共建联合实验室开展抛光垫底层技术攻关，CMP抛光垫2025年收入10.91亿元同比增长52.34%。ALD/CVD前驱体方面，雅克科技是国产龙头，已进合肥长鑫和长江存储。据产业链消息，安德科铭也值得关注，长鑫科技全资持股的长鑫芯聚2025年10月入股了这家公司，同时它本身就是长鑫的重要材料供应商，2024年自研High-K前驱体批量供货，2025年铜陵基地营收2.39亿元，形成210吨/年高纯前驱体产能，7款产品转量产。产业资本反向绑定材料厂的玩法在前道材料里很罕见，意味着高k前驱体已经被长鑫定性为战略环节亲自拉国产替代。化学品单价指数从2022年的100跌到2025上半年的77.90，过去三年累计跌22%。景气回升直接传导的是采购量而非单价，单价反弹要看上游化工大宗品走势，但量价叠加后化学品这一格的总采购额弹性最大。 备件及其他占近35%，是设备零部件耗材，包括反应腔体、石英件、密封圈、靶材辅件、传输部件等。单价跟着半导体大宗品价格剧烈波动，2024年单价指数升到156.53涨了56%，2025上半年骤降到97.29已经低于2022年水平。国产标的集中在石英件和密封件，菲利华是石英玻璃龙头，半导体级石英玻璃已用于多家头部晶圆厂。新莱应材在密封件和洁净管路国产替代上走得比较深。备件供应商集中度最高，2024年前五大供应商里有三家是备件供应商，合计占比超过19%。 光阻剂占12.16%，是材料端分层最严重的一格。i线光刻胶用于非关键层，晶瑞电材多年国内市占率第一，已批量供货长鑫，国产化率约10%。KrF已经跑通，晶瑞电材批量供合肥长鑫和中芯国际，彤程新材旗下科华微电子是国内唯一为本土8寸和12寸晶圆厂批量供应KrF的企业，上海新阳的KrF也实现批量销售。ArF还在爬坡，南大光电现有ArF光刻胶产能50吨/年，28纳米ArF已小批量供货（2025年销售额突破2千万元），14纳米浸没式良率达99.7%。市场流传的宁波500吨/年扩产项目公司称未实施，需谨慎对待。彤程新材的ArF/ArFi已开始批量供货。鼎龙股份的浸没式ArF获得了客户订单。上海新阳的ArF浸没式光刻胶也已取得销售订单。ArF国产化率从接近零开始破冰，已有少量供货，但离摆脱日本依赖还远。2025年日本对华光刻胶供应配额削减10-15%，年底部分日企暂停供货，倒逼效应明显。光刻胶的天花板跟光刻机一样硬，没有先进光刻机进入国内，先进光刻胶就没有真实的量产验证机会。国产ArF再好，也只能在长鑫这种被限制在DUV阶段的产线上跑。EUV光刻胶目前为零，上海新阳在开发但离量产很远。 硅片占比8.55%，是六大类里2025年下半年加仓最明显的一项。2025上半年占比一度跌到6.27%，全年回升到8.55%，反映下半年长鑫主动加大硅片备货，对应DRAM价格快速上涨之后产能爬坡和战略备库存的双重逻辑。国内主供是沪硅产业，2025年300mm硅片销量641.63万片，存储是其主要应用领域之一。立昂微12英寸硅片覆盖14纳米以上节点存储电路，进入部分存储客户供应链。海外端长鑫还在依赖信越、SUMCO、环球晶圆、Siltronic。对比长江存储已经大幅减少SUMCO采购转向国产，长鑫硅片国产化方向是定的，但完整切换还需要两到三年。 气体这一格要单独看。招股书披露的"气体"采购占5.10%，但有明确注释"气体不含大宗气体耗用"。也就是说5.10%只是工艺特气和电子特气，氮氢氧氩等大宗气体走的是另一条单独的供应通道。这条通道的国产化反而走得最彻底。广钢气体是长鑫最大的电子大宗气体供应商，双方签了15年长期供气协议，覆盖合肥和北京两座基地，2025上半年广钢在长鑫的采购占比40%到45%。15年长协在半导体材料端非常罕见，本身就是国产化已经走通的强信号。工艺特气这边，华特气体的光刻气国内市占率60%，全球四家通过ASML和Gigaphoton双重认证的企业之一。中船特气是国内电子特气第一、全球第九，2002年就突破了三氟化氮的国外垄断。金宏气体补充中端品类。气体单价指数从100跌到62.29，跌幅38%。单价跟上游工业气体成本走，但采购量跟着长鑫投片量走，量的弹性确定性最高。 靶材只占2.21%，但国产替代故事最完整。江丰电子覆盖铝、钛、钽、铜、钨全系列，钽/钛/铝靶已实现5纳米节点量产，部分产品进入3纳米工艺验证。有研新材旗下有研亿金是央企背景的第二供应商，稀土靶材全球市占超85%。这个环节国产化率已经在60%以上，对长鑫扩产的弹性主要体现在订单放量而不是国产突破。 掩模版是跟ArF光刻胶并列的另一个薄弱点。先进节点一套掩模版成本数百万美元，长鑫用的高端掩模版大概率仍由美国Photronics和日本Toppan、DNP供应，国产化率极低。 封测基本实现国产化。深科技旗下沛顿科技是长鑫最大的委外封测供应商，承接其超50%的封测需求，处理17纳米及以下先进制程。长电科技提供DRAM模组封装，通富微电配合开发HBM芯片样品。盛合晶微、华天科技也有布局。 HBM封装材料是新增量。招股书披露的原材料结构主要对应前道晶圆制造，HBM后段封装材料是2026到2027年才放量的新故事，对应长鑫上海HBM后段封装厂2026年底投产。华海诚科的颗粒状环氧塑封料（GMC）已通过客户验证处于送样阶段，芯片级底填胶已完成验证正在量产准备。联瑞新材配套供应HBM封装用GMC所需的球硅和Low α球铝。弹性最大但兑现要等长鑫上海后段厂投产。 招股书提及4F²等新型工艺架构是未来方向，业内公认对应VCAT垂直沟道访问晶体管路径。这意味着2027年以后的G6、G7工艺会带来新的材料需求，垂直沟道和堆叠结构对ALD前驱体、高深宽比刻蚀气体的依赖会进一步加深，雅克科技、安德科铭、华特气体这类公司的长期成长性会被进一步打开。 整体看材料端国产化进度领先设备端一个身位，但各品类差异很大。电子大宗气体（广钢主导超50%）、CMP抛光垫（鼎龙国内超70%）、靶材（江丰国内12寸超70%）已在50%以上。湿电子化学品和工艺特气在30-50%区间。前驱体尤其高k仍在20-30%。光刻胶和掩模版的国产化跟着光刻机天花板走，要等上游设备突破。HBM封装材料是2026到2027年才开始放量的新增量。基本面上可以满足量产需求，但顶层精细化学品和光刻胶仍依赖进口。 设备一次性资本开支属性强，材料是经常性采购。长鑫Q1单季营收508亿，2026年H1指引1100到1200亿，材料采购盘子冲到2026年270亿以上是大概率。这部分订单不需要等扩产完成，每多开一片晶圆就立刻转化成材料厂的收入。对广钢气体、安集科技、鼎龙股份、雅克科技、华特气体、江丰电子、格林达、晶瑞电材、沪硅产业这一批公司，长鑫扩产的传导比设备厂商更快，也更持续。

行业深研：LSA--2nm的隐形分水岭 在先进制程不断逼近物理极限的过程中，“热”成为最核心的变量之一，一点点温度偏差都容易让良率不可接受。 LSA这种退火设备，在先进节点中，它的意义已经发生变化。 前道制造中，离子注入是不可绕开的步骤。它负责将掺杂原子打入硅中，定义器件电学特性，同时不可避免地破坏晶格结构。 退火的作用，是完成两件事：修复晶格、激活掺杂。传统路径是炉管或快速热退火（RTA），通过整体加热晶圆，让原子在高温下重新排列。但问题在于，这种加热是全局的，时间是秒级甚至更长，掺杂在被激活的同时发生扩散，结变宽、边界变钝。 在28nm、14nm时代，这种扩散仍然可以容忍。但进入7nm以下，尤其是从FinFET向GAA（Gate-All-Around）过渡之后，器件尺寸逼近物理极限，任何额外扩散都会直接侵蚀性能窗口。问题从“需要退火”变成“需要一种不带副作用的退火”。 LSA通过在纳秒到微秒级时间内对晶圆表面进行瞬时加热，温度可以高于传统退火，但因为持续时间极短，热扩散被压制在极浅范围内。随后快速冷却，掺杂被激活、晶格被修复，但位置几乎不发生迁移，从而形成极浅且陡峭的结。这直接对应更低漏电、更高开关速度以及更可控的电场分布。 放在器件结构演进中看：FinFET解决的是平面器件失效后的继续缩放问题；GAA通过四面包裹沟道提升栅控能力，使先进节点仍能前进一段；而未来的CFET（Complementary FET），则是在横向无法继续压缩之后，通过垂直堆叠来延续密度提升。在这一过程中，结构不断演进，但约束条件在收紧，而“热预算”逐渐成为最硬的边界。 GAA的核心变化是channel更薄、间距更小、结构更复杂，任何额外的热扩散都会直接改变器件的几何与电学特性。source/drain掺杂会向channel侵入，短沟道效应迅速恶化；nanosheet之间的间距与应力分布被扰动，电场控制能力下降；接触区域本身极小，轻微扩散就会带来显著电阻变化。在这一结构下，热扩散不再是性能损失，而是结构破坏。 这也是传统退火开始失效的原因。你仍然可以用它激活掺杂，但代价是把设计好的器件“热模糊”。最终得到的是一个可以导电但偏离设计窗口的晶体管。 LSA正好解决的是这个矛盾。它将“温度”和“时间”解耦：允许极高温度，但把作用时间压缩到扩散尚未来得及发生的尺度；同时通过线光束扫描，仅作用于表面区域，避免深层结构受热。 高温、极短时间与局部控制这三个条件，在现有热处理方案中几乎只在LSA上同时成立。因此，在FinFET时代，LSA更多是性能增强工具，而到了GAA，它的角色变成“结构可行性工具”。 随着节点进入3nm、2nm甚至更小，热处理不再是一个可以灵活调整的工艺步骤，而成为限制器件设计空间的核心变量。LSA的重要性也因此被重新定价，从“可选项”逐步向“默认配置”转变。 GAA仍将是未来5到8年的主线，但其边际收益正在递减。随着尺寸进入2nm及以下，问题开始转向材料与物理极限：沟道无法无限变薄，接触电阻快速上升，功耗不再按比例下降。行业的答案是转向三维结构，即CFET，将NMOS与PMOS垂直堆叠，在横向受限后向纵向要密度。 但CFET带来一个新的约束：热。GAA仍是单层结构，高温处理的容忍度较高；而在CFET中，任何一次高温工艺都有可能破坏已经完成的另一层结构。传统RTA这种“整片加热”的方式开始失效，因为其热扩散范围过大，无法实现层间隔离。 这使得LSA未来更加重要，其纳秒级时间尺度和纳米级加热深度，使其能够只处理单一层而不影响上下层器件。这种选择性热处理能力，是CFET工艺成立的基础。 这种变化也在重塑竞争格局。从设备层面看，LSA仍是一个多玩家市场，核心厂商包括Veeco Instruments Inc.、Applied Materials以及SCREEN Holdings。SCREEN依靠装机量与历史验证占据主流，Applied Materials凭借平台能力与客户绑定形成系统优势，而Veeco通过LSA在先进节点关键工艺中实现突破。 但真正的竞争不止于设备。第一层是设备厂之间的直接竞争；第二层是工艺路线竞争，即LSA与RTA等技术的取舍；第三层是系统级竞争，即谁能将设备、材料与工艺整合进完整流程。在GAA阶段，这种竞争更多体现在设备性能与参数能力上；而进入CFET阶段，竞争将转向与晶圆厂的深度协同，护城河从单一设备转向“设备+工艺+材料”的系统能力。 从客户导入情况看，Veeco已经完成最关键的一步，其LSA设备已进入头部先进逻辑厂，并在部分工艺中成为量产标准设备。这意味着技术已经通过最严格验证，并具备随产能扩张放量的潜力。但这种导入目前仍集中在局部工艺，而非全面主导。在存储领域，包括DRAM与HBM，LSA仍处于评估阶段，尚未进入大规模量产。 因此，LSA的竞争本质上是，谁能在温度控制、扫描均匀性、应力管理等细节上做得更好，谁就更有机会进入先进节点的标准工艺路径。 总的来说，从FinFET、GAA最后到CFET的演变中，LSA完成了从性能优化工具到结构实现基础的转变。下一阶段真正的瓶颈，不只是结构或对准精度，而是在多层堆叠前提下，是否能够完成掺杂激活与缺陷修复，同时不破坏其他层结构。这将决定先进制程的上限，也决定价值将集中在哪些环节。 免责声明：本人持有文章中提及资产，观点充满偏见，非投资建议dyor

【中國成功發射通信技術試驗衛星二十四號】5月27日00時16分，中國在文昌航天發射場使用長征七號改運載火箭，成功將通信技術試驗衛星二十四號發射升空，衛星順利進入預定軌道，發射任務取得圓滿成功。該衛星主要用於開展多頻段、高速率衛星通信技術驗證。此次任務是長征系列運載火箭的第645次飛行。

【中國成功發射衛星互聯網低軌22組衛星】北京時間2026年6月17日10時44分，中國在海南商業航天發射場使用長征十二號運載火箭，成功將衛星互聯網低軌22組衛星發射升空，衛星順利進入預定軌道，發射任務獲得圓滿成功。

【中國成功發射吉星高分07C04星等8顆衛星】北京時間6月15日11時44分，中國在東風商業航天創新試驗區使用力箭一號遙十四運載火箭，成功將吉星高分07C04等8顆衛星發射升空，衛星順利進入預定軌道，發射任務取得圓滿成功。此次任務是力箭一號運載火箭的第14次飛行。#科技中國#

先进制程的瓶颈，你以为只有光刻机吗？ 其实还有Photomask（光罩 / 掩膜版）。 如果说光刻机是印刷机，那么Photomask就是印刷模板 / 底片，wafer（晶圆）就是被印内容上去的纸。 AI带来的半导体复杂度增长，会直接传导到Photomask，甚至被进一步放大。 过去行业是wafer使用量 +10%，mask需求 +10%。 AI时代可能正变成：wafer +10%，mask value +20%~40%。 因为增长的不只是mask数量，还包括： mask层数 EUV层数 multi-patterning复杂度 advanced packaging mask RDL / interposer / HBM相关mask inspection复杂度 repair难度 mask write时间 Photomask本质上已经不再只是“玻璃板”，而越来越像半导体工业里的“母版”。 mask面积远大于芯片，但精度要求反而更高。这点和euv镜头有点像：在A4纸大小区域上绘制整个城市地图，同时误差不能超过几纳米。 一套高端mask如果存在缺陷，后面可能是几万片wafer同时报废。 因此行业的核心，是缺陷控制能力。目前高端mask已经进入纳米级光学工程阶段。EUV mask、3nm/2nm logic mask、HBM相关mask、Advanced Packaging mask，都远超传统DUV时代。 于是高端Photomask天然是低throughput、慢扩产、重工艺积累行业。 相比传统DUV mask是透射式，光直接穿过去；EUV mask则是多层反射镜结构，内部包含Mo/Si multilayer、absorber、pellicle和超低缺陷blank。mask defect会被无限复制，因此phase defect、CD误差、overlay误差、multilayer defect都会极其致命。于是mask inspection的重要性开始接近光刻机本身，工艺技术门槛都变得极高。 除了芯片制造需要mask，还有Advanced Packaging Mask：先进封装本质上也是光刻工业。 CoWoS、Fan-Out、RDL、Interposer、EMIB、Hybrid Bonding，本质都依赖Photomask。因为先进封装已经不再只是“把芯片焊起来”，而是在package内部重新构建超高密度微型互连系统，负责数据传输、电源分配、时钟同步和高频信号完整性。 AI需求带来的，不只是封装数量增长，而是每个Package内部复杂度的爆炸。过去1~2层RDL，现在5层、8层、10层以上。每增加一层RDL，通常就意味着新增对应mask流程。于是Photomask需求开始从“跟随wafer数量增长”，变成“跟随系统复杂度增长”。 先进封装可能是未来几年增长最快的Photomask子方向之一。因为AI package正在逐渐变成“微型主板”。大量原本属于PCB和系统板级的功能，正在向Package内部迁移：HBM互连、高频SerDes、Power Delivery、Chiplet Fabric。于是先进封装越来越像“后道版晶圆厂”。 这也是CoWoS、EMIB、Foveros、SoIC、Hybrid Bonding越来越重资产、越来越难扩产的根本原因。它们已经不再是传统封装，而是系统级硅互连制造。 而随着光刻机越贵、越稀缺，每一次曝光就越昂贵。于是晶圆厂会更加重视： 高质量mask inspection repair pellicle overlay metrology 与此同时，EUV紧缺还会推动multi-patterning。原本1层EUV，可能被迫变成多次Immersion DUV曝光、SADP、SAQP，结果反而增加了Mask数量。因此EUV scarcity并不一定压制Photomask行业，很多时候反而提升高端DUV mask需求。尤其HBM、CoWoS、Advanced Packaging、RDL、Substrate这些大量使用Immersion DUV与Packaging Lithography的环节。 这也是为什么高端Photomask行业越来越像HBM、CoWoS和EUV生态。真正限制行业扩产的，已经不只是CapEx，而是： defect reduction yield learning inspection能力 process tuning customer database 长周期验证 工艺积累 很多部分已经开始像“工业化手工艺”。 其在整个半导体生态中的议价能力，将会越来越强。而市场，很可能还没有充分意识到这一点。 免责声明：本人持有文章中提及资产，观点充满偏见，非投资建议，dyor

所有人都在买GPU和存储。没有人告诉你光模块公司的总市值比美光还低 我想从一个反常识的问题开始：GPU是AI的大脑，存储是AI的记忆。那光是什么？光是AI的神经系统。但神经系统从来不是最先被注意到的。存储已经涨了10倍，GPU更不用说。光的时代，刚刚开始。 1. 先说一个结构性的错误定价 在Nvidia的NVL72机架里，光模块的采购金额占到整个机架的20%。2026年全球AI光收发器市场规模预计从2025年的$165亿增长到$260亿，同比增速超过57%——这是半导体赛道里增速最快的子领域之一。 但所有光模块公司的总市值，比美光一家还低。这个错误会被纠正。问题只是什么时候。 2. 光和存储不一样的地方 存储的接力是季度级别的事件——供需拐点，财报超预期，市场重新定价，SNDK从$200涨到$900，这个过程很快。光的接力是年级别的结构性变迁，因为光的技术路线本身正在发生一次范式转移： 第一阶段（现在）：可插拔光模块 800G → 1.6T → 3.2T 线性增长，随数据中心扩张 第二阶段（2026下半年）：近封装光学NPO 光模块移向芯片旁边 需求非线性跳升 第三阶段（2027-2028）：共封装光学CPO 光引擎直接封装进芯片 这是终局，也是最大的价值重构 Meta在OFC 2026分享了大量数据，证明CPO比可插拔光收发器更可靠，成本更低，功耗更少。Nvidia在GTC展示了CPO将在2027/28年用于Scale-Up互连。5年内所有AI数据中心互连都将是光。 这不是预测，是物理定律。铜在高速率下信号损耗太大，功耗太高，距离太短。光没有这些问题。 3. 光在吃铜，不只是光吃光 生成式AI集群需要比传统云服务多10到100倍的光纤，正在把现有铜互连逼到物理极限。 这是大多数人没想到的逻辑——光的增长不只来自数据中心规模的扩大，还来自光替代铜的渗透率提升。每一代迭代，光吃掉更多铜的市场。这是双重驱动，不是单一驱动。 4. 产业链七个卡位，从上游到下游 现在我来把整条产业链拆清楚。 七个公司，覆盖从最上游的衬底到最下游的网络设备。 🔬 最上游：硅光衬底 $SOI 做的是硅光PIC的衬底材料——整个产业链最上游的原材料。没有SOI的衬底，硅光芯片就没有基础。护城河极高，几乎没有竞争对手能短期内介入。和TSEM形成上下游绑定：SOI提供衬底，TSEM代工成芯片。 🏭 代工层：硅光晶圆厂 $TSEM（Tower Semiconductor）硅光版本的台积电。 今天刚刚发生的重大事件： TSEM宣布签署$13亿的2027年硅光合同，收到$2.9亿产能预付款，2028年还有更大合同在谈判中。计划资本支出$9.2亿专门用于硅光扩产，Q2营收指引$4.55亿同比增22%。 TSEM最聪明的地方在于：它不赌哪条技术路线赢。 可插拔、NPO、CPO，三条路线都用TSEM代工。就算市场对技术路线判断错了，TSEM依然受益。这是光通讯产业链里确定性最高的picks-and-shovels。 💡 激光器层：光的心脏 光模块的核心是激光器。没有激光器，光模块什么都不是。 激光器分两条技术路线： 磷化铟（InP）路线——$LITE（Lumentum） LITE是目前唯一能量产200G每lane EML激光器的供应商，是1.6T收发器的关键零件。Nvidia预先锁定了LITE的EML产能，推迟交货期超过2027年。 Nvidia向LITE投资$20亿，用于加速AI基础设施光学技术。LITE CEO称2026年是激光器芯片销售的"突破年"，刚收到历史上最大的CPO超高功率激光器采购承诺。 LITE的护城河是时间积累的——InP激光器的制造需要极其精密的工艺，20年积累的经验是任何竞争对手短期无法复制的。而且LITE不只押注现在：EML是可插拔时代的命门，ELS外置激光器是CPO时代的命门，OCS光路交换机是未来AI集群的光学路由器。 三个产品线覆盖了光通讯从现在到2030年的完整需求。 硅光（SiPho）激光器路线——$SIVE（Sivers Semiconductors） Sivers专注于CPO系统的高性能InP激光阵列，Jabil合作是第一个商业验证信号，证明技术正在从研究走向真实超大规模部署。 SIVE不是要打败LITE，而是作为CPO时代激光器供应链里的补充供应商——当LITE和COHR产能不足时，SIVE是下一个选项。整个CPO产业的激光器供应严重短缺，补充供应商的价值会被重新定价。 🔭 光学系统层：从组件到整合 $COHR（Coherent Corp） COHR最新Q3财报：营收$18.1亿同比增21%，数据中心和通信板块$14亿，同比增40%。Nvidia同样投资$20亿入股COHR。COHR是整个光通讯赛道里垂直整合程度最高的公司。从InP晶圆到激光器到光模块到系统，全部自己做。COHR正在扩大6英寸InP晶圆产能，这是推动毛利率持续提升的核心驱动力——规模越大，每片晶圆的成本越低，利润越高。 LITE和COHR的关系是竞争者也是互补者： LITE：激光器专家，EML垄断，聚焦 COHR：光学系统整合商，体量更大，更全面 🏗️ 物理基础设施层：光纤和连接 $GLW（Corning） Corning是光通讯产业链里最让人意外的标的——一家成立于1851年的玻璃公司，正在成为AI基础设施的核心受益者。 Q1 2026光学通信业务增长36%，分部净利润增长93%。2028年营收目标$300亿，2030年$400亿，内含年化增速19%。两个额外的超大规模云厂商签署了长期协议。 Nvidia命名Corning为下一代AI基础设施光连接合作伙伴，投资$5亿+最高$32亿股权，在美国建三座专属光学工厂。 Corning做的是光纤、线缆和连接器——不是最性感的产品，但是不可或缺的基础设施。 城市要运转，不只需要主干道，还需要所有的小路、接头、路牌。 Corning做的就是光通讯世界里的所有"小路和接头"。 而且这些"小路和接头"是消耗品——每建一个数据中心都需要，每升级一个机架都需要。 📡 网络层：AI时代的网络基础设施 $NOK（Nokia） Nokia是这七个标的里最被市场误解的。大多数人还在用"翻盖手机公司"的眼光看Nokia。 Nokia 2026营收预期同比增长7.5%，EPS增长21.2%，光网络业务增速20%，AI和云业务增速49%，单季度新增€10亿AI和云订单。 Nokia做的是什么？ 光传输网络（OTN）——把数据中心之间用光连接起来的骨干网络。这是Scale-Across的核心基础设施。 Nokia的第六代超相干光学技术PSE-6s，是目前全球少数能实现800G甚至1.2T长距离光传输的技术之一。 Nokia收购Infinera之后，从"转卖别人芯片的公司"升级为"拥有自己光芯片工厂的公司"——同样的技术路线，市场给LITE估值66.5倍，给COHR估值35倍，Nokia只有30.8倍Forward PE。 这个估值差距是最大的错误定价之一。 七个标的的完整产业链图 最上游 SOI（硅光衬底） ↓ TSEM（硅光代工） ↓ 激光器层 LITE（InP EML，可插拔+CPO） COHR（垂直整合，光学系统） SIVE（CPO激光阵列，高赔率） ↓ 物理基础设施 GLW（光纤、线缆、连接器） ↓ 网络层 NOK（光传输网络，骨干连接） 每一层都有自己不可替代的护城河。 每一层都在受益于同一个趋势。 6. 为什么是现在？ 2026到2027年是在1.6T供应链建立立足点的关键时期，在一线客户的设计导入将决定长期赢家。现在是design-in阶段——产品正在被超大规模客户选中和锁定。等量产阶段到来，市场才会充分定价这些公司的价值。 在design-in阶段买入，等量产阶段收获——这是光通讯投资最好的时机。 7. 仓位逻辑 高确定性（重仓）： TSEM → 今天$13亿合同，产业链里最硬的催化剂 LITE → EML垄断+Nvidia锁定，现在到2028年都受益 COHR → 垂直整合，体量最大，Nvidia $20亿入股 中等确定性（配置）： GLW → Nvidia直接合作，物理基建不可或缺 NOK → 最被低估的估值，但故事兑现需要更多时间 高赔率（小仓位）： SOI → 和TSEM绑定，护城河高但流动性低 SIVE → CPO时代的纯粹赌注 8. 光会接力存储吗？ 会。但不一样的方式。存储的接力是一次性的价格重估——供需拐点到来，几个季度内完成定价。 光的接力是分阶段的持续重估—— 2026年：可插拔1.6T带来第一波 2027年：CPO开始量产带来第二波 2028年：Scale-Up全面光化带来第三波 三波叠加，才是光通讯超级周期的全貌。存储让你在一年内赚了10倍。光可能让你在三年内赚同样多，但过程更平稳，确定性更高。 最后一句话 光通讯不是一个新故事，是一个被重新发现的旧故事。 光纤已经存在几十年了，但AI让这个故事的量级发生了质变。每当数据中心需要更高密度、更低功耗、更远距离的连接时，答案永远是光。 #光通讯# #TSEM# #LITE# #COHR# #GLW# #NOK# #SOI# #SIVE# #CPO# #硅光# #光模块# #AI基建# #数据中心# #存储接力# #Nvidia# #美股# #USStocks# #SiliconPhotonics# #CoPackagedOptics# #EML# #光互连# #AIInfrastructure# #光纤# #Nokia# #Corning# #Coherent# #Lumentum#

中国又在换道超车，通过晶园堆叠来实现从平面到立体的晶圆构造，打破摩尔定律的极限，构建立体的晶圆建造的韬(τ)定律，也就是从建平房，改成建高楼大厦，理论无极限，想建多高就建多高，这不是简单的三D封装堆叠，三D封装堆叠是把平房摞起来，这个是设计的时候就按高层楼房设计，在走线，通孔的时候就按摩天大厦设汁，所以是划时代的中国定律。这个产业里面最利好的中芯和华虹的中国晶园代工企业，它们能制造媲美台积电的先进的晶圆。迎来中国时代，最其次利好的是鸿日达，因为堆叠需要更好的金属散热壳，而鸿日达是华为在中国的唯一金属散热壳企业。对于三D先进封装企业，其实增量不多，因为在晶圆制造过程中就堆叠完了，所以特别利好制造堆叠的设备企业和北方华创这个中国半导体设备公司，因为半导体设备公司是帮助中国走入韬时代的主力军。